自旋極化率是指在一定條件下讓電子、原子核等帶電粒子的自旋方向都朝向某一個特定的方向排列,從而產生磁性的幾率。
基本介紹
- 中文名:自旋極化率
- 外文名:spin polarization
- 套用:非相對論量子力學
- 相關:自旋極化
自旋極化率是指在一定條件下讓電子、原子核等帶電粒子的自旋方向都朝向某一個特定的方向排列,從而產生磁性的幾率。
自旋極化率是指在一定條件下讓電子、原子核等帶電粒子的自旋方向都朝向某一個特定的方向排列,從而產生磁性的幾率。...
當電流流經鐵磁金屬時形成自旋極化電流,這意味著,當電流從金屬(FM)層通過歐姆接觸的界面流進順磁金屬(PM)時也是自旋極化的,這個過程稱為“自旋積累”。...
自旋檢測是指檢測元件內部自旋極化現象,確定電子的自旋極化率。自旋檢測有光學和電學檢測兩種方法。光學檢測方法是比較成熟的,也取得了很大的進展。電學檢測半導體內...
自旋極化場效應電晶體(Spin-FET)也叫自旋場效應電晶體, 又叫為自旋極化半導體場效應電晶體,這是一種半導體自旋電子器件。...
自旋極化場效應管運行的基本要求是從鐵磁金屬到半導體必須有較高的自旋注入效率。然而,由於半導體的電導率遠小於鐵磁體,所以實驗上很難實現從鐵磁到半導體的高自旋...
自旋場效應電晶體(Spin-FET), 也稱為自旋偏振(極化)半導體場效應電晶體,這是一種半導體自旋電子器件。...
由於半導體表面是重摻雜,導致了自旋反轉的散射和自旋極化率的下降。因此歐姆注入法這種方法的自旋注入率很低。研究表明:用歐姆注入法最好的報導為4.5%的自旋極化注入...
解決以上問題都依賴於對自旋弛豫時間、自旋擴散長度的探測,自旋磁性材料的自旋極化率的表征和對自旋弛豫機理的解釋。因而基礎試驗和套用試驗的進展依賴於自旋探測手段的...
自旋相關隧穿,也就是自旋相關的電子隧穿,電子隧穿的機率和自旋極化率的大小都受到磁場的影響。自旋相關隧穿原理這是電子自旋相關隧穿的原理分析。...
很寬的半金屬能隙意味著可能在較高溫度下得到高自旋極化率,這已被德國Kübler教授的最新計算所證明:相對總能低並且結構穩定性好,使得足夠厚度(約5至50個單胞層)...
自旋流檢測也叫自旋檢測是指檢測元件內部自旋極化現象,確定電子的自旋極化率。自旋檢測有光學和電學檢測兩種方法。光學檢測方法是比較成熟的,也取得了很大的進展。電學...
自旋極化半導體場效應電晶體也叫自旋場效應電晶體, 又叫為自旋極化場效應電晶體,這是一種半導體自旋電子器件。...
(1)研製了具有獨立自主智慧財產權的ZnCoO等6種高含量過渡金屬元素的氧化物磁性半導體,發現這類新材料具有高居里點、高自旋極化率、巨磁光克爾效應等優良物理特性,有...
分別為兩金屬層的自旋極化率。磁隧道結效應展望 編輯 由於MTJs中兩鐵磁層間不存在或基本不存在層間耦合,只需要一個很小的外磁場即可將其中一個鐵磁層的磁化方向...
唐曉莉,博士,教授,長期致力於自旋電子學中磁性存儲相關機理、新材料與器件設計的研究。在高性能巨磁電阻單元的設計、製備、材料最佳化,新型大自旋極化率材料開發,自旋...
這說明自旋下的電子表現為半導體性質,而自旋向上的電子表現為金屬性。他們稱這種材料為半金屬材料。這類材料不僅具有很高的自旋極化率,居里溫度也能夠達到甚至超過室溫...
新型高自旋極化率材料探索研究新型多鐵性材料探索研究室溫低場磁電阻(熱)材料研究高自旋極化薄膜及異質結材料研究TMO中量子有序現象光誘導效應研究磁性複合材料研究...
O複合磁性隧道結研究方面獲得了4.2K隧穿磁電阻分別超過100%和3000%的重要進展,從隧道結器件層次上印證了非晶合金Co-Fe-B的高自旋極化率和La-Sr-Mn-O半金屬...
即在費米能級處, 自旋向上的電子態密度沒有帶隙, 而自旋向下的電子存在帶隙. 這就導致了在費米能級處, 自旋極化率為1.這一性質在實際中有很好的套用....
找到了一個用電導譜來直接測量鐵磁半導體的自旋極化率的方法,但該電導譜對界面處的勢散射強度和能量的依賴關係很微弱[ Phys. Rev. B 72, 165329 (2005)]。...
1.“高自旋極化率鈷基全Heusler合金薄膜材料的低溫有序化轉變研究”,國家自然科學基金面上項目(批准號11174031),經費75萬元,起止年月為2012年1月至2015年12月; ...
因此,隧穿磁阻效應的大小與自旋極化率密切相關。[1] 磁隨機訪問存儲器寫入方式 編輯 寫入操作通過磁隧道結中自由層的磁化翻轉來實現。早期的MRAM直接採用磁場寫入...