齊納隧穿(Zener tunneling)是2019年公布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名:齊納隧穿
- 外文名:Zener tunneling
- 所屬學科:物理學
- 公布時間:2019年
齊納隧穿(Zener tunneling)是2019年公布的物理學名詞。
齊納隧穿(Zener tunneling)是2019年公布的物理學名詞。公布時間2019年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《物理學名詞》第三版。1...
這種類型的PN結稱齊納二極體,或按其用途叫穩壓二極體。通常是矽二極體。1957年江崎玲於奈發明了隧道二極體。它是高摻雜半導體形成的窄的PN結;當它加上前向偏壓時,N區電子可以通過隧道效應,穿過禁帶進入P區中價帶的空狀態。隨所加的...
齊納隧穿 齊納隧穿(Zener tunneling)是2019年公布的物理學名詞。公布時間 2019年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
APCVD)層數可控的TMDC製備方法;3. 發展了一種大面積自動聚焦拉曼成像技術,為提高二維材料表徵效率提供了有益參考;4. 在對所製備的兩種TMDC薄膜進行系統性結構表征的基礎上,製備了WS2/Si PN結型齊納隧穿型光電二極體探測器,器件回響...
形成反偏PN結擊穿的物理機制有兩種:齊納擊穿和雪崩擊穿。重摻雜的PN結由於隧穿機制而發生齊納擊穿, 在重摻雜PN結內,反偏條件下兩側的導帶和價帶離得很近,以致電子可以由P區直接隧穿到N區的導帶。
1. 主持國家自然科學基金 “層狀半導體結構中自旋極化隧穿的動力學研究”起止時間:2009年1月- 2011年12月。2. 主持國家自然科學基金“隧穿場效應電晶體中齊納隧穿的理論研究” 起止時間:2014年1月- 2018年12月。所獲獎項 1. ...
14.1.2隧穿場效應管 14.2透射係數 14.2.1WKB近似 14.2.2傳輸矩陣方法 14.3隧穿電流 14.4半導體中的隧穿 14.4.1p+n+結隧穿: 齊納隧穿 14.4.2MIS(MOS)隧穿: FowlerNordheim隧穿 14.4.3MIM隧穿: Simmons公式 習...