空穴陷阱（hole trap）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：空穴陷阱
- 外文名：hole trap
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
公布時間,出處,
公布時間
1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《電子學名詞》第一版。
空穴陷阱
相關詞條
- 空穴陷阱
空穴陷阱 空穴陷阱（hole trap）是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
- 陷阱效應
陷阱效應是在有非平衡載流子時發生的效應。雜質能級積累某一種非平衡載流子的效應。 陷 阱：有顯著陷阱效應的雜質能級。電子陷阱——能積累電子的雜質或缺陷能級。空穴陷阱——能積累空穴的雜質或缺陷能級。
- 空穴俘獲
空穴俘獲，電子-內部結構模型圖空穴俘獲是一種光激勵發光現象。物理介紹 光激勵發光是指材料受到輻照時，產生的自由電子和空穴被俘獲在晶體內部的陷阱中，從而將輻照能量存儲起來，當受到光激勵時（波長比輻照光長），這些電子和空穴脫離...
- 電子-空穴對
電子-空穴對 電子-空穴對（electron-hole pair）是2016年公布的化學名詞，出自《化學名詞》第二版。定義 電子和空穴通過庫侖作用而形成的1個束縛體系。出處 《化學名詞》第二版。
- 空間電荷
由於外加電場和極化的影響，降低了電子或空穴逸出電極的勢壘，從電極發射的電子或空穴在外加電場的作用下產生遷移，在遷移過程中被介質中的陷阱所捕獲而形成空間電荷。。所謂陷阱實際上是電荷的吸引中心（絕緣材料中的空間電荷問題）。分子...
- 等電子中心
（3）等電子陷阱的作用：N和Zn-O複合體在GaP或GaAs1-xPx發光二極體中可提高其發光效率。因為等電子陷阱在俘獲載流子後將成為帶電中心, 這又可以通過Coulomb作用而俘獲另外一個符號相反的載流子, 結果相當於有一對電子-空穴被帶電中心所...
- 複合中心
（1）陷阱中心：這是一種深能級的雜質或缺陷。陷阱中心的特點就是俘獲一種載流子的作用特彆強，而俘獲另一種載流子的作用特別弱，則陷阱中心具有存儲一種載流子的作用。例如電子陷阱就起著存儲電子的作用，空穴陷阱就起著存儲空穴的作用。
- 激活能
就相應於陷阱深度。若設E為俘獲能級，則對於電子陷阱△E。=Ec一E:(5)對於空穴陷阱△E,一E:一Ev(6)這意味著支配電導過程的是俘獲載流子的熱釋放。3、由於有機固體材料的費密能級E;上沒有電子,只有處於其內部導帶、價帶或者雜質...
- 乾腐蝕
然而，已經證明，離子和光子損傷產生空穴陷阱和中性陷阱，在400℃溫度下退火可以消除空穴陷阱，而中性陷阱要在600℃或更高的溫度下退火，才能消除，因此，對於用Al作柵電極的情況，就難以去除這種損傷。當柵氧化層直接暴露於非反應型等離子...
- trap(英文單詞)
The Trap 陷阱 ; 中了圈套 ; 完美設陷 ; 搶救紐曼亞 float trap 浮球式疏水閥 ; 浮扣阱 ; 浮子式阻汽器 ; 浮子式凝氣閥 gas trap 氣體收集器 ; 氣阱 ; 氣體捕集器 hole trap [電子] 空穴陷阱 ; 空穴陷井 ; 電洞陷阱...
- 輻射光致發光
然後大部分電子被帶正電荷的銀原子或原子團所俘獲形成一種新型發光中心。當受到選定波長的光(如波長為365 nm紫外光)再次激發時，處於發光中心激發態的電子就與空穴陷阱複合而發出光。出處 《放射醫學與防護名詞》第一版。
- 洞(遊戲王卡組系列)
遊戲王卡組系列之一。因為「蟲惑魔」系列讓「洞/ホール」成為一個系列欄位，雖然「蟲惑魔」只支援有名字帶有「洞」的通常陷阱卡。效果怪獸 魔孔石人 中文名：魔孔石人 日文名：マジック・ホール・ゴーレム 英文名：Magic ...
- 光激發瞬態電流譜
光激發瞬態電流譜 光激發瞬態電流譜是指在低溫下，用脈衝光照射樣品，使光生載流子填滿深能級陷阱，然後隨溫逐漸升高，檢測樣品上兩平行電極之間的瞬態電流變化，確定高阻半導體材料中深能級的能級位置及發射速率等的電學測量技術。
- 供體
也就是施主能級在導帶底下方的能量距離。電離能小的施主能級是淺施主能級，電離能大的是深施主能級。磷、砷、銻是鍺、矽半導體中的淺能級施主雜質。淺能級施主雜質叫n型雜質。深能級施主雜質可能成為空穴的陷阱或複合中心。
- 外逸電子
在室溫下, 對於E = 1 eV 的典型陷阱深度, 隧道穿透可以與熱穿透相匹敵, 達到E = 10v/cm 俄歇複合 電子射入真空的另一可能機制是空穴與捕獲電子的俄歇複合(空穴誘導的電子發射)。由於光致激發或是熱致激發, 空穴釋放, 並與電子在...
- 載流子
釋詞：電流載體，稱載流子。在物理學中，載流子指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒，如電子和離子。在半導體物理學中，電子流失導致共價鍵上留下的空位（空穴引）被視為載流子。金屬中為電子，半導體中有兩種載流子即電子和空穴。在電場...
- 河南省光伏材料重點實驗室
研究元素摻雜對ZnO薄膜折射係數的改變以及對導電性、透光性和減反射性的影響；進一步完善矽薄膜的PECVD生產工藝，對溫度(T)、壓力(P)、頻率(f)、電壓(V)、化學源(S)等參數進行最佳化，減少電子或空穴陷阱濃度，減少電子-空穴複合中心和...
- 熱釋發光
熱釋發光材料中含有一定濃度的發光中心和陷阱，在光或射線粒子激發下,晶體內產生自由電子或空穴,其中一部分被陷阱俘獲。晶體受熱升溫時，被俘的電子熱激發成為自由載流子，當與電離的發光中心複合時就發出光來。發光強度近似正比於陷阱釋空...
- 輻射電離效應
輻射在氧化層中產生的電子－空穴對，在偏壓的作用下，電子比空穴的漂移速度大，電子越過界面流入半導體（負偏壓）或金屬(正偏壓)中，留下的空穴在氧化層中建立起正電荷。另外，電離輻射在半導體和氧化層界面附近產生複合中心和陷阱中心。...
- 受主
在能級圖上空穴能量是向下增加的，受主能級在價帶頂上方。硼、鋁、銦、鎵是鍺、矽中的淺受主能級雜質。硼、鋁、銦、鎵也稱為鍺、矽中的P型雜質。深能級受主可能成為電子陷阱或複合中心。質或缺陷為什麼會形成受主能級，其情況是很...
