基本信息
作 者:陳光華,鄧金祥 著出 版 社:化學工業出版社ISBN:9787502548377出版時間:2005-01-01版 次:1頁 數:298裝 幀:平裝開 本:大32開所屬分類:圖書 > 科技 > 化學工業
內容簡介
納米薄膜具有特殊的物理和化學特性,在納米電子學中有很重要的前景。本書主要介紹了當前有關納米薄膜的製備、器件和套用的比較前沿的內容和資料,詳細地闡述了國內外該領域的發展動向及趨勢,其中也包作者的研究成果。內容包括:納米薄膜材料的基本概念;材料的製備方法以及物理、化學性能;半導體納米量子點;Si基納米薄膜與器件;納米薄膜的電子轉移和單電子電導等。
目錄
第1章導論1
1?1納米學的基本概念和內涵1
1?1?1納米學的基本概念1
1?1?2納米材料研究範圍和內容2
1?1?3納米材料的電子結構3
1?1?4納米材料研究中的物理問題4
1?1?5納米材料的化學性能7
1?2納米微粒10
1?3納米薄膜11
1?4納米材料和技術發展現狀18
1?4?1納米材料和技術發展簡史18
1?4?2納米技術在飛速發展19
1?5納米薄膜材料和器件在高科技中的地位24
1?5?1納電子器件基本概念24
1?5?2納電子器件特性26
參考文獻27
第2章納米薄膜材料的製備方法和性能29
2?1納米薄膜的製備方法30
2?1?1蒸發冷凝法30
2?1?2濺射法32
2?1?3微波法36
2?1?4分子束外延37
2?1?5金屬有機化學氣相沉積40
2?1?6溶膠?凝膠法43
2?1?7化學氣相沉積法46
2?1?8電化學法(電沉積)49
2?1?9分子自組裝技術51
2?1?10模板合成法54
2?2納米薄膜的性能55
2?2?1力學性能55
2?2?2光學性能58
2?2?3電磁學特性59
2?2?4氣敏特性60
2?3性能檢測61
參考文獻62
第3章半導體納米量子點63
3?1半導體量子點的研究概況63
3?2CdS膠體量子點的製備和量子尺寸效應67
3?2?1CdS量子點的製備和結構67
3?2?2量子尺寸效應69
3?2?3CdS量子點的光致發光特性71
3?3CdS/CuS/CdS量子點及量子阱73
3?3?1CdS/CuS/CdS量子點量子阱結構的製備74
3?3?2CdS/CuS/CdS三層結構的驗證75
3?3?3CdS/CuS/CdS體系的光學特性78
3?4InAs/GaAs和InGaAs/GaAs量子點製備、特性和
套用79
3?4?1InAs/GaAs量子點79
3?4?2InGaAs/GaAs量子點83
3?5ZnO量子點——半導體雷射器新材料88
3?5?1ZnSe基雷射器存在的問題88
3?5?2ZnO材料的基本特性89
3?5?3ZnO的外延生長90
3?5?4ZnO量子點的光學特性91
3?6電沉積量子點[CdSe/Au,Cd(Se,Te)/Au,
(Cd,Zn)Se/Au]93
3?6?1CdSe/Au系統94
3?6?2Cd(Se,Te)/Au系統95
3?6?3(Cd,Zn)Se/Au系統95
參考文獻97
第4章Si基納米薄膜材料與器件98
4?1Si發光面臨的問題100
4?1?1Si和Ge是間接型能帶結構100
4?1?2Si納米晶雷射器初現端倪101
4?1?3納米Si薄膜的製備方法103
4?2Ge納米晶發光膜(Ge/SiO2)106
4?2?1Ge納米發光膜的製備106
4?2?2Ge納米晶的發光特性107
4?2?3Ge納米晶發光機理110
4?3納米SiC發光薄膜111
4?3?1HF?CVD法製備納米SiC薄膜112
4?3?2MW?ECR法製備納米SiC薄膜113
4?4納米多孔Si膜發光117
4?4?1多孔Si的結構118
4?4?2多孔Si的光學性質120
4?4?3多孔Si的形成122
4?4?4多孔Si的製作及其鈍化123
4?5納米Si薄膜器件125
4?5?1納米Si薄膜摻雜的可控性125
4?5?2摻雜納米Si薄膜的熱穩定性126
4?5?3納米Si異質結二極體的獨特性能127
參考文獻129
第5章納米材料的模板合成法130
5?1厚膜模板法合成納米陣列131
5?1?1模板的製備和分類132
5?1?2納米結構的厚膜模板合成方法和技術要點134
5?2模板法製備納米線137
5?2?1碳納米管模板法137
5?2?2氧化鋁模板法140
5?2?3聚合物膜模板法142
5?3模板法合成高度取向碳納米管有序陣列膜146
5?3?1碳納米管有序陣列膜的製備過程146
5?3?2碳納米管陣列膜場發射特性149
5?4模板法製備TiO2納米管151
5?4?1多孔陽極氧化鋁(PAA)模板的製備151
5?4?2TiO2納米管的製備152
5?4?3TiO2納米管的形貌和結構分析153
參考文獻154
第6章納米半導體薄膜的電子轉移和納米粒子的單電子
電導156
6?1納米半導體薄膜的光學性質157
6?1?1電子存儲和光致變色效應157
6?1?2光電流的產生160
6?1?3寬頻隙半導體敏化162
6?1?4光催化164
6?2納米半導體膜的電子轉移原理166
6?2?1電荷從激活的染料注入到半導體納米糰簇166
6?2?2電荷注入過程動力學167
6?2?3半導體染料界面處電子轉移調製171
6?2?4反向電子轉移174
6?2?5半導體薄膜中的電子遷移176
6?3納米粒子的單電子電導177
6?3?1單電子電導的發展歷史179
6?3?2單電子電導的定義及靜電特性184
6?3?3納米粒子的單電子電導191
參考文獻197
第7章納米晶金屬氧化物半導體與溶液界面處的電荷
轉移200
7?1電致變色203
7?1?1V2O5203
7?1?2MoO3204
7?1?3WO3205
7?2光生伏特207
7?2?1TiO2208
7?2?2SnO2212
7?2?3ZnO212
7?3能量考慮213
7?3?1電勢213
7?3?2其他問題215
7?4染料敏化納米TiO2薄膜太陽能電池215
7?4?1染料敏化納米TiO2薄膜太陽能電池的結構和
基本原理216
7?4?2用於染料敏化太陽能電池的納米TiO2膜研究
進展219
參考文獻223
第8章其他納米薄膜材料製備、特性及套用225
8?1納米AlN薄膜的導電性225
8?1?1納米AlN薄膜的製備226
8?1?2納米AlN薄膜的導電特性227
8?2納米金剛石膜製備及場發射228
8?2?1熱絲CVD法製備228
8?2?2微波法製備納米金剛石膜及其場發射232
8?2?3納米金剛石顆粒塗層法和場電子發射232
8?3納米磁性薄膜材料及巨磁電阻效應234
8?3?1概述234
8?3?2納米磁性材料的基本特性235
8?3?3納米顆粒型磁性材料236
8?3?4納米微晶磁性材料237
8?3?5納米薄膜結構型磁性材料及巨磁電阻效應240
8?3?6Fe基、Co基軟磁納米薄膜的製備工藝和
特性242
8?4In2O3納米晶及氣敏特性246
8?4?1納米In2O3材料和氣敏元件的製備246
8?4?2氣敏元件特性248
8?5V2O5納米膜的製備及電致變色250
8?5?1PEO/V2O5納米複合膜的製備251
8?5?2PEO/V2O5乾凝膠薄膜的性能測試及電致
變色251
8?6WO3(V)納米膜的製備、電致變色和氣敏
特性254
8?6?1WO3薄膜的雷射沉積255
8?6?2薄膜的結構分析255
8?6?3WO3(V)薄膜的電學性能257
8?6?4WO3(V)薄膜的氣敏特性258
8?7納米TiO2薄膜的導電性和光吸收量子尺寸效應259
8?7?1磁控法製備的納米TiO2薄膜的導電性與帶隙
寬度260
8?7?2納米TiO2的光吸收量子尺寸效應262
8?8納米晶PZT/PT鐵電薄膜的尺寸效應266
8?8?1納米薄膜樣品製備266
8?8?2X?射線衍射分析267
8?8?3電滯回線測試268
8?9Ag/Ni納米多層膜的點陣應變現象269
8?9?1納米多層膜270
8?9?2Ag/Ni納米多層膜間界面處晶格應變及弛豫
現象270
8?10Ti?Si?N納米薄膜的超硬性272
8?10?1超硬TiN膜存在的問題272
8?10?2Ti?Si?N納米薄膜的製備272
8?10?3Ti?Si?N納米膜的性能分析274
8?11ZnS/Ag/ZnS納米多層薄膜及平面顯示器透明
電極276
8?11?1ZnS/Ag/ZnS納米多層膜替代ITO膜276
8?11?2真空蒸鍍法製備納米多層膜277
8?11?3納米多層膜的光學性能277
8?11?4納米多層膜導電性能281
8?11?5透明導電多層膜的性能評價282
8?12納米Al膜介電函式的尺寸、頻率效應283
8?13納米氮化硼薄膜的場發射284
8?13?1納米氮化硼薄膜的製備285
8?13?2納米氮化硼薄膜的場發射性能285
參考文獻288
第9章納米材料及納米器件研究和發展的前景290
9?1國際方面的最新研究進展290
9?1?1關於碳納米管的研究進展290
9?1?2納米線及相關的納米器件292
9?1?3特種結構、異質納米複合結構293
9?1?4有關異質結構的新的製備方法294
9?2國內在準一維納米材料方面的最新研究情況294
9?2?1技術創新的幾個方面294
9?2?2已取得的重要成果296
9?3納米相複合材料和納米結構?微米結構複合材料297
9?4納米材料的套用前景298
參考文獻298