鍺單晶位錯密度的測試方法

《鍺單晶位錯密度的測試方法》（GB/T 5252-2020）是2021年4月1日實施的一項中華人民共和國國家標準，歸口於全國半導體設備和材料標準化技術委員會。

《鍺單晶位錯密度的測試方法》（GB/T 5252-2020）規定了鍺單晶位錯密度的測試方法。該標準適用於{111)、{100}和{113}面鍺單晶位錯密度的測試，測試範圍為0cm～100000cm。

基本介紹

• 中文名：鍺單晶位錯密度的測試方法
• 外文名：Test method for dislocation density of monocrystal germanium
• 標準號：GB/T 5252-2020
• 中國標準分類號：H21
• 標準類別：方法
• 國際標準分類號：77.040
• 發布日期：2020-06-02
• 實施日期：2021-04-01
• 全部代替標準：GB/T 5252-2006
• 歸口單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
• 執行單位：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
• 主管部門：中華人民共和國國家標準化管理委員會
• 性質：推薦性國家標準
• 狀態：現行

制定過程

編制進程

• 標準計畫

2018年1月9日，國家標準計畫《鍺單晶位錯密度的測試方法》（20173474-T-610）下達，項目周期24個月，由TC203（全國半導體設備和材料標準化技術委員會）歸口上報，TC203SC2（全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會）執行，主管部門為中華人民共和國國家標準化管理委員會。

• 發布實施

2020年6月2日，國家標準《鍺單晶位錯密度的測試方法》（GB/T 5252-2020）由中華人民共和國國家市場監督管理總局、中華人民共和國國家標準化管理委員會發布。

2021年4月1日，國家標準《鍺單晶位錯密度的測試方法》（GB/T 5252-2020）實施，全部代替標準《鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法》（GB/T 5252-2006）。

修訂依據

國家標準《鍺單晶位錯密度的測試方法》（GB/T 5252-2020）依據中國國家標準《標準化工作導則—第1部分：標準的結構和編寫規則》（GB/T 1.1-2009）規則起草。

修訂情況

《鍺單晶位錯密度的測試方法》（GB/T 5252-2020）與《鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法》（GB/T 5252-2006）相比，除編輯性修改外主要技術變化如下：

1. 修改了標準適用範圍；
2. 增加了規範性引用檔案；
3. 修改了術語和定義；
4. 修改了方法原理的內容；
5. 將2006年版標準“試樣製備”中的試劑材料修改為單獨章節；
6. 修改了試樣製備的要求；
7. 增加了直徑110mm、130mm、150mm鍺單晶的測試點位置；
8. 增加了位錯腐蝕坑計數的注意事項；
9. 修改了試驗數據處理的內容；
10. 以位錯密度1000cm為分界值，修改了精密度；
11. 修改了試驗報告包含的內容。

起草工作

主要起草單位：有研光電新材料有限責任公司、國合通用測試評價認證股份公司、中國電子科技集團公司第四十六研究所、中鍺科技有限公司、北京國晶輝紅外光學科技有限公司、雲南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司、廣東先導稀材股份有限公司、義烏力邁新材料有限公司。

主要起草人：張路、馮德伸、姚康、劉新軍、韋聖林、黃洪偉文、馬會超、普世坤、郭榮貴、向清華。

標準目次

前言	Ⅰ
1範圍	1
2規範性引用檔案	1
3術語和定義	1
4方法原理	1
5試劑和材料	1
6儀器設備	2
7試樣製備	2
8試驗步驟	2
9試驗數據的處理	6
10精密度	6
11試驗報告	6

參考資料：

內容範圍

《鍺單晶位錯密度的測試方法》（GB/T 5252-2020）規定了鍺單晶位錯密度的測試方法。該標準適用於{111)、{100}和{113}面鍺單晶位錯密度的測試，測試範圍為0cm～100000cm。

引用檔案

GB/T 8756 鍺晶體缺陷圖譜

GB/T 14264 半導體材料術語

參考資料：

意義價值

《鍺單晶位錯密度的測試方法》（GB/T 5252-2020）有利於更好滿足不同工藝生長的單晶以及不同直徑單晶位錯測試的要求。有利於精確測試各種工藝生長的鍺單晶位錯密度，得到準確的測試結果，滿足產品銷售的要求，為鍺產業的發展提供技術保障。每年用於太陽電池的鍺片達到上百萬片，經濟效益高達數億元，而且，隨著地面能源的減少，以鍺片為襯底的太陽電池將得到更大範圍的套用，因此，該標準的修訂有著很好的經濟效益和社會效益。