雙異質結（double heterostructure）是2019年公布的物理學名詞，出自《物理學名詞》第三版。
基本介紹
- 中文名：雙異質結
- 外文名：double heterostructure
- 所屬學科：物理學
- 公布時間：2019年
公布時間,出處,
雙異質結
相關詞條
- 雙異質結
雙異質結（double heterostructure）是2019年公布的物理學名詞，出自《物理學名詞》第三版。公布時間2019年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《物理學名詞》第三版。1...
- 雙異質結雷射二極體
雙異質結雷射二極體 雙異質結雷射二極體是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 在雷射器的法布里?-?珀羅腔中，有源區為窄直接帶隙半導體材料，夾在兩層摻雜型號相反的寬頻隙半導體限制層之中，構成一個類似“三明治”(夾層)結構的雷射二極體。出處 《材料科學技術名詞》。
- 雙異質結雷射器
雙異質結雷射器 雙異質結雷射器是一種雷射器。
- 單載流子傳輸的漸變耦合脊波導InP雙異質結光敏電晶體
《單載流子傳輸的漸變耦合脊波導InP雙異質結光敏電晶體》是依託北京工業大學，由謝紅雲擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 寬頻綜合業務網和射頻光通信系統RoF的發展對光探測器提出了高的要求。 HPT是不同於PIN和APD的新穎探測器,它用HBT的基區和集電區作為光吸收層產生光電流,同時依靠HBT的電流增益放大...
- 異質結雙極性電晶體
異質結雙極性電晶體（英語：heterojunction bipolar transistor，縮寫：HBT）是雙極性電晶體的一種，它的發射區和基區使用了不同的半導體材料。介紹 異質結雙極性電晶體（英語：heterojunction bipolar transistor，縮寫：HBT）是雙極性電晶體的一種，它的發射區和基區使用了不同的半導體材料，這樣，發射結（即發射區和...
- ZnO基新型異質結發光器件設計、製備及其套用研究
研究異質結構中能帶失配對載流子注入、傳輸和複合的影響，利用引入絕緣介質層改善電子、空穴在p區和n區的注入和複合幾率，在室溫下實現了來自ZnO層的電致發光。進一步利用能帶工程最佳化設計結構，利用ZnMgO雙層結構構建的異質結髮光器件，由於雙異質結結構能夠阻擋ZnO的電子進入GaN中，提高了載流子的複合效率，從而實現了ZnO...
- 雷射二極體
雷射二極體包括單異質結（SH）、雙異質結（DH）和量子阱（QW）雷射二極體。量子阱雷射二極體具有閾值電流低，輸出功率高的優點，是市場套用的主流產品。同雷射器相比，雷射二極體具有效率高、體積小、壽命長的優點，但其輸出功率小（一般小於2mW），線性差、單色性不太好，使其在有線電視系統中的套用受到很大限制，...
- 半導體發光二極體
半導體發光二極體和半導體雷射器類似，也是一個PN結，也是利用外電源向PN結注入電子來發光的。半導體發光二極體記作LED，是由P型半導體形成的P層和N型半導體形成的N層，以及中間的由雙異質結構成的有源層組成。有源層是發光區，其厚度為0.1～0.2μm左右。簡介 半導體發光二極體的結構公差沒有雷射器那么嚴格，而且無...
- 半導體雷射
半導體雷射器在基本構造上，它屬於半導體的P-N接面，但雷射二極體是以金屬包層從兩邊夾住發光層（有源層），是“雙異質結接合構造”。而且在雷射二極體中，將界面作為發射鏡（諧振腔）使用。在使用材料方面，有鎵(Ga)、砷(As)、銦(In)、磷(P)等。此外在多量子阱型中，也使用Ga·Al·As等。由於具有條狀結構...
- PHEMT
總之PHEMT具有雙異質結的結構，這不僅提高了器件閾值電壓的溫度穩定性，而且也改善了器件的輸出伏安特性，使得器件具有更大的輸出電阻、更高的跨導、更大的電流處理能力以及更高的工作頻率、更低的噪聲等。在製作PHEMT時，為了克服InGaAs/GaAs異質結界面的因晶格失配（約為1%）而產生的應力的影響，一般是把InGaAs層生長...
- hbt
異質結是兩種帶隙寬度不同的半導體材料構成的結，和導電類型不同的結（PN結）無關。多數情況兩類相結合，有時不重合。由寬頻隙半導體材料製作發射區，以窄帶隙材料製作基區的雙極型電晶體成為異質結雙極型電晶體。1、分類 按異質結數目：單異質結電晶體（SHBT）---只有發射結為異質結的HBT 雙異質結電晶體（DH...
- 量子阱雷射器
具有量子阱結構的量子阱半導體雷射器與雙異質結半導體雷射器(DH)相比，具有閾值電流密度低、量子效應好、溫度特性好、輸出功率大、動態特性好、壽命長、激射波長可以更短等等優點。目前，量子阱已成為人們公認的半導體雷射器發展的根本動力。其發展歷程大概為：1976年，人們用GaInAsP/InP實現了長波長雷射器。對於雷射腔...
- 半導體型雷射器
半導體型雷射器是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異，不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結雷射器和單異質結雷射器...
- 半導體光電子器件(功能器件)
雙異質結雷射器的發明是異質結研究方面的一個重大成就。採用異質結構以後，雷射器有源區可精確控制在 0.1微米量級。把注入載流子和光都局限在這個薄層中，使雷射器閾值電流密度降低2～3個量級，達到103安/厘米2以下，從而實現低功耗（毫瓦），長命壽（外推百萬小時）、室溫連續波工作等目的。異質結在光電子學中的...
- 大光腔雷射器
大光腔雷射器是光學諧振腔較大的異質結雷射器，簡稱 LOC雷射器。 大光腔結構也被套用在製造單模雙異質結雷射器上。採用光和載流子分別限制的辦法，使控制模式和光束大小比較靈活，因而可獲得單模高功率輸出。產品介紹 光學諧振腔較大的異質結雷射器，簡稱 LOC雷射器。為了增大光腔以獲得較大的脈衝功率，70年代初H....
- 雷射器(發射雷射的裝置)
半導體雷射器的問世極大地推動了信息光電子技術的發展，到如今，它是當前光通信領域中發展最快、最為重要的雷射光纖通信的重要光源.半導體雷射器再加上低損耗光纖，對光纖通信產生了重大影響，並加速了它的發展.因此可以說，沒有半導體雷射器的出現，就沒有當今的光通信.GaAs/AlGaAs雙異質結雷射器是光纖通信和大氣...
- 半導體分布反饋雷射器
1970年採用雙異質結的GaAs－GaAlAs注入式半導體雷射器實現了室溫連續工作。與此同時，貝爾實驗室H.利戈尼克等發現在周期結構中可由反向布喇格散射提供反饋，可以代替解理面。在實驗中，最初是把這種結構用於染料雷射器，1973年開始用於半導體雷射器，1975年GaAs分布反饋雷射器已實現室溫連續工作。原理 半導體分布反饋雷射器...
- 量子阱半導體雷射器
QW雷射器的結構與一般的雙異質結雷射器的結構相似,只是有源區厚度極薄。當有源區厚度值極小時,有源區與相臨層的能帶會產生不連續現象,即有源區的異質結上出現導帶和價帶的突變,使窄帶隙的有源區為導帶中的電子和價帶中的空穴創造了一個勢能阱,從而帶來了優越的性能,其名也由此而來。 [1]...
- 複合腔半導體雷射器
回顧半導體雷射器發展的歷程,半導體雷射器的發展總體上可分為三個階段:同質結構注入型雷射器,單異質結注入型雷射器和雙異質結注入型雷射器。早在1953年9月,美國的馮·紐曼仃在他-篇未發表的論文手稿中第-個論述了在半導體中產生受激發射的可能性;認為可以通過向PN結注入少數載流子來實現受激發射;計算了在兩個布里...
- 可見光半導體雷射材料
半導體雷射器件，可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結雷射器和單異質結雷射器在室溫時多為脈衝器件，而雙異質結雷射器室溫時可實現連續工作。半導體二極體雷射器是最實用最重要的一類雷射器。它體積小、壽命長，並可採用簡單的注入電流的方式來泵浦其工作電壓和電流與積體電路兼容，因而可與之單片集成...
- 半導體雷射材料
半導體雷射器件，可分為同質結、單異質結、雙異質結等幾種。同質結雷射器和單異質結雷射器在室溫時多為脈衝器件，而雙異質結雷射器室溫時可實現連續工作。半導體二極體雷射器是最實用最重要的一類雷射器。它體積小、壽命長，並可採用簡單的注入電流的方式來泵浦其工作電壓和電流與積體電路兼容，因而可與之單片集成...
- 氮化鎵
自從1991年日本研製出同質結GaN藍色 LED之後，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批量生產階段，從而填補了市場上藍色LED多年的空白。藍色發光器件在高密度光碟的信息存取、全光顯示、雷射印表機等領域有著巨大的套用市場。隨著對Ⅲ族...
- 砷化鎵材料
常用的光電器件有:AlxGaAs/GaAs和InGaxPAsy/InP兩種結構的雙異質結雷射器,紅外和可見光發光管,砷化鎵太陽電池。在微波器件方面,砷化鎵的高遷移率和低有效質量使器件得以在更高頻率下工作。另外,基於電子轉移效應,已研製出耿氏管一類器件。70年代初,由於高質量砷化鎵外延材料和精細光刻工藝的突破,砷化鎵肖特基勢壘場效應...
- 半導體雷射模組
雙異質結雷射器是光纖通信和大氣通信的重要光源，如今，凡是長距離、大容量的光信息傳輸系統無不都採用分布反饋式半導體雷射模組(DFB一LD).半導體雷射模組也廣泛地套用於光碟技術中，光碟技術是集計算技術、雷射技術和數字通信技術於一體的綜合性技術.是大容t.高密度、快速有效和低成本的信息存儲手段，它需要半導體雷射...
