| 中文名稱 | 雙異質結雷射器 |
| 英文名稱 | double hetero junction laser |
| 定 義 | 用多次外延法在砷化鎵基片的兩側各生長一層砷化鎵鋁單晶(一層為p型，一層為n型），分別形成一個砷化鎵鋁-砷化鎵異質結而製成的半導體雷射器。 |
| 套用學科 | 機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），雷射器件和雷射設備-雷射器名稱（三級學科） |
| 中文名稱 | 雙異質結雷射器 |
| 英文名稱 | double hetero junction laser |
| 定 義 | 用多次外延法在砷化鎵基片的兩側各生長一層砷化鎵鋁單晶(一層為p型，一層為n型），分別形成一個砷化鎵鋁-砷化鎵異質結而製成的半導體雷射器。 |
| 套用學科 | 機械工程（一級學科），光學儀器（二級學科），雷射器件和雷射設備-雷射器名稱（三級學科） |
用多次外延法在砷化鎵基片的兩側各生長一層砷化鎵鋁單晶(一層為p型,一層為n型),分別形成一個砷化鎵鋁-砷化鎵異質結而製成的半導體雷射器。 套用學科 機械工程(...
單異質結雷射器可以分為同型異質結(N-n或P-p)和異型異質結(N-p或P-n) 同質PN結:兩邊採用相同半導體材料的PN結稱為同質PN結。 特點: (1)同質PN結兩邊...
半導體雙異質結雷射二極體是半導體雷射器的一種,簡稱DH雷射器。... 半導體雙異質結雷射二極體是半導體雷射器的一種,簡稱DH雷射器。半導體雙異質結雷射二極體...
中文名稱 異質結雷射器 英文名稱 heterostructure laser 定義 有源區為窄直接帶隙半導體材料,限制層為寬頻隙半導體材料所形成的三層結構二極體雷射器。 套用學科 ...
同質結雷射器是能帶圖不像雙異質結的那樣在“結”處有褶皺,而是平坦的,載流子不會在“結”處擁堵,密度遠小於雙異質結在“結”處的載流子密度的儀器,英文名是...
量子阱(QW)半導體雷射器是一種窄帶隙有源區夾在寬頻隙半導體材料中間或交替重疊的半導體雷射器,是極有發展前途的一種雷射器。QW雷射器的結構與一般的雙異質結...