基本介紹
概念,遷移率的相關概念,測量方法,渡越時間法,霍爾效應法,電壓衰減法,輻射誘發導電率法,表面波傳輸法,外加電場極性反轉法,電流一電壓特性法,總結,
概念
電子運動速度等於遷移率乘以電場強度
，也就是說相同的電場強度下，載流子遷移率越大，運動得越快；遷移率小，運動得慢。同一種半導體材料中，載流子類型不同，遷移率不同，一般是電子的遷移率高於空穴。如室溫下，低摻雜矽材料中，電子的遷移率為1350cm2V-1s-1，而空穴的遷移率僅為480cm2V-1s-1。
矽中載流子遷移率隨摻雜濃度的變化曲線
矽中載流子遷移率隨摻雜濃度的變化曲線遷移率主要影響到電晶體的兩個性能：
一是和載流子濃度一起決定半導體材料的電導率（電阻率的倒數）的大小。遷移率越大，電阻率越小，通過相同電流時，功耗越小，電流承載能力越大。由於電子的遷移率一般高於空穴的遷移率，因此，功率型MOSFET通常總是採用電子作為載流子的n溝道結構，而不採用空穴作為載流子的p溝道結構。
二是影響器件的工作頻率。雙極電晶體頻率回響特性最主要的限制是少數載流子渡越基區的時間。遷移率越大，需要的渡越時間越短，電晶體的截止頻率與基區材料的載流子遷移率成正比，因此提高載流子遷移率，可以降低功耗，提高器件的電流承載能力，同時，提高電晶體的開關轉換速度。
一般來說P型半導體的遷移率是N型半導體的1/3到1/2.。
遷移率的相關概念
遷移率是衡量半導體導電性能的重要參數，它決定半導體材料的電導率，影響器件的工作速度。對於載流子遷移率已有諸多文章對載流子遷移率的重要性進行了研究。遷移率
的相關概念在半導體材料中，由某種原因產生的載流子處於無規則的熱運動，當外加電壓時，導體內部的載流子受到電場力作用，做定向運動形成電流，即漂移電流，定向運動的速度成為漂移速度，方向由載流子類型決定。在電場下，載流子的平均漂移速度v 與電場強度E 成正比為：
式中 為載流子的漂移遷移率，簡稱遷移率，表示單位電場下載流子的平均漂移速度，單位是m2V-1s-1或cm2V-1s-1。
遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數，同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，半導體材料的導電率越高。遷移率的大小不僅關係著導電能力的強弱，而且還直接決定著載流子運動的快慢。它對半導體器件的工作速度有直接的影響。
電導率和遷移率之間的關係為
。也就是在一定的電子濃度n 和電荷量的情況下，電子遷移率和電導率是正相關的。
在恆定電場的作用下，載流子的平均漂移速度只能取一定的數值，這意味著半導體中的載流子並不是不受任何阻力，不斷被加速的。事實上，載流子在其熱運動的過程中，不斷地與晶格、雜質、缺陷等發生碰撞，無規則的改變其運動方向，即發生了散射。無機晶體不是理想晶體，而有機半導體本質上既是非晶態，所以存在著晶格散射、電離雜質散射等，因此載流子遷移率只能有一定的數值。
測量方法
渡越時間法
渡越時間(TOP)法適用於具有較好的光生載流子功能的材料的載流子遷移率的測量，可以測量有機材料的低遷移率。
在樣品上加適當直流電壓，選側適當脈衝寬度的脈衝光，通過透明電極激勵樣品產生薄層的電子一空穴對。空穴被拉到負電極方向，作薄層運動。設薄層狀況不變，則運動速度為μE。如假定樣品中只有有限的陷阱，且陷阱密度均勻，則電量損失與載流子壽命τ有關，此時下電極上將因載流子運動形成感應電流，且隨時間增加。在t時刻有：
。
在樣品上加適當直流電壓，選側適當脈衝寬度的脈衝光，通過透明電極激勵樣品產生薄層的電子一空穴對。空穴被拉到負電極方向，作薄層運動。設薄層狀況不變，則運動速度為μE。如假定樣品中只有有限的陷阱，且陷阱密度均勻，則電量損失與載流子壽命τ有關，此時下電極上將因載流子運動形成感應電流，且隨時間增加。在t時刻有：
若式中L為樣品厚度電場足夠強，
，且渡越時間
。則，
在
時刻，電壓將產生明顯變化，由實驗可測得，又有
霍爾效應法
霍爾效應法主要適用於較大的無機半導體載流子遷移率的測量。
將一塊通有電流I的半導體薄片置於磁感應強度為B的磁場中，則在垂直於電流和磁場的薄片兩端產生一個正比於電流和磁感應強度的電勢U，這稱為霍爾效應。由於空穴、電子電荷符號相反，霍爾效應可直接區分載流子的導電類型，測量到的電場可以表示為
將一塊通有電流I的半導體薄片置於磁感應強度為B的磁場中，則在垂直於電流和磁場的薄片兩端產生一個正比於電流和磁感應強度的電勢U，這稱為霍爾效應。由於空穴、電子電荷符號相反，霍爾效應可直接區分載流子的導電類型，測量到的電場可以表示為
電壓衰減法
通過監控電暈充電試樣的表面電壓衰減來測量載流子的遷移率。充電試樣存積的電荷從頂面向接地的底電極泄漏，最初向下流動的電荷具有良好的前沿，可以確定通過厚度為L的樣品的時間，進而可確定材料的值。
輻射誘發導電率法
輻射誘發導電率(SIC)法適合於導電機理為空間電荷限制導電性材料。
在此方法中，研究樣品上面一半經受連續的電子束激發輻照，產生穩態SIC，下面一半材料起著注入接觸作用。然後再把此空間電荷限制電流(SCLC)流向下方電極。根據理論分析SCLC電導電流與遷移率的關係為
測量電子束電流、輻照能量和施加電壓函式的信號電流，即可推算出值。
表面波傳輸法
將被測量的半導體薄膜放在有壓電晶體產生的場表面波場範圍內，則與場表面波相聯繫的電場耦合到半導體薄膜中並且驅動載流子沿著聲表面波傳輸方向移動，設定在樣品上兩個分開的電極檢測到聲一電流或電壓，表達式為
式中P為聲功率，L為待測樣品兩極間距離，
為表面聲波速。有此式便可推出值。
外加電場極性反轉法
在極性完全封閉時加外電場，離子將在電極附近聚集呈薄板狀，引起空間電荷效應。當將外電場極性反轉時，載流子將以板狀向另一電極遷移。由於加在載流子薄層前、後沿的電場影響，因而在極性反轉後t時間時，電流達到最大值。t相當於載流子薄層在樣品中行走的時間，結合樣品的厚度、電場等情況，即可確定值。
電流一電壓特性法
本方法主要適用於工作於常溫下的MOSFET反型層載流子遷移率的測量。
對於一般的MOSFET工作於高溫時，漏源電流Ids等於溝道電流Ich與泄漏電流Ir兩者之和，但當其工作於常溫時，泄漏電流Ir急劇減小，近似為零，使得漏源電流Ids即為溝道電流Ich。因此，對於一般的MOSFET反型層載流子遷移率，可以根據測量線性區I—V特性求的。
對於一般的MOSFET工作於高溫時，漏源電流Ids等於溝道電流Ich與泄漏電流Ir兩者之和，但當其工作於常溫時，泄漏電流Ir急劇減小，近似為零，使得漏源電流Ids即為溝道電流Ich。因此，對於一般的MOSFET反型層載流子遷移率，可以根據測量線性區I—V特性求的。
總結
綜上共指出了7種載流子遷移率的測量方法，除此之外，還可採用漂移實驗、分析離子擴散、分析熱釋電流極化電荷瞬態回響等方法進行載流子遷移率的測量。
