基區輸運係數

基區輸運係數表征了從發射結髮射的多子電流傳輸到集電結的效率大小。

雙極型電晶體基區輸運係數表征了從發射結髮射的多子電流傳輸到集電結的效率大小。

以NPN管為例，基區輸運係數為集電區電子電流與發射區電子電流之比，表達式為

β0*=Inc/Ine

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補充說明：

對於BJT，共基極直流短路電流放大係數就等於發射結注射效率與基區輸運係數的乘積。所以基區輸運係數直接關係到電晶體的放大性能。

基區輸運係數表示了少數載流子在渡越基區過程中因複合而損失的載流子的份量；基區輸運係數越大即損失越小，不損失時的基區輸運係數最大，等於1。基區輸運係數與基區寬度直接有關，基區寬度越小，基區輸運係數就越大。對於小尺寸、極薄基區的電晶體，往往可以認為基區輸運係數=1，這時電晶體的放大係數就簡單地等於發射極注射效率。

基區輸運係數也與半導體基區表面上的雜質和缺陷有很大關係。因為這將形成大量的複合中心，大大增強表面複合，從而將降低基區輸運係數。所以電晶體的表面處理與鈍化工藝很是重要。