緩變結(progressive junction)是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名:緩變結
- 外文名:progressive junction
- 所屬學科:電氣工程
- 公布時間:1998年
緩變結(progressive junction)是1998年公布的電氣工程名詞。
緩變結(progressive junction)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電氣工程名詞》第一版。1...
緩變pn結(gradedp-njunction) 從p區到n區摻雜濃度逐漸改變的pn結,如用固態擴散工藝製造的pn結。大多數緩變pn結數學上可作為線性緩變結處理。通常由擴散工藝製備的pn結為緩變pn結,但在淺擴散結或高反偏時它更接近於單邊突變pn結。在實際器件中,摻雜分布是不會突變的,尤其在冶金結附近,兩種雜質相遇並相互...
緩變溝道近似是分析長溝道場效應電晶體伏安特性的一種近似模型。緩變溝道近似,Gradual channel approximation(GCA)GCA是用來分析長溝道場效應電晶體伏安特性的一種近似模型。對於JFET,GCA即是:①認為在柵結勢壘中主要是垂直溝道(x方向)的電場E(x)的作用, 而沿著溝道方向(y方向)的電場E(y)很弱,即有E(x)...
PN結有突變結和緩變結,現考慮突變結情況,PN結相當於平板電容器,雖然外加電場會使勢壘區變寬或變窄 但這個變化比較小可以忽略,則 ,已知動態平衡下阻擋層的寬度L0,代入上式可得: 。 擴散電容示意圖擴散電容 [2]:PN結正嚮導電時,多子擴散到對方區域後,在PN結邊界上積累,並有一定的濃度分布。積累的電荷量隨外加電...
1 突變結 2 線性緩變結 3 耗盡層近似討論 第4節 PN結勢壘電容 1 突變結勢壘電容 2 線性緩變結勢壘電容 第5節 PN結直流特性 1 PN結非平衡載流子注入 2 PN結反向抽取 3 準費米能級和載流子濃度 4 直流電流電壓方程 5 影響PN結直流特性的其他因素 6 溫度對PN結電流電壓的影響 第6節 PN結小信號交流特性與開關...
(1)對單邊突變的p+-n結,其勢壘電容C與電壓V之間的關係可表示為:1/C2 = 2( Vbi –V)/(qεNdA2 ),則可通過測量1/C2~V關係曲線的斜率和截距來求得n型一邊的摻雜濃度Nd和結的內建電勢Vbi 。對線性緩變結, 也可以通過測量1/C3~V關係曲線來求得Nd和Vbi 。對於一般的p-n結或者金屬-半導體接觸,...
2.3.1 突變結空間電荷區的電場和寬度 (77)2.3.2 緩變結空間電荷區的電場和寬度 (81)2.4 PN結的擊穿特性 (84)2.4.1 擊穿機理 (84)2.4.2 雪崩擊穿電壓 (86)2.4.3 影響雪崩擊穿電壓的因素 (91)2.5 PN結的電容效應 (95)2.5.1 PN結的勢壘電容 (95)2.5.2 PN結的擴散電容 (...
2.1.4線性緩變結 2.1.5耗盡近似和中性近似的適用性[1]2.2PN結的直流電流電壓方程 2.2.1外加電壓時載流子的運動情況 2.2.2勢壘區兩旁載流子濃度的玻耳茲曼分布 2.2.3擴散電流 2.2.4勢壘區產生複合電流[2,3]2.2.5正嚮導通電壓 2.2.6薄基區二極體 2.3準費米能級與大注入效應 2.3.1自由能與費...
這就是BJT共基極組態的擊穿電壓,即發射結開路時、基極與集電極之間所能承受的最高反向電壓,實際上也就是集電結的擊穿電壓。這時反偏集電結的情況與單個p-n結的差不多,在雪崩擊穿機理起決定作用的情況下,因此也可以採用單邊突變結或者線性緩變結的關係來確定該擊穿電壓。對於合金電晶體,集電結可很好的近似為...
這種電晶體的發射結是合金結,集電結是擴散結,其管芯結構和雜質分布如圖2 所示。由圖2可見,發射結為突變結,集電結為緩變結,基區雜質分布有一定的梯度,故稱梯度基區電晶體或緩變基區電晶體。合金擴散電晶體具有較好的高頻特性,可用於高速開關、高頻放大等場合。合金擴散電晶體一般是用鍺製造的。
梯度摻雜納米晶碳化矽/晶體碳化矽雙緩變結的反向軟恢復特性,國家自然科學基金面上項目(No. 61274006,2013.01—2016.12,82.0 萬元,主持);信息與通信實驗教學平台, 中央財政支持地方高校發展專項資金(2013.06—2015.06,100.0 萬元,主持);取得成就 指導學生獲獎 華星團隊(吳曉華、曲金星)獲得“兆易創新杯”第...
這時,穿通電壓可以根據集電結近似為單邊突變結、還是近似為線性緩變結,並由耗盡層厚度來進行估算。顯然,對於基區摻雜濃度較低於集電區的合金電晶體和基區寬度較小的各種電晶體,在較高集電結電壓時容易發生的是基區穿通而非集電結雪崩擊穿。外延層穿通 對於n-p-n/n+雙擴散Si外延平面電晶體,由於基區摻雜...
6.3.2 突變結的勢壘電容 6.3.3 線性緩變結的勢壘電容 6.3.4 擴散電容 6.4 pn結擊穿 [1,2,8,9]6.4.1 雪崩擊穿 6.4.2 隧道擊穿(齊納擊穿) [10]6.4.3 熱電擊穿 6.5 pn結隧道效應 [1,10]參考資料 第7章 金屬和半導體的接觸 7.1 金屬半導體接觸及其能級圖 7.1.1 金屬和半導體的功函式...
311突變結82 312緩變結87 32pn結的IV特性90 33pn結的阻斷特性和擊穿97 331阻斷電流97 332雪崩倍增和擊穿電壓100 333寬禁帶半導體的阻斷能力108 34發射區的注入效率109 35pn結的電容115 參考文獻117 功率半導體器件——原理、特性和可靠性(原書第2版)目錄第4章功率...
5.5.4 p-n結電容 149 5.5.5 變容二極體 152 5.6 對二極體簡單理論的修正 153 5.6.1 接觸電勢對載流子注入的影響 154 5.6.2 空間電荷區內載流子的產生和複合 155 5.6.3 歐姆損耗 157 5.6.4 緩變結 159 5.7 金屬-半導體結 160 5.7.1 肖特基勢壘 160 5.7.2 ...
變容二極體嚴格依照 PN 結的密度含量大小來進行部署,基本上分成線性緩變結,突變結還有超突變結,後兩者基於電調諧之類的系統線路裡面得到普及廣泛的使用和推廣。切的結型二極體的物理方面的原理都存在相同的性質,這就是:具備一個PIN 結,一個展開系統監控的外延層與非常低的電阻基底,大致上PIN 平台架,在這裡面...
5.5.5 變容二極體 147 5.6 簡單理論的修正 147 5.6.1 接觸電勢對載流子注入的影響 148 5.6.2 耗盡層中載流子的複合和產生 149 5.6.3 歐姆損耗 151 5.6.4 緩變結 152 5.7 金屬半導體結 153 5.7.1 肖特基勢壘 154 5.7.2 整流接觸 155 5.7.3 歐姆接觸 156 5.7.4 典型...
5.3.3 單邊突變結 5.4 金屬-半導體接觸——整流結 5.4.1 肖特基勢壘結 5.4.2 反偏肖特基結 5.5 正偏結簡介 5.5.1 pn結 5.5.2 肖特基勢壘結 5.5.3 肖特基二極體和pn結二極體的比較 Σ5.6金屬-半導體的歐姆接觸 Σ5.7非均勻摻雜pn結 5.7.1 線性緩變結 5.7.2 超突變結 Σ5.8器件製備技術...
5.1.1結的相關術語/理想雜質分布 5.1.2泊松方程 5.1.3定性解 5.1.4內建電勢(Vbi)5.1.5耗盡近似 5.2定量的靜電關係式 5.2.1假設和定義 5.2.2VA=0條件下的突變結 5.2.3VA≠0條件下的突變結 5.2.4結果分析 5.2.5線性緩變結 5.3小結 習題 第6章pn結二極體:I-V特性 6.1理想二極體...
3.5 線性緩變結二極體 3.6 邊緣終端 3.6.1 平面結終端 3.6.2 帶浮空場環的平面結 3.6.3 帶多重浮空場環的平面結 3.6.4 帶場板的平面結 3.6.5 帶場板與場環的平面結 3.6.6 斜角邊緣終端 3.6.7 腐蝕終端 3.6.8 結終端擴展 3.7 基極開路電晶體擊穿 3.7.1 複合斜角終端 3.7.2 雙...
7.3.2 突變結的勢壘電容201 7.3.3 線性緩變結勢壘電容204 7.3.4 擴散電容206 7.4 pn結的擊穿特性207 7.4.1 雪崩擊穿207 7.4.2 隧道擊穿210 7.4.3 熱電擊穿216 7.5 金屬-半導體接觸與能帶圖216 7.5.1 金屬和半導體的功函式216 7.5.2 接觸電勢差218 7.5.3 表面態對接觸勢壘的影響220 7....