人物簡介,主要成就,人物經歷,
人物簡介
邱宇峰,男,全球能源網際網路研究院院長,現任全球能源網際網路研究院有限公司董事、院長、黨委副書記,教授級高級工程師,國務院政府特殊津貼專家、中國電力科學技術傑出貢獻獎獲得者。
邱宇峰,男,漢族,中共黨員,1960年5月出生於內蒙古錫林浩特;1982年畢業於華北電力學院電力系統及其自動化專業,獲得學士學位,2003年畢業於中歐國際工商學院,獲碩士學位,中國電機工程學會會士,首都科技盛典人物獲得者。
第三屆電能質量及柔性輸電標準化技術委員會主任委員,電力系統電力電子器件專委會主任委員,長期從事靈活交流輸電、高壓直流輸電、功率半導體器件技術領域的研究和開發工作。
主要成就
2013-2016年,邱宇峰作為能源研發項目“高壓直流斷路器關鍵技術研究及樣機研製”的課題負責人,提出具有自主智慧財產權的混合式IGBT全橋級聯高壓直流斷路器拓撲,並研製世界首套200kV高壓直流斷路器。
2007-2015年,邱宇峰組織開展對特高壓/超大容量直流換流閥的研究,解決了±500kV換流閥及閥控設備的自主化難題,突破±800kV換流閥在關鍵技術研究、產品研製、試驗方法、工程實施等挑戰,成功研製±1100kV/5500A特高壓換流閥,全面提升我國直流輸電換流閥自主設計和研發水平。
邱宇峰作為項目負責人承擔國家重點研發計畫項目“碳化矽大功率電力電子器件及套用基礎理論研究”;主持建成國內最高工藝水平10kV級碳化矽器件工藝線,為電力系統用高壓大功率IGBT和碳化矽器件自主研發奠定堅實的基礎。
邱宇峰作為項目負責人主持完成國家科技重大專項“電力系統用國產高壓大功率IGBT晶片及模組的套用研發”和北京市科委項目重點項目,在國內率先開展針對電力系統套用的定製化高壓大功率電力電子器件研製,成功研製出3300V/1500A壓接型IGBT器件;
人物經歷
2019年11月30日,邱宇峰受邀參加2019國際第三代半導體大賽頒獎典禮;