雷射誘導氣相沉積法

雷射誘導氣相沉積法(LICVD)。是指利用反應氣體對特定波長雷射束的吸收而產生熱解或化學反應，經過核生長形成超細粉末。整個過程實質上是一個熱化學反應和晶粒成核與生長過程。LICVD法通常採用CO2雷射器，加熱速率快，高溫駐留時間短，冷卻迅速，因此可獲得粒徑＜10nm 的均勻納米粉體。

基本介紹

• 中文名：雷射誘導氣相沉積法
• 屬性：材料科學與工程術語

利用反應氣體對特定波長雷射束的吸收而產生熱解或化學反應，經過核生長形成超細粉末。整個過程實質上是一個熱化學反應和晶粒成核與生長過程。LICVD法通常採用CO2雷射器，加熱速率快，高溫駐留時間短，冷卻迅速，因此可獲得粒徑＜10nm 的均勻納米粉體。同時，反應中心區域與反應器之間被原料氣體隔離，反應污染小，可製得純度高的納米粉體。