蝕刻速率(etching rate)是表征固體介質被化學試劑蝕刻快慢的物理量。
基本介紹
- 中文名:蝕刻速率
- 外文名:etching rate
- 所屬學科:化學
- 適用領域:化學化工
蝕刻速率(etching rate)是表征固體介質被化學試劑蝕刻快慢的物理量。
蝕刻速率(etching rate)是表征固體介質被化學試劑蝕刻快慢的物理量。與材料性質、人射帶電粒子性質、化學試劑性質以及溫度等參量有關。...
氣泡留滯於基材上阻止了蝕刻溶液與待蝕刻物表面的接觸,將使得蝕刻速率變慢或停滯,直到氣泡離開基材表面。因此在這種情況下會在溶液中加入一些催化劑增進蝕刻溶液與待蝕刻物表面的接觸,並在蝕刻過程中予於攪動以加速氣泡的脫離。
蝕刻過程中,上下板面的蝕刻速率往往不一致。一般來說,下板面的蝕刻速率高於上板面。因為上板面有溶液的堆積,減弱了蝕刻反應的進行。可以通過調整上下噴嘴的噴啉壓力來解決上下板面蝕刻不均的現象。蝕刻印製板的一個普遍問題是在相同時間...
1) 蝕刻機理: Cu+CuCl₂→Cu₂Cl₂ Cu₂Cl₂+4Cl⁻→2(CuCl₃)2) 影響蝕刻速率的因素:影響蝕刻速率的主要因素是溶液中Cl⁻、Cu⁺、Cu的含量及蝕刻液的溫度等。a、Cl⁻含量的影響:溶液中氯離子濃度與蝕刻速率...
因此,當上方蝕刻速率略微變慢時迅速切換,到達底部時則緩慢切換。通過這種方法,能夠比較快地製作出側壁粗糙度約為10~20nm的垂直且美觀的面。此外,還有一種稱為氫退火的方法。圖2為美國UCLA公司的報告,在10torr、1100℃條件下,...
真空度5.0×10^-5Torr(15分鐘內);蝕刻反應室極限真空:8.0×10^-6Torr;裝載室抽氣速率:真空度5.0×10^-2Torr(5分鐘內);蝕刻速率280nm/min;非均勻性≤±5%。主要功能 進行GaNg,GaAs,InP等材料的蝕刻。
可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑,然後在通道上施加光刻膠來避免這種情況。牆壁,然後添加更多的蝕刻劑。通過添加緩衝液以改變濃度或通過升高/降低溫度,可以容易地控制蝕刻速率。當需要微細加工精確特徵時,各向同性蝕刻並不是理想的...
平行板和電感耦合電漿RIE的組合是可能的。在該系統中,ICP被用作高密度離子源,其增加了蝕刻速率,而單獨的RF偏壓被施加到襯底(矽晶片)以在襯底附近產生定向電場以實現更多的各向異性蝕刻輪廓。操作方法 通過向晶片碟片施加強RF(...
RIE 蝕刻機理如下:(1)材料表面經過離子撞擊後其化學性質發生了一定變化,有較大的濺鍍效果;(2)離子撞擊材料表面引起的晶格損傷會增強材料的蝕刻速率;(3)離子撞擊材料表面,將能量轉移給揮發性產物,使其脫離表面。金屬有機物化學...
氯化銅是鹼式氯化銅蝕刻液和酸式氯化銅蝕刻液的主要成分。鹼性氯化銅蝕刻是金屬化孔印製板製造過程中的一道工序。覆銅箔板在圖形電鍍之後,通過蝕刻加工形成印製電路。氯化銅酸性蝕刻液具有安全穩定、蝕刻速率快等特點,是印刷線路板蝕刻中...
反應性離子刻蝕 (reaction ionetching;RIE)是製作半導體積體電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的積體電路板上的保護膜時,利用反應性氣體的離子束,切斷保護膜物質的化學鍵,使之產生低分子物質,揮發或游離出板面,這樣的方法稱為反應性...
濕式蝕刻的化學反應屬於液相(溶液)與固相(薄膜)的反應。當濕蝕刻進行動作的時候,首先,溶液里的反應物利用擴散效應來通過一層厚度相當薄的邊界層,以達到被蝕刻薄膜的表面。然後,這些反應物於薄膜表面的分子產生化學反應,並生成各種...
製程反應室內的高溫和真空環境可以使這些金屬原子結成晶粒,在經過圖案化(patterned)和蝕刻,得到所需的導電電路。光學顯影是將光罩上的圖形轉換到薄膜上。光學顯影一般包括光阻塗布、烘烤、光照對準、曝光和顯影等步驟。乾式蝕刻是最常用的...
等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的...
通常, 所有暴露在刻蝕劑中的材料都具有一定的刻蝕速率。As some companies make the identification process is used etchant is ferric chloride solution.作為一些企業的標識製作的工藝是,用作蝕刻劑的是三氯化鐵溶液。Resist: coating ...
從而實現孔內銅沉積速率接近銅箔表面銅沉積速率,產生進而產生“孔底上移”的現象。最終達到“全銅填充盲埋孔”的積層法製作超高布線多層IC基板的目標。步聚8所述的差分蝕刻去底銅,採用蝕刻藥水將附樹脂銅皮(RCC)基材上非線路地方的...
氫氟酸也用來蝕刻玻璃,可以雕刻圖案、標註刻度和文字;半導體工業使用它來除去矽表面的氧化物,在煉油廠中它可以用作異丁烷和正丁烯的烷基化反應的催化劑,除去不鏽鋼表面的含氧雜質的“浸酸”過程中也會用到氫氟酸。氫氟酸也用於多種含...