蝕刻速率比。tia of etching rate固體核徑跡探測器中沿徑跡的蝕刻速率與探測器總體的蝕刻速率之比值。
基本介紹
- 中文名：蝕刻速率比
- 外文名：tia of etching rate
是化學蝕刻中的主要參量。
蝕刻速率比。tia of etching rate固體核徑跡探測器中沿徑跡的蝕刻速率與探測器總體的蝕刻速率之比值。
蝕刻速率比。tia of etching rate固體核徑跡探測器中沿徑跡的蝕刻速率與探測器總體的蝕刻速率之比值。是化學蝕刻中的主要參量。...
刻蝕速率通常正比於刻蝕劑的濃度。矽片表面幾何形狀等因素都能影響矽片與矽片之間的刻蝕速率。要刻蝕矽片表面的大面積區域，則會耗盡刻蝕劑濃度使刻蝕速率慢下來；如果刻蝕的面積比較小，則刻蝕就會快些。矽晶圓片製造中通常要求獲得高的刻蝕速率，然而太高的刻蝕速率可能使工藝難以控制。通常需要的刻蝕速率為每分鐘幾百...
儘管每個用戶的刻蝕套用可能不一樣，不同等離子工藝套用的基本效果如下表所示。我們致力於協助客戶獲取最佳的等離子工藝性能。等離子刻蝕工藝 電介質-含氟化學 金屬-含氯化學 註：蝕刻速率及選擇性可以最佳化，提供產出效率。
一般來說，下板面的蝕刻速率高於上板面。因為上板面有溶液的堆積，減弱了蝕刻反應的進行。可以通過調整上下噴嘴的噴啉壓力來解決上下板面蝕刻不均的現象。蝕刻印製板的一個普遍問題是在相同時間裡使全部板面都蝕刻乾淨是很難做到的，板子邊緣比板子中心部位蝕刻的快。採用噴淋系統並使噴嘴擺動是一個有效的措施。更...
蝕刻速率 蝕刻速率（etching rate）是表征固體介質被化學試劑蝕刻快慢的物理量。與材料性質、人射帶電粒子性質、化學試劑性質以及溫度等參量有關。
濕式蝕刻的速率 通常可藉由改變溶液濃度及溫度予以控制。溶液濃度可改變反應物質到達及離開待蝕刻物表面的速率，一般而言，當溶液濃度增加時，蝕刻速率將會提高。而提高溶液溫度可加速化學反應速率，進而加速蝕刻速率。除了溶液的選用外，選擇適用的禁止物質亦是十分重要的，它必須與待蝕刻材料表面有很好的附著性、並能承受...
1) 蝕刻機理： Cu+CuCl₂→Cu₂Cl₂ Cu₂Cl₂+4Cl⁻→2(CuCl₃)2) 影響蝕刻速率的因素：影響蝕刻速率的主要因素是溶液中Cl⁻、Cu⁺、Cu的含量及蝕刻液的溫度等。a、Cl⁻含量的影響：溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有著密切的關係，當鹽酸濃度升高時，蝕刻時間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時間...
在這個過程中，可以控制的參數包括溶液的配比、溫度、反應時間等，但總體而言，濕法工藝的控制能力較差，因為它是一種化學反應，缺乏各向異性，即橫向和縱向的刻蝕速率基本一致。因此，到目前為止，濕法刻蝕通常只在一些非關鍵尺寸的任務中使用，而在關鍵尺寸的任務中，通常採用乾法工藝。乾法刻蝕工藝是採用電漿進行...
存在其他類型的RIE系統，包括電感耦合電漿（ICP）RIE。在這種類型的系統中，利用RF供電的磁場產生電漿。雖然蝕刻輪廓傾向於更加各向同性，但可以實現非常高的電漿密度。平行板和電感耦合電漿RIE的組合是可能的。在該系統中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨的RF偏壓被施加到襯底（矽晶...
隨著積體電路器件尺寸微縮與集成密度的提高，電漿刻蝕工藝也變得越來越重要。電漿刻蝕與光刻工藝共同形成了半導體領域的圖形化工藝模組，推動積體電路領域的工藝發展。衡量電漿刻蝕性能的參數一般包括刻蝕速率、刻蝕選擇比、刻蝕形貌以及特徵尺度及設備尺度的刻蝕均勻性。
等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是乾法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面...
化學氣相沉積是在製造微電子器件時被用來沉積出某種薄膜的技術，這種薄膜可能是介電材料或者半導體。物理氣相沉積技術則是使用惰性氣體，撞擊濺鍍靶材，在晶圓表面沉積出所需的材質。製程反應室內的高溫和真空環境可以使這些金屬原子結成晶粒，在經過圖案化（patterned）和蝕刻，得到所需的導電電路。光學顯影是將光罩上的...
氯化銅是鹼式氯化銅蝕刻液和酸式氯化銅蝕刻液的主要成分。鹼性氯化銅蝕刻是金屬化孔印製板製造過程中的一道工序。覆銅箔板在圖形電鍍之後，通過蝕刻加工形成印製電路。氯化銅酸性蝕刻液具有安全穩定、蝕刻速率快等特點，是印刷線路板蝕刻中廣泛套用的一種蝕刻液。農業領域 氯化銅常用於合成鹼式氯化銅：2CuCl₂+3NaOH→...
與現有的氧化銦錫（ITO）觸控螢幕不同之處在於:氧化銦錫含有稀有金屬“銦”，碳納米管觸控螢幕的原料是甲烷、乙烯、乙炔等碳氫氣體，不受稀有礦產資源的限制；其次，鋪膜方法做出的碳納米管膜具有導電異向性，就像天然內置的圖形，不需要光刻、蝕刻和水洗的製程，節省大量水電的使用，較為環保節能。工程師更開發出利用...
隨後冷凍蝕刻技術顯示雙層膜中存在蛋白質顆粒；免疫螢光技術證明質膜中蛋白質是流動的。據此S.J.Singer等人在1972年提出生物膜的流動鑲嵌模型，結構特徵是：生物膜的骨架是磷脂類雙分子層，蛋白質分子以不同的方式鑲嵌其中，細胞膜的表面還有糖類分子，形成糖脂、糖蛋白；生物膜的內外表面上，脂類和蛋白質的分布不平衡...
反應性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是製作半導體積體電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的積體電路板上的保護膜時，利用反應性氣體的離子束，切斷保護膜物質的化學鍵，使之產生低分子物質，揮發或游離出板面，這樣的方法稱為反應性離子刻蝕。簡介 離子刻蝕是利用高能量惰性氣體離子轟擊被刻蝕物體的表面，達到濺射...
原位(In situ)橢圓偏振指在樣品變化的過程對其進行動態的量測，這過程如薄膜的成長，樣品的蝕刻或清潔等。藉由原位技術，可使取得基本過程隨時間變化之光學特性參數，如成長或蝕刻速率。原位橢圓偏振的量測，需有許多額外的考量：光點要進入處理腔室並打到樣品，比起ex situ在腔室外的測量，更為不易。因此，其機械...
氫氟酸也用來蝕刻玻璃，可以雕刻圖案、標註刻度和文字；半導體工業使用它來除去矽表面的氧化物，在煉油廠中它可以用作異丁烷和正丁烯的烷基化反應的催化劑，除去不鏽鋼表面的含氧雜質的“浸酸”過程中也會用到氫氟酸。氫氟酸也用於多種含氟有機物的合成，比如Teflon（聚四氟乙烯）還有氟利昂一類的致冷劑。氫氟酸和熔融...
接下來的十年中，一些製造廠商開始使用體矽蝕刻技術生產壓力感測器。技術上的突破一直持續到20世紀80年代初，使用新型多晶矽表面微加工技術來製造用於磁碟驅動磁頭的驅動器。到了80年代後期，MEMS器件的潛力被認可，開始廣泛套用於微電子和生物醫藥工業領域。25年中，MEMS已經從技術好奇心的領域來到了充滿商業潛力的世界。M...
晶圓光刻顯影、蝕刻 光刻工藝的基本流程如圖1所示。首先是在晶圓（或襯底）表面塗上一層光刻膠並烘乾。烘乾後的晶圓被傳送到光刻機裡面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實現曝光，激發光化學反應。對曝光後的晶圓進行第二次烘烤，即所謂的曝光後烘烤，後烘烤使得光化學反應更充分。最後...
三氟化氮是微電子工業中一種優良的等離子蝕刻氣體。對矽和氮化矽的蝕刻，採用NF₃和CF₄＋O₂的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性，而且對表面無污染。氫與NF₃反應，在瞬間伴隨放出大量的熱，這就是NF₃在高能化學雷射器方面大量套用的原理。在高溫下，NF₃與有機化合物反應常伴有爆炸性，操作時應...
MDX 系列1 kW 和1.5 kW 電源在真空環境中經久耐用，其小巧的尺寸使其成為實驗室系統的理想解決方案。它們最常用作直流磁控濺射電源；在該領域，二者精密的調節性能、一流的滅弧功能和較低的存儲輸出能量使之成為業界領先產品。它們還在射頻濺射和蝕刻系統中被用作精密調節的偏壓電源。E'Wave 雙極脈衝直流電系列 Ad...
使通信晶片實現微型化的另一種有效的途徑，是在半導體通信晶片製造工藝中採用更先進的光刻技術，科學家們讓光透過掩膜形成一個影像，利用透鏡使這個影像縮小，並且巧妙地利用這種投影光，把晶片電路的輪廓投射到塗有一層矽的光刻膠上面，通過對透鏡的改進，縮短光的波長，並且改進光阻材料，就可以把晶片電路蝕刻得更加...
在盤基上澆鑄了一個螺旋狀的物理磁軌，從光碟的內部一直螺旋到最外圈，磁軌內部排列著一個個蝕刻的“凹陷”，由這些“凹坑”和“平地”構成了存儲的數據信息。由於讀光碟的雷射會穿過塑膠層，因此需要在其上面覆蓋一層金屬反射層（通常為鋁合金）使它可以反射光，然後再在鋁合金層上覆蓋一層丙烯酸的保護層。需要...
微波法：適當的微波處理可以去除硅藻土中部分雜質和水分，增加其孔隙，增大其比表面積，提高其吸附效果。酸改性：酸改性主要是通過強酸的蝕刻作用去除硅藻土顆粒表面的雜質，提高硅藻土的純度,同時降低其密度，增大其孔容與比表面積，明顯改善硅藻土孔隙結構，進而提高其吸附性能。無機改性 硅藻土無機改性主要是通過加入無機...
能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業部署的需求。2023年6月，東京電子（TEL）宣布，已開發出一種用於存儲晶片的通孔蝕刻技術，可用於製造 400 層以上堆疊的 3D NAND 快閃記憶體晶片。TEL表示，該技術首次將電蝕刻套用帶入到低溫範圍中，並創造性地發明了具有極高蝕刻速率的系統。
更重要的是在電腦晶片中的蝕刻運用，讓網路時代成為現實。高溫電漿只有在溫度足夠高時發生的。恆星不斷地發出這種電漿，組成了宇宙的99%。低溫電漿是在常溫下發生的電漿（雖然電子的溫度很高）。低溫電漿可以被用於氧化、變性等表面處理或者在有機物和無機物上進行沉澱塗層處理。電漿（Plasma）是...
光子器件具有三維結構，比二維結構的半導體集成要複雜得多。將雷射器、檢測器、調製器和其他器件都集成到晶片中，這些集成需要在不同材料（包括砷化銦鎵、磷化銦等材料）多個薄膜介質層上重複地沉積和蝕刻。磷化銦晶片在生產線上經過一種稱為光刻膠的漿狀化學物質進行包裹。紫外線光通過一個鏤空設計的模板照射到光刻...
Ø 用於超級電容器、鋰一次電池（鋰亞、鋰錳、鋰鐵、扣式等）替代蝕刻鋁箔 三、對電池/電容的性能作用 Ø 抑制電池極化，減少熱效應，提高倍率性能；Ø 降低電池內阻，並明顯降低了循環過程的動態內阻增幅；Ø 提高一致性，增加電池的循環壽命；Ø 提高活性物質與集流體的粘附力，降低極片製造成本；Ø ...