鄭新和， 男，北京科技大學套用物理系教授。
一直從事氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）和砷化鎵（GaAs）等半導體薄膜和量子阱（QW）結構的生長、物理性能分析與光電器件（發光二極體和太陽能電池）方面的研究。如今正在進行III族氮化物原子層外延生長、新型GaN/二維體系熱電子電晶體以及原子層沉積套用方面等的研究工作。
基本介紹
- 中文名：鄭新和
- 國籍：中國
- 職業：中國科學院研究員
- 畢業院校：中國科學院半導體研究所
- 學位：博士
人物經歷,教學科研,研究方向,主要貢獻,
人物經歷
2002年7月畢業於中國科學院半導體研究所，獲博士學位。博士畢業後分別工作於中國科學院物理研究所（博士後）、源順國際有限公司（套用科學家及地區經理）、德國Nanofilm公司等、中國石油大學（副教授）、智利Universidad Técnica Federico Santa María（研究助理）及台灣國立中興大學（研究人員）。
曾前往德國、智利及台灣從事技術培訓和博士後方面的研究工作。2009年3月至2014年3月，工作於中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，任研究員、博士生導師。2014年起加盟北京科技大學物理系，任教授、博士生導師。
教學科研
本科生課程:《半導體物理》、《半導體器件與工藝》
研究生課程:《半導體器件物理》
研究領域:III族氮化物半導體薄膜與低維結構的原子層外延生長，新型氮化鎵/二維體系異質結熱電子電晶體，原子層沉積在太陽能電池、儲能電池中的套用，發光二極體晶片設計與計算，薄膜物性表征與分析
研究方向
一直從事氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）和砷化鎵（GaAs）等半導體薄膜和量子阱（QW）結構的生長、材料性能分析與器件工藝方面的研究。另外，在圖形矽襯底上進行過碳納米管的定向和選擇性化學氣相沉積生長以及非占據電子能態的超高真空反向光電發射譜、掃描隧道顯微鏡分析。如今的研究興趣包括III-V族化合物半導體太陽能電池和發光二極體（LED）器件以及相應材料的金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長和性能分析。
主要貢獻
在InGaN基半導體結構表征、太陽能電池器件物理和薄膜外延生長方面開展了具有特色並受到國際同行關注的研究工作。GaN馬賽克扭轉角測量方法受到英國劍橋大學在物理類綜合期刊Rep. Prog. Phys.上的多次評價，薄膜晶格常數測量方法被實際套用到研究工作並寫入科學出版社專著章節，InGaN基太陽能電池受到2014年諾貝爾物理獎獲得者S.Nakamura教授研究組的多次引用。截止如今，已在Small、APL、IEEE Electron. Dev. Lett.、Chin. Phys. B等國內外知名期刊上發表論文近八十篇，申請專利二十項（十一項授權）。曾擔任Advances in Mater. Sci. & Eng.期刊客座編輯，是Solar Energy Materials & Solar Cells, J. Appl. Phys., Semi. Sci. & Technol., App. Phys. A, J. Phys. D: Appl. Phys., Mater. Sci. & Eng., Thin Solid Films, Chin. Phys. B, 《半導體學報》等國內外期刊的審稿人。現擔任中國電工技術學會半導體光源系統專業委員會委員。主持、參與的項目包括國家重點基礎研究計畫、國家自然科學基金、上海空間電源研究所、蘇州市國際合作、與日本索尼公司國際合作、橫向項目等。
設計和製備了具有良好特性的p-i-n雙異質結InGaN/GaN太陽能電池，填充因子達81%；高品質GaN薄膜的MOCVD生長；GaAs與InGaAs單結太陽能電池的設計、MOCVD生長以及高導熱銅襯底上“薄膜”電池的製備；在圖形化藍寶石襯底上製備了雙面粗化並轉移至矽襯底上之具有良好散熱、大功率GaN基“薄膜”結構發光二極體LED；提出了一種直接測量GaN薄膜扭轉角的方法，避免了複雜的數學計算和擬合，此方法也適用其它具有馬賽克結構的薄膜；從布拉格定律出發，提出了GaN晶格常數的直接測量方法，該測量思想適合多種外延體系；詳細分析了最佳化量子阱生長參數對藍、綠光InGaN/GaN之LED光學和結構特性的變化；GaAsP應變補償GaAsSb/GaAs QWs以及SiC、SiGe材料的性能分析。
