《微鍺摻雜直拉矽單晶氧和微缺陷的研究》是依託浙江大學，由楊德仁擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：微鍺摻雜直拉矽單晶氧和微缺陷的研究
- 依託單位：浙江大學
- 項目負責人：楊德仁
- 項目類別：面上項目
- 批准號：50572094
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：27（萬元）
項目摘要
直拉矽單晶中微缺陷是影響現代深亞微米積體電路的主要因素之一。本課題組提出利用微量摻鍺控制直拉矽單晶微缺陷的新概念，是一種具有廣闊套用前景的新型矽單晶材料。在此基礎上，本項目主要研究微量摻鍺直拉矽單晶中的原生缺陷（Void等）行為和機理，指出原生缺陷控制和消除技術；模擬大規模積體電路熱處理工藝過程，闡明微量摻鍺直拉矽單晶在工藝過程中的氧沉澱行為；並指出鍺對潔淨區的影響作用，探索提高矽片內吸雜效果的機理。基本了解微量摻鍺對直拉矽單晶雜質和缺陷的影響規律，發展具有我國自主智慧財產權的新技術，為微量摻鍺直拉矽單晶在深亞微米積體電路上的廣泛套用提供理論基礎。
