《基於碳納米管植布工藝的場發射陰極製備技術研究》是依託上海交通大學，由丁桂甫擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：基於碳納米管植布工藝的場發射陰極製備技術研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：丁桂甫
- 依託單位：上海交通大學
- 批准號：50775148
- 申請代碼：E0512
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：36（萬元）
項目摘要
碳納米管作為性能優異的新型場發射冷陰極材料業已引起學術界和產業界的高度重視和廣泛研究，其中，碳管場發射陰極製備技術一直是科研攻關的重點，但是現有的絲網印刷和直接生長工藝存在一系列制約器件批量生產和穩定工作的技術缺陷。針對這些缺點，本項目提出了一種通過複合電鍍和後續微細加工使碳納米管分散根植在金屬電極表層的新工藝，稱之為植布工藝。該工藝能使碳管結合牢固、密度可控，且全流程低溫，與三維非矽微加工技術相結合，可以克服現有技術的主要缺點，構造功能結構高度集成的高性能CNT場發射陰極，推動碳納米管場發射技術進步。因此，值得開展深入細緻的基礎研究，以最佳化單元工藝，整合工藝流程，構建CNT場發射陰極集成製造的基礎工藝框架，形成具有自主智慧財產權的新型加工技術體系，研製新型場發射器件樣品，推動碳納米管在平板顯示產業上的套用，為我國場發射技術和相關產業長遠發展奠定核心技術基礎。
