《納米碳管場發射特性和機理的研究》是依託北京大學,由張耿民擔任負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:納米碳管場發射特性和機理的研究
- 項目負責人:張耿民
- 項目類別:面上項目
- 依託單位:北京大學
- 負責人職稱:教授
- 申請代碼:F0122
- 研究期限:2002-01-01 至 2004-12-31
- 批准號:60171025
- 支持經費:20(萬元)
《納米碳管場發射特性和機理的研究》是依託北京大學,由張耿民擔任負責人的面上項目。
《納米碳管場發射特性和機理的研究》是依託北京大學,由張耿民擔任負責人的面上項目。項目摘要第一,發展出一種較為可靠的將納米碳管附著在金屬尖端的方法。第二,排除雜質的干擾,研究來自潔淨納米碳管中的場發射電流。第三,研究納米碳...
《碳納米管電子傳輸和場發射特性及其套用的關鍵技術》是依託西安交通大學,由朱長純擔任項目負責人的重點項目。中文摘要 研究碳納米管場發射器件中電子傳輸和發射特性及其機理,碳納米管結構參數、物理參數及襯底材料對電子傳輸和發射特性的影響;適用於作場發射平板顯示器(FED)阻極的碳納米管的製備技術,包括碳...
本書在參閱國內外大量有關科技文獻和資料的基礎上,認真總結國內外新科研進展,並融入編著者多年科研工作的成果,全面介紹了碳納米管所涉及的基本概念、基本理論和原理,詳細敘述了碳納米管的製備方法、生長機理、微觀結構以及碳納米管的電學性質、力學性質、場發射特性、電化學特性及其在相關領域中的套用。本書適合從事...
《基於碳納米管場發射的納機電力感測技術研究》是依託清華大學,由葉雄英擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 碳納米管有許多獨特的優良特性,良好的場發射特性是其重要特性之一。利用碳納米管場發射效應製作顯示器、電子源等研究已有大進展,而利用其研製感測器還是空白。本課題的目標是研究基於碳納米管的納機電(NEMS...
《新型碳錐-納米管針尖的製備與場發射特性研究》是依託北京大學,由張耿民擔任負責人的面上項目。項目摘要 針尖技術是一門涉及顯微學、陰極電子學和圖像顯示學的十分重要的套用技術。本項目研究由我們研製的高溫快熱CVD法在石墨襯底上直接生長出的碳納米管為芯、碳錐為裙的複合結構,研究以此複合結構為場發射體的新型...
《基於碳納米管植布工藝的場發射陰極製備技術研究》是依託上海交通大學,由丁桂甫擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 碳納米管作為性能優異的新型場發射冷陰極材料業已引起學術界和產業界的高度重視和廣泛研究,其中,碳管場發射陰極製備技術一直是科研攻關的重點,但是現有的絲網印刷和直接生長工藝存在一系列制約器件批量...
《納米碳管物理性能及其在圖象顯示技術中的套用研究》是依託北京大學,由俞大鵬擔任負責人的面上項目。項目摘要 利用化學方法,實現了納米碳管99%的提純和分離;利用濕法鍍膜法,獲得了納米量級的島狀膜,並在上面製備成功取向高度一致的取向薄膜;利用純化的單層納米碳管,研究了其場發射特性,在很低的閾值電壓下...
《電磁場對金屬化碳納米管陰極的調控及場發射性能研究》是依託福州大學,由葉芸擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 碳納米管場發射顯示器為次世代顯示器的新興領域。然而,碳納米管在基底電極上的分布和取向各異,及場發射時電子在碳納米管和基底電極間的傳輸方式複雜,導致場發射不均勻或者不穩定,成為制...
第4章 印刷碳納米管薄膜場發射過程中的電子輸運 4.1 金屬自由電子氣體模型 4.2 金屬的表面勢壘和逸出功 4.3 場致發射現象及其基本規律 4.3.1 場致電子發射現象 4.3.2 場致電子發射的Fowler-Nordheim理論 4.3.3 場發射冷陰極的套用研究 4.3.4 關於CNT薄膜場發射特性的討論 4.4 印刷CNT薄膜的...
設計特殊結構的聚合物分子並用化學方法合成,再用一定的物理方法如雷射、熱、電漿等處理聚合物,並以其為基石進行各種形態的碳薄膜材料包括單晶、多晶、納米晶、碳管、碳纖維等的合成。在材料的設計、結構、性能、合成機理及場發射特性等方面展開系統深入的研究。並將此概念和方法進一步拓展到其它納米材料如碳化矽等...
《利用取向納米碳管制備場發射型平面顯示器的研究》是依託北京大學,由俞大鵬擔任負責人的面上項目。項目摘要 本項目從納米碳管場發射物理機理研究著手,以製備納米碳管取向薄膜,尤其是單層納米碳管取向薄膜為中心,並以納米碳管作為平面圖像顯示螢幕套用為最終目標,在各種襯底上生長出高密度、高度石墨化的納米碳管...
3.1.2 生長機理 71 3.1.3 可控制備的研究進展 73 3.2 碳納米管的結構表征 83 3.2.1 形貌 83 3.2.2 導電屬性 86 3.2.3 手性 87 3.3 碳納米管器件製備 88 3.3.1 光刻工藝 88 3.3.2 印刷製備 93 3.3.3 其他技術 98 參考文獻 101 第4章 碳納米管電子器件 111 4.1 碳納米管場發射...
CNT是1991年由日本的Iijima發現的。1995年,瑞典的Heer發現了CNT的場發射特性。隨後,對CNT的生長機理、結構、特性進行了大量研究。1998年研製出了第一隻具有CNT場發射體的試驗性器件。CNT分為單壁和多壁兩種,多壁更適合FED。由於CNT尺寸很小,因此在CNT管的端部,電場非常集中,能夠產生場發射。與其他陰極相比,...
平板場致發射顯示屏具有無陰極功耗、無預熱延遲、可高度集成化、發射電流密度大、體積小和電壓低等優點,這些優點使得它可能成為一代性能優良的顯示器件,將具有良好的前景。同時場致發射還可套用於微波器件和感測器等方面,因此場致發射技術的研究是非常有意義的。原理特點 場致發射機理及特點 場致電子發射也稱冷電子...
為此需要研究強電場下二次電子發射的增強機理,CNT的迴旋倍增機制,材料特性對迴旋倍增的影響等,為提高CNT冷陰極發射電流提供新的思路和理論依據。由於該陰極電流密度的大幅度提高需要正交的電磁場,故它只能用於磁控管等正交場器件中,滿足這類器件在瞬時啟動、高效率、低噪聲、減小體積和重量的需求。磁控管廣泛套用於...
2.4 單壁、雙壁碳納米管的共振拉曼散射研究 2.4.1 雙壁碳納米管的共振拉曼光譜 2.4.2 取向單層碳納米管列陣的偏振拉曼光譜研究 2.5 納米管的生長、缺陷結構和物理特性的分子動力學模擬和第一原理計算 2.5.1 單壁碳納米管的自組裝生長的分子動力學模擬 2.5.2 碳納米管上缺陷組裝機理的分子動力學模擬研...
(4) 電晶體控制碳納米管場發射顯示陣列及其實現方法,共同發明人 (5) 一種p型氧化鋅薄膜的製備方法 共同發明人 (6) 一種氧化鋅同質結p-n結的製備方法,共同發明人 (7) 電阻式隨機存儲器用合金電極材料及其製備技術,第一發明人 (8) 用於電阻式存儲器的電誘發電阻材料及其製備方法,共同發明 研究...
本項目擬以石墨纖維作基質,研究石墨纖維尖端在真空高壓放電時形成的針狀、球狀及多邊形小碎片的形態和結構,弄清這些小碎片與碳納米管、碳納米球(富勒烯)的異同,從而建立它們與石墨的聯繫。在此基礎上進一步研究它們的場發射特性及機理,其研究成果將會在真空微電子學,場發射顯示屏及其他冷陰極真空電子器件領域的...
5?1?2納米結構的厚膜模板合成方法和技術要點134 5?2模板法製備納米線137 5?2?1碳納米管模板法137 5?2?2氧化鋁模板法140 5?2?3聚合物膜模板法142 5?3模板法合成高度取向碳納米管有序陣列膜146 5?3?1碳納米管有序陣列膜的製備過程146 5?3?2碳納米管陣列膜場發射特性149 5?4模板法製備TiO2納米管151 ...
碳納米管場發射顯示器製造與可靠性設計 《碳納米管場發射顯示器製造與可靠性設計》是國防工業出版社出版的圖書,作者是曾凡光。
研究了碳納米管中金屬的熔化特性及熔體結構特徵。發現了碳納米管受限空間中Al納米線具有三種熔化行為,這三種熔化行為由Al納米線的直徑和碳納米管的長度共同決定。 利用分子動力學方法深入研究了銅液滴和水在碳納米管和石墨烯表面的潤濕和形態演變行為,揭示納米尺度下液滴的潤濕與反潤濕機理以及金屬液滴的形態演變規律...
(2)碳納米管-納米氧化鋅複合式陰極的研究。利用典型的場致發射納米材料各自優點實現優勢互補,提出碳納米管-納米氧化鋅複合式陰極概念,採用旋塗法和直接生長的方法製備複合式陰極,並測試其場發射特性,並選擇最最佳化方案的結構與製備技術,將複合式陰極材料製備到光電二極體基底上。(3)光電二極體複合納米材料冷陰極...
[3] “納米碳管電極與薄膜電晶體開發”,三星綜合技術研究院 [4] “提高納米碳管和基盤間附著力及場發射微細特性的理解”,韓國產業資源部 [5] “電子屏壁用納米碳管/聚合物複合體技術開發”,三星集團第一工業 [6] “納米碳管儲氫機理的探究”,韓國產業資源部 [7] “功能性納米碳素材料在電子器件和...
1、國家自然科學基金項目:微晶MgAlON複合材料裂紋表征及其癒合機理研究,已結項 2、教育部重點項目:金剛石等碳基薄膜場發射平板顯示研究,已結項 3、河南省科技攻關項目:硬質合金刀具金剛石塗層技術研究,已結項 4、河南省科技攻關項目:碳納米管冷陰極場發射平板顯示,已結項 5、鄭州大學引進人才科研項目:非晶碳...
2.劉飛,排名第一,高等學校博士學科點專項科研基金新教師基金,3.6萬,2008.1-2010.12,單晶硼納米材料薄膜的表面結構與場發射特性研究,項目號 20070558063。3.劉飛,排名第一,高等學校基本科研業務費中山大學青年教師培育項目,15萬,2010.1-2012.12,新型硼納米管薄膜的圖案化製備工藝、摻雜工藝及其物性研究,...
19.張振華,彭景翠,黃小益等.碳納米管場發射特性研究[J].物理學進展,2004,24(3):289-299 20.張高明,彭景翠,黃小益等.左手材料薄板波導中的模式之間的正交關係[J].物理學報,2006,55(4):21.黃小益。光學支聲子模對譜線熱增寬的影響。衡陽師專學報,1999,20(3)26-28 22.黃小益,謝寧魯.經典物理學...
14. 張繼華, 碳納米管的改性及場發射性能研究, 第十六屆全國半導體物理學術會議【分會邀請報告】,蘭州,2007.9.8-9 15. 用於刻蝕BST薄膜的腐蝕液及製備方法.專利號:ZL200810045321.8, 2011.4.27授權 16. 一種高溫加熱的真空蒸發鍍膜裝置.專利號:ZL200810044995.6,2011.7.20授權 17. 薄膜電路產品基片...
4. 熱絲化學氣相生長金剛石薄膜及其反應器設計原理研究, 國家自然科學基金(NSF)八五重大 項目(編號:59392800),主要參加者。5. 輕元素(BCN)納米材料的化學氣相合成、場發射及其發光性質研究, 中科院重點支持項目 (編號:KJ951-B1-403),主要參加者。6. 碳納米管的化學氣相生長及其在顯示器件中的套用,新加坡南洋...
[14] 2018年參加了中國微米納米技術學會在中國陝西西安舉辦的第二屆微米納米技術套用創新大會-微納產業的發展與挑戰,做了基於納米材料的電離式氣體感測器射頻放電機理研究的特邀報告。[15] 2018年參加了Kwangwoon University在韓國首爾仁川舉辦的2018材料研究合作會議,做了基於場致熱發射的新型溫度感測器的敏感特性的特邀...
18 尾跡對衛星周圍電漿擾動特性分析 宇航學報 2010-02-28 19 三維立體結構微納電極研究 分析化學 2010-05-15 20 熱驅動微型電場感測器乾燥技術 感測技術學報 2010-06-20 21 新型推挽激勵的諧振式微機械靜電場感測器 納米技術與精密工程 2010-07-15 22 Si-玻璃陽極鍵合失效機理研究 微納電子技術 2010-10-15 ...