超高真空雷射分子束系統是一種用於物理學、信息與系統科學相關工程與技術、自然科學相關工程與技術、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高真空雷射分子束系統
- 產地:中國台灣
- 學科領域:物理學、信息與系統科學相關工程與技術、自然科學相關工程與技術、材料科學
- 啟用日期:2012年12月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
超高真空雷射分子束系統是一種用於物理學、信息與系統科學相關工程與技術、自然科學相關工程與技術、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月1日啟用。
超高真空雷射分子束系統是一種用於物理學、信息與系統科學相關工程與技術、自然科學相關工程與技術、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年12月1日啟用。技術指標1E-8Torr真空/800度加熱。1主要功能氧化物薄膜製備。...
超高真空雷射分子束外延系統 超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月21日啟用。技術指標 RHEED振盪。主要功能 可提供多種氧化物單晶薄膜製備,並實現原位金屬電極沉積。
超高真空分子束外延系統 超高真空分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2017年11月2日啟用。技術指標 500 EBV。主要功能 薄膜生長。
分子束外延設備有很多種。但就其主要結構而論是大同小異的。分子束外延的設備較其他外延技術的設備複雜,要包括超高真空系統努森箱及各種分析儀器。從MBE技術的發展過程看,當初主要是為開發以GaAs為中心的Ⅲ-V族化合物半導體,而後是針對...
分子束外延,就是在超高真空系統中把所需要的結晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結晶材料形成分子束,從爐中噴出後,沉積在溫度保持在幾百度的單晶基片上。如果設定幾個噴射爐,就可以製取多元半導體混晶,又可以同時進行摻雜。由於...
雷射分子束外延成膜系統是一種用於電子與通信技術、物理學領域的工藝試驗儀器,於2011年12月1日啟用。技術指標 極限真空:5.0×10-8 Pa。主要功能 用於生長光學晶體、鐵電體、鐵磁體、超導體和有機化合物薄膜材料。
組合雷射分子束外延系統 組合雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年12月2日啟用。技術指標 功率:5kW, 真空度:1e-9torr,溫度:20-1000℃。主要功能 生長連續梯度組分薄膜。
脈衝雷射分子束外延系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月22日啟用。技術指標 TSST-PLD/PVD複雜氧化物薄膜材料的單層沉積,實現包括金屬,氧化物和半導體材料的多材料,多組分沉積。主要功能 PLMBE是將雷射聚焦於靶材上...
開發包括各類控制器、精密放大器、束源爐、低溫恆溫器等在內的一批核心關鍵部件,並先後主持或核心參與研製搭建了各類真空系統十餘台套,包括掃描探針顯微鏡系統、分子束外延系統、雷射分子束外延系統、原子層沉積系統等。