基本介紹
概況,特徵,對於電中性系統,對於非電中性系統,分子電偶極矩測定,電矩與極化度,溶液法測定電矩,電偶極矩的計算,鏡像法,分離變數法,
概況
連線+q和-q兩個點電荷的直線稱為電偶極子的軸線,從-q指向+q的矢徑r和電量q的乘積定義為電偶極子的電矩,也稱電偶極矩,通常用矢量p表示。電偶極矩的物理意義是對電荷系統的極性的一種衡量。在兩個點電荷的簡單情形中,一個帶有電荷 +q,另一個帶有電荷 -q,則電偶極矩為:p=qr。
負電荷結束。這裡並沒有矛盾,因為電偶極矩與電荷的位置有關,與電場線無關。
特徵
更一般地,對於任意數目的點電荷的系統,電矩為:
其中每一個ri是一個矢量,從某一個參考點指向電荷qi的值與參考點的選擇無關,只要整個系統的總電荷為零。這個公式在n= 2時,與前一個公式是等價的。電矩矢量從負電荷指向正電荷的事實,與一個點的位置矢量是從原點指向該點的事實有關。
對於電中性系統
對於非電中性系統
分子電偶極矩測定
電矩與極化度
分子呈電中性,但因空間構型的不同,正負電荷中心可能重合,也可能不重合。前者稱為非極性分子,後者稱為極性分子,分子極性大小用偶極矩μ來度量,電矩定義為:
式中,q為正、負電荷中心所帶的電荷量;d是正、負電荷中心間的距離。偶極矩的SI單位是庫侖·米(C·m)。
若將極性分子置於均勻的外電場中,分子將沿電場方向轉動,同時還會發生電子云對分子骨架的相對移動和分子骨架的變形,稱為極化。極化的程度用摩爾極化度P來度量。P是轉向極化度P轉向、電子極化度P電子與原子極化度P原子之和:P=P轉向+P電子+P原子……
由於P原子在P中所占的比例很小,所以在不很精確的測量中可以忽略P原子,則上式可寫成:P=P轉向+P電子。只要在低頻電場V或靜電場中測得P;在V的高頻電場(紫外可見光)中,由於極性分子的轉向和分子骨架變形跟不上電場的變化,故P轉向=0。
P原子=0,所以測得的是P電子。這樣可求得P轉向,再計算μ。
溶液法測定電矩
所謂溶液法就是將極性待測物溶於非極性溶劑中進行測定,然後外推到無限稀釋。
實驗裝置如下圖:左邊是精密電容測量儀,中間是電容池,右邊是阿貝折射儀。
電偶極矩的計算
鏡像法
首先求解金屬板上、下方的電場,這一問題可利用鏡像法來求解。如圖所示,板上方的電場是點電荷q與位於金屬板下方且位置與q相對於金屬板對稱的點電荷- q(鏡像電荷)產生的電場的疊加;板下方的電場是點電荷q與位於金屬板上方且位置與q重疊的點電荷- q(鏡像電荷)產生的電場的疊加,即為零。由高斯定理(高斯面為上表面是金屬板上表面、下表面位於金屬板內部或下方的無限大柱形面)可知,金屬板上的感應電荷即等於通過金屬板的上表面的電位移矢量通量(法線方向向上)。這一通量可採用微積分的方法來計算,但計算比較麻煩,現介紹一種簡便方法。過點電荷q作一個與金屬板平行的平面,則從這一點電荷發出的位於這一平面下方的電場線均要射向金屬板,而從這一點電荷發出的位於這一平面上方的電場線則不會。所以,點電荷q產生的電場通過金屬板上表面的電位移矢量通量等於-12q(金屬板上表面的法線向上);同理,點電荷- q產生的電場通過金屬板上表面的電位移矢量通量也等於-12q,因此,金屬板上區域的電場通過金屬板上表面的通量等於- q,這也就是金屬板上的感應電荷。
首先求導體球以外區域的電場,如下圖所示,用鏡像法求解可知,導體球以外區域的電場是點電荷Q和位於導體球內與球心O的連線上距球心O為的點電荷(鏡像電荷)產生的電場的疊加。那么,由於點電荷Q所產生的電場通過導體球的通量為零,故球外電場通過導體球的通量即為點電荷Q′所產生的電場通過導體球的通量,根據高斯定理(高斯面為導體球表面)可知,導體球上的感應電荷即為Q′。導體球以外區域的電場,仍用鏡像法求解。
這裡,導體球是一電勢不等於零的等勢體,所帶電荷為零。由球外區域電場的答案可知,只要在球心O處放一點電荷- Q′,則這樣分布的3個點電荷Q、Q′、- Q′在球外區域所產生的電場即符合所求場的邊界條件,由惟一性定理可知,3個這樣分布的點電荷Q、Q′、- Q′在球外區域所產生的電場即是所求場的解,如圖所示,根據高斯定理(高斯面為導體球表面)可知,導體球上總的感應電荷為零,但是,導體球上的左面分布了- Q′的感應電荷,右面分布了Q′的感應電荷,它們所產生的電偶極矩為:
分離變數法
如圖所示,接地導體球與導體球殼之間的電場和導體球殼以外區域的電場,電勢滿足拉普拉斯方程,可用分離變數法求解,電勢的解為
其中:
根據高斯定理(高斯面為導體球表面)可知,導體球上的感應電荷為
導體球殼上的電荷分布將是內球殼上帶- Q1的電荷,外球殼上帶Q+ Q1的電荷。
綜上所述,本類問題求解的一般方法就是先求出靜電場的解,再由高斯定理求出導體上的感應電荷或電偶極矩。