面壘探測器（surface barrier detector）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：面壘探測器
- 外文名：surface barrier detector
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
公布時間,出處,
公布時間
1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《電子學名詞》第一版。
面壘探測器
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①金矽面壘型探測器。較常用的一種探測器，能量解析度較好。特別是當處於全耗盡狀態工作，即加較高電壓使耗盡區接近材料厚度時，能對空穴–電子對有完全的收集，且死區極薄，可得到薄窗和進行高精度的粒子能量沉積測量，並有快回響時間。這些特點適合於粒子定時和粒子鑑別。但這種探測器厚度只能做到1毫米以下，不能...
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- 中子感測器
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- 低水平放射性測量
目前用得較多的是 ZnS(Ag)閃爍計數器、流氣式正比計數器、核乳膠、金矽面壘型半導體探測器、屏柵電離室和液體閃爍α譜儀。ZnS(Ag)閃爍計數器和流氣式正比計數器的探測面積可以做得較大,但能量解析度差。核乳膠的探測靈敏度較高,但操作較麻煩,能量解析度差。金矽面型壘半導體探測器本底較低,能量解析度好,但面...
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為獲得能譜，除分析X射線在探測器中產生的輸出脈衝外，多採用Bragg晶體分光光度計、透射光柵及柱形凹面光柵構成的光譜儀。廣泛使用的探測器主要有，各類氣體型探測器;由閃爍晶體及光電倍增管構成的閃爍計數器;金矽面壘型、鋰漂移型等以及由砷化鎵、銻化鎘、碘化銀等化合物構成的半導體探測器;特製照相底片;CCD以及微...
- 溝道效應
如果入射離子（質子）的能量較高，則可用矽面壘探測器直接測量透射質子的數目。在透射中，每個質子失去的能量，可以直接從計數的脈衝高度來測量，測量結果如圖4表示，A是入射質子束的譜，C是入射質子束未對準單晶矽晶軸的譜，B是入射質子束對準矽 面的譜，B譜分成兩個區域，即能量損失較小的尖峰（反常峰）和非...
