《半導體器件物理I》，西安電子科技大學提供的慕課課程，授課老師是游海龍。
基本介紹
- 中文名：半導體器件物理I
- 提供院校：西安電子科技大學
- 類別：慕課
- 授課老師：游海龍
課程大綱,參考教材,
課程大綱
01
pn結
課時
第一講
1-1 平衡pn結定性分析
1.pn結的形成和雜質分布
2.平衡pn結物理過程分析
3.平衡pn結的特點
1-2 平衡pn結定量分析
4.平衡pn結能帶圖的繪製與內建電勢Vbi
5.突變pn結勢壘區電場定量分析
6.突變pn結勢壘區電位定量分析
7.突變pn結勢壘區寬度定量分析
第二講
1-3 理想pn結直流伏安特性
8.理性pn結直流伏安特性分析思路
9.求解理想pn結直流特性的數學模型
10.理想pn結直流特性方程
11.pn結單嚮導電性分析
12.pn結單嚮導電性的物理解釋
13.理想pn結直流特性進一步分析
1-4 實際pn結I-V特性與理想模型的偏離
14.勢壘產生對反向電流的影響
15.勢壘複合對正向小電流的影響
16.大注入和串聯電阻對正向大電流的影響
第三講
1-5 pn結擊穿
17.雪崩擊穿條件
18.雪崩擊穿電壓
19.pn結隧道擊穿
20.提高擊穿電壓的途徑
1-6 pn結交流小信號特性
21.理想pn結交流小信號數學模型
22.理想pn結交流小信號特性
23.pn結小信號電導
24. pn結擴散電容
25. pn結勢壘電容
第四講
1-7 pn結瞬態特性
26. pn結存儲時間
27. pn結斷開時間
1-8 pn結模型和模型參數
28. pn結模型
29. pn結電流源模型解讀
30..pn結基本模型參數
31..pn結交流小信號模型
02
BJT直流 放大特性
課時
第五講
2-1 BJT直流放大原理定性分析
32.平面工藝IC中的BJT
33.BJT電流傳輸過程
34.BJT共基極電流放大係數
35.BJT共射極電流放大係數
2-2 理想BJT直流電流放大係數定量分析
36. BJT直流分析數學模型
37.BJT直流數學模型求解
38..注入效率-.基區輸運係數-電流放大係數
39.電流放大係數簡便分析方法
40.緩變基區BJT的基區自建電場
41.緩變基區BJT的電流放大係數
42.實際BJT電流放大係數討論
第六講
2-3 影響BJT直流電流放大係數的非理想因素
43.偏置電流對放大係數的影響
44.基區寬邊效應與發射區帶隙變窄效應
03
BJT頻率 特性
課時
第七講
3-1 BJT頻率特性參數
45.BJT頻率參數
3-2 共基極α頻率特性定量分析β
46. BE結勢壘電容充放電時常數
47.基區渡越時間
48.BC結勢壘渡越時間
49.BC結勢壘電容Cjc充放電時常數
第八講
3-3 共射極電流放大係數β與特徵頻率
50.Alpha和Beta截止頻率
51.特徵頻率
04
BJT功率 特性
課時
第九講
4-1 基區電阻
52.基區電阻
4-2 功率BJT的交叉梳狀版圖設計
53.發射極電流集邊效應
54.功率電晶體交叉梳狀版圖設計
第十講
4-3 BJT的擊穿電壓與外延層參數的確定
55.C-E擊穿電壓
56.基區穿通
57.外延結構BJT
58.外延層穿通與外延層參數設計
4-4 BJT最大功耗、二次擊穿與安全工作區
59.BJT熱阻與最大功耗
60.二次擊穿與安全工作區
05
BJT開關 特性
課時
第十一講
5-1 BJT的開關作用
61.BJT開關作用
62.兩種穩定狀態下基區少子分布
5-2 BJT的開關過程分析
63.斷開到導通過程分析
64.導通到斷開的過程分析
5-3 BJT的開關參數
65.開關參數
66.提高開關速度的途徑
06
BJT模型 和BJT版圖
課時
第十二講
6-1 E-M模型
67.EM1模型
68.EM2模型
69.EM3模型
6-2 BJT版圖
70.分立與集成BJT器件結構
71.積體電路中的BJT版圖
Donald A.Neamen 著，趙毅強 姚素英，解曉東譯，《半導體物理與器件》（第4版），電子工業出版社
