《鍺單晶和鍺單晶片》是2020年5月1日實施的一項中國國家標準。
基本介紹
- 中文名:鍺單晶和鍺單晶片
- 外文名:Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices
- 標準號:GB/T 5238-2019
- 中國標準分類號:H82
《鍺單晶和鍺單晶片》是2020年5月1日實施的一項中國國家標準。
《鍺單晶和鍺單晶片》是2020年5月1日實施的一項中國國家標準。編制進程 2019年6月4日,《鍺單晶和鍺單晶片》發布。2020年5月1日,《鍺單晶和鍺單晶片》實施。起草工作 主要起草單位:中鍺科技有限公司、廣東先導稀材股份有限公司、...
■半導體器件用鍺單晶用於製作各類電晶體和太陽能電池用基體材料 ■探測器級鍺單晶用於製備高解析度γ輻射探測儀 製備 ■鍺單晶是以區熔鍺錠為原料,用直拉法(CZ)法或者垂直梯度法(VGF法)等方法製備的鍺單晶體。■直拉法(CZ)...
高純度的鍺是半導體材料。從高純度的氧化鍺還原,再經熔煉可提取而得。摻有微量特定雜質的鍺單晶,可用於制各種電晶體、整流器及其他器件。鍺的化合物用於製造螢光板及各種高折光率的玻璃。鍺單晶可作電晶體,是第一代電晶體材料。鍺材...
另外還必須指出,絕大多數工業用的金屬材料不是只由一個巨大的單晶所構成,而是由大量小塊晶體組成,即多晶體。在整塊材料內部,每個小晶體(或稱晶粒)整個由三維空間界面與它的近鄰隔開。這種界面稱晶粒間界,簡稱晶界。晶界厚度約為兩...
p型鍺單晶是多數載流子為空穴的鍺單晶,是晶體中摻入受主雜質形成的。中文名稱 p型鍺單晶 英文名稱 p-type monocrystalline germanium 定義 多數載流子為空穴的鍺單晶。是晶體中摻入受主雜質形成的。 套用學科 材料科學技術(一級...
n型鍺單晶討論 上傳視頻 本詞條缺少信息欄、概述圖,補充相關內容使詞條更完整,還能快速升級,趕緊來編輯吧!中文名稱 n型鍺單晶 英文名稱 n-type monocrystalline germanium 定義 多數載流子為電子的鍺單晶。是晶體中摻入施主雜質形成...
水平法鍺單晶 水平法鍺單晶採用水平法生長的,具有一定直徑尺寸和晶向的高純度鍺單晶。也可製備具有預定導電型號和電阻率範圍的鍺單晶。套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),元素半導體材料(三級學科)
直到上世紀60年代開始,矽材料就取代了原有鍺材料。矽材料――因其耐高溫和抗輻射性能較好,特別適宜製作大功率器件的特性而成為套用最多的一種半導體材料,積體電路半導體器件大多數是用矽材料製造的。注意事項 單晶片 中文別名:矽單晶...
目前世界上只有兩三家公司能生產12N-13N超高純鍺單晶,而在國內沒有一家單位有能力生產12N-13N超高純鍺單晶,所需超高純鍺單晶和部分探測器只有通過進口。為了打破國外壟斷,我們進行探測器級高純鍺單晶體的自主研製工作。此外,根據暗...
《鍺單晶位錯密度的測試方法》(GB/T 5252-2020)是2021年4月1日實施的一項中華人民共和國國家標準,歸口於全國半導體設備和材料標準化技術委員會。《鍺單晶位錯密度的測試方法》(GB/T 5252-2020)規定了鍺單晶位錯密度的測試方法。該...
《空間用摻鍺矽單晶及器件的微缺陷研究》是依託浙江大學,由陳加和擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 具有高抗輻照能力的空間用直拉矽單晶,是國防微電子領域急需開發的重要基礎材料之一。利用在直拉矽單晶中摻雜微量的鍺原子...
TDR-Z直拉法鍺單晶爐 《TDR-Z直拉法鍺單晶爐》是2014年7月14日發布的一項行業標準。起草單位 西安電爐研究所有限公司、國家質量監督檢驗中心等。起草人 陳巨才、袁芳蘭等。
其次,除了鍺和矽(在很多方面矽有更好的性能)外,有很多的金屬合成物,例如銻一銦,銻-鋁等,也是可能的半導體材料。在純化和單晶生長等方面,都可以用類似的方法,合成物可以就所需要的性能而加以選擇和配合,很明顯地也有極大的...
《微鍺摻雜直拉矽單晶氧和微缺陷的研究》是依託浙江大學,由楊德仁擔任項目負責人的面上項目。基本信息 項目摘要 直拉矽單晶中微缺陷是影響現代深亞微米積體電路的主要因素之一。本課題組提出利用微量摻鍺控制直拉矽單晶微缺陷的新概念...
《相變材料應變工程與鍺多柵電晶體的最佳化集成方案》是依託浙江大學,由程然擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 矽器件的持續微型化降低了器件的生產成本,同時也引入了遷移率降低等問題。通過微細化的方法進一步提高矽MOSFET的性能...
鍺單晶安全生產規範 《鍺單晶安全生產規範》是2017年1月1日實施的一項行業標準。備案信息 備案號:55818-2016 備案公告: 2016年第11號(總第203號)。
《鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法(GB/T 5252-2006)》自實施之日起代替GB/T 5252—1985。由中國有色金屬工業協會提出。由全國有色金屬標準化技術委員會歸口。起草單位:北京有色金屬研究總院。主要起草人:余懷之,劉建平。由全國有色...
鍺單晶中間隙氧含量的紅外吸收測量方法 《鍺單晶中間隙氧含量的紅外吸收測量方法》是1995年10月1日實施的一項行業標準。備案信息 備案號:0 044-1995
紅外鍺單晶單位產品能源消耗限額 《紅外鍺單晶單位產品能源消耗限額》是2012年5月24日發布的一項行業標準。備案信息 備案號:37275-2012 備案公告: 2012年第10號(總第154號)
絕大多數半導體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導體單晶都是用熔體生長法製成的。直拉法套用最廣,80%的矽單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產的,其中矽單晶的最大直徑已達300毫米。在熔體中通...
1942年,普渡大學Lark_Horovitz領導的課題組中一個名叫Seymour Benzer的學生,發現鍺單晶具有其它半導體所不具有的優異的整流性能。這兩個發現滿足了美國政府的要求,也為隨後電晶體的發明打下了伏筆。2)點接觸電晶體 1945年二戰結束,...