微電子器件（第3版）

內容簡介

本書首先介紹半導體器件基本方程。在此基礎上，全面系統地介紹PN結二極體、雙極結型電晶體（BJT）和絕緣柵場效應電晶體（MOSFET）的基本結構、基本原理、工作特性和SPICE模型。本書還介紹了主要包括HEMT和HBT的異質結器件。書中提供大量習題，便於讀者鞏固及加深對所學知識的理解。

圖書目錄

第1章半導體器件基本方程

1.1半導體器件基本方程的形式

1.2基本方程的簡化與套用舉例

本章參考文獻

第2章PN結

2.1PN結的平衡狀態

2.1.1空間電荷區的形成

2.1.2內建電場、內建電勢與耗盡區寬度

2.1.3能帶圖

2.1.4線性緩變結

2.1.5耗盡近似和中性近似的適用性[1]

2.2PN結的直流電流電壓方程

2.2.1外加電壓時載流子的運動情況

2.2.2勢壘區兩旁載流子濃度的玻耳茲曼分布

2.2.3擴散電流

2.2.4勢壘區產生複合電流[2，3]

2.2.5正嚮導通電壓

2.2.6薄基區二極體

2.3準費米能級與大注入效應

2.3.1自由能與費米能級

2.3.2準費米能級

2.3.3大注入效應

2.4PN結的擊穿

2.4.1碰撞電離率和雪崩倍增因子

2.4.2雪崩擊穿

2.4.3齊納擊穿

2.4.4熱擊穿

2.5PN結的勢壘電容

2.5.1勢壘電容的定義

2.5.2突變結的勢壘電容

2.5.3線性緩變結的勢壘電容

2.5.4實際擴散結的勢壘電容

2.6PN結的交流小信號特性與擴散電容

2.6.1交流小信號下的擴散電流

2.6.2交流導納與擴散電容

2.6.3二極體的交流小信號等效電路

2.7PN結的開關特性

2.7.1PN結的直流開關特性

2.7.2PN結的瞬態開關特性

2.7.3反向恢復過程

2.7.4存儲時間與下降時間

2.8SPICE中的二極體模型

習題二

本章參考文獻

第3章雙極結型電晶體

3.1雙極結型電晶體基礎

3.1.1雙極結型電晶體的結構

3.1.2偏壓與工作狀態

3.1.3少子濃度分布與能帶圖

3.1.4電晶體的放大作用

3.2均勻基區電晶體的電流放大係數[1～11]

3.2.1基區輸運係數

3.2.2基區渡越時間

3.2.3發射結注入效率

3.2.4電流放大係數

3.3緩變基區電晶體的電流放大係數

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