胡經國

胡經國,教授,博士,揚州大學碩士生導師。

基本介紹

  • 中文名:胡經國
  • 國籍:中國
  • 職業:教師
  • 畢業院校蘇州大學
  • 主要成就:2007年揚州大學課堂教學質量一等獎
  • 職稱:教授
  • 學位:博士
個人簡介,研究領域,課題研究,

個人簡介

1983.9 -1987.6蘇州大學物理系物理學專業獲理學學士; 1987.8 -1989.7蘇州大學物理系理論物理專業碩士研究生;1999.8-2002.6南京大學物理系獲理論物理專業博士學位;2005.4 -2006.5澳大利亞西澳大學物理學院訪問學者。1989.7 -1998.8揚州大學工學院助教、講師;1998.9-至今 揚州大學副教授、教授。2002年揚州大學優秀青年骨幹教師;2006年揚州大學新世紀學術帶頭人;2007年揚州大學課堂教學質量一等獎。先後在PRB, APL等國內外著名學術期刊上發表SCI收錄論文三十餘篇,近期主持完成了國家理論物理專款項目“磁性多層膜交換藕合及其相關物理效應”和主要參加了國家973第二課題“自旋閥及相關電子材料的機制及套用研究”子項目等。

研究領域

目前主要研究領域:  1)磁性多層膜中的磁電、磁光性質特徵及其套用研究;
2)複雜系統中的統計物理學及其模擬研究。
已有的研究工作:
①受限磁性薄膜中的自旋波激發特徵
通過對金屬鐵磁磁條的平行磁矩傳播非穩定閾值極限性質的研究,得到了邊界、界面受限制的系統中磁激發的量子化可導致多個截止微波磁場極限值的出現。並且,隨著磁條寬度的增加,其極限值發生不連續的變化。但其靜磁相互作用使得在極限曲線扭結處出現了第二精細結構。這個效應可以被用來精確測量圖紋磁材料中的微波損耗並和相關的實驗進行了比較[Phys. Rev. B 76, 054422 (2007)]。
②鐵磁半導體/超導/鐵磁半導體多層膜中的隧穿電流
擴展了Blonder- Tinkham-Klapwijk方法,考慮Andreev反射、磁性半導體和超導之間的有效質量和費米速度的不匹配以及界面處的勢散射等因數,研究了鐵磁半導體/超導/鐵磁半導體中的相干自旋極化輸運。發現這些因數對反射率、透射率和微分電導隨能量的變化所出現的振盪有各自不一樣的影響,這遠遠不同於鐵磁/超導/鐵磁雙隧道結的情況。找到了一個用電導譜來直接測量鐵磁半導體的自旋極化率的方法,但該電導譜對界面處的勢散射強度和能量的依賴關係很微弱[ Phys. Rev. B 72, 165329 (2005)]。
③鐵磁/反鐵磁雙層膜中的交換交換偏置場、矯頑場
用微磁學理論,具體地討論了反鐵磁層顆粒膜顆粒粒徑大小、分布以及初態磁異性取向等對交換偏置場、矯頑場的溫度依賴性的影響,比較好地解釋了在鐵磁層的居里溫度高於反鐵磁層的奈爾溫度下其交換偏置場、矯頑場對溫度的依賴均存在極值的實驗現象。並弄清了相關機理,為在實驗上製備高性能的穩定的鐵磁和反鐵磁雙層膜提供翔實可靠的理論指導[Eur. Phys. J. B 40, 265 (2004)]。

課題研究

1)受限的鐵磁/反鐵磁雙層膜中的磁疇動力學行為與其磁化特性,國家自然資金面上項目(編號:10974170,32萬,2010.01-2012.12,負責人);
2)極端天氣氣候事件的檢測和可預測性關鍵技術研究,國家科技部科技支撐計畫項目(編號:2007BAC29B01,100萬,2008.01-2011.12,負責人);
3)磁性多層膜中的磁電性質,教育部國際合作與交流司(編號20071108,2+2萬元,2007.6 -2010.6,負責人)

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