電子-空穴對(electron-hole pair)是2016年公布的化學名詞,出自《化學名詞》第二版。
基本介紹
- 中文名:電子-空穴對
- 外文名:electron-hole pair
- 所屬學科:化學
- 公布時間:2016年
電子-空穴對(electron-hole pair)是2016年公布的化學名詞,出自《化學名詞》第二版。
電子-空穴對 電子-空穴對(electron-hole pair)是2016年公布的化學名詞,出自《化學名詞》第二版。定義 電子和空穴通過庫侖作用而形成的1個束縛體系。出處 《化學名詞》第二版。
在短溝道n-MOSFET中,溝道中較強的電場,可使溝道中的電子通過碰撞電離和雪崩倍增而產生出大量的電子-空穴對(在漏端夾斷區更明顯),倍增出的電子將被漏極吸收、並使漏極電流劇增而導致器件擊穿——溝道雪崩擊穿;與此同時也將產生...
電子空穴 半導體中有兩種載流子:自由電子和空穴。在熱力學溫度零度和沒有外界能量激發時,價電子受共價鍵的束縛,晶體中不存在自由運動的電子,半導體是不能導電的。但是,當半導體的溫度升高(例如室溫300K)或受到光照等外界因素的影響,...
電子-空穴複合 電子-空穴複合(electron-hole recombination)是2016年公布的化學名詞。定義 半導體中導帶的電子躍遷至價帶中,與空穴結合的過程。該過程伴有能量的釋放。出處 《化學名詞》第二版。
從理論上分析,EHD是穩定相,液體中平均每個電子–空穴對的基態能量EG必須要比激子能量低。基態能量包含二元電漿中電子支系統和空穴支系統的動能、兩支系統的交換能、關聯能。這三項能量都依賴於電子密度n(等於空穴密度)。針對鍺的...
當反向電壓增加到較大數值時,外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速後又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為...
使自己周圍價電子變成4個才能和周圍的4個Si形成穩定共價鍵故每加入1個B原子將產生一個空穴 空穴並不是真實存在的,只是對大量電子運動的一種等效,空穴的流動其實就是大量電子運動的等效的反運動,這從空穴的定義和特性就可以知道。空穴...
對於某些絕緣體和半導體材料,入射電子的能量損失可以使價電子帶的電子升入導帶,形成一個電子-空穴對。當電子和空穴複合時,以光子的形式釋放其能量,稱陰極射線發光效應,其能量的大小等於物體導帶與價電子帶間的能隙。電子與物體間的...
天然產出的礦物普遍存在電子心空穴心。為了研究礦物“心”的機制和套用,採用在找礦勘探中實際套用相結合的方法。通過研究獲得以下幾項成果和認了前蘇聯學者建立的金礦找礦模式,建立了不同成因類型金礦床的不同.首次提出了黃鐵礦中電子...
激子是固體中的一種基本的元激發,是由庫侖力作用互相束縛著的電子-空穴對。半導體吸收一個光子之後,電子由價帶躍遷至導帶,但是電子由於庫侖作用仍然和價帶中的空穴聯繫在一起。激子對描述半導體的光學特性有重要意義;自由激子束縛在雜質...
假設吸收係數很大,光的穿透深度遠小於樣品厚度,則光在表面薄層內被吸收,產生電子-空穴對(Δn=Δp)。濃度梯度的存在,導致電子和空穴都沿x方向擴散,而它們引起的擴散電流方向相反。由於Dₙ>Dₚ,電子擴散的快。總的擴散電流沿...
光登伯效應(英語:photo-Dember effect),半導體受飛秒雷射激發後,發出帶電的電磁輻射,這是由於極快電子-空穴對在很強載流子梯度而造成的。同時,由於電子和空穴的遷移率不同,破壞了表面的對稱性,半導體表面附近形成垂直表面的電偶極...
電子和空穴一般具有不同的電離率。正文 在強電場下,半導體中的載流子會被電場加熱(見半導體中的熱載流子),部分載流子可以獲得足夠高的能量,這些載流子有可能通過碰撞把能量傳遞給價帶上的電子,使之發生電離,從而產生電子-空穴對,這種...
半導體探測器是以半導體材料為探測介質的輻射探測器。最通用的半導體材料是鍺和矽,其基本原理與氣體電離室相類似,故又稱固體電離室。半導體探測器的基本原理是帶電粒子在半導體探測器的靈敏體積內產生電子-空穴對,電子-空穴對在外電場...
入射電子(空穴)在超導體中形成一個庫珀對,與入射電子(空穴)的自旋和速度相反但動量相等的空穴(電子)會發生逆反射,如圖1所示。假設勢壘的穿透能力很高,沒有氧化物或隧道層,這減少了界面上正常的電子-電子或空穴-空穴散射的實例。由於...
當特徵X射線光子進入矽滲鋰探測器後便將矽原子電離,產生若干電子-空穴對,其數量與光子的能量成正比。利用偏壓收集這些電子空穴對,經過一系列轉換器以後變成電壓脈衝供給多脈衝高度分析器,並計數能譜中每個能帶的脈衝數。原理 一個內層...
當P-N結受光照時,樣品對光子的本徵吸收和非本徵吸收都將產生光生載流子(電子-空穴對)。但能引起光伏效應的只能是本徵吸收所激發的少數載流子。因P區產生的光生空穴,N區產生的光生電子屬多子,都被勢壘阻擋而不能過結。只有P區的...
空穴導電並不是實際運動,而是一種等效。電子導電時等電量的空穴會沿其反方向運動。它們在外電場作用下產生定向運動而形成巨觀電流,分別稱為電子導電和空穴導電。這種由於電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本徵導電。導帶中的電子...
它的作用使產生在基區背面的電子-空穴對加速向P-N結方向擴散,提高了光生載流子的收集效率,從而提高了電池的效率,特別是提高了長波部分的光譜回響。對於高阻背場矽太陽電池,開路電壓可達0.59~0.62 V。電池的效率可達14.0%~14....
在樣品上加適當直流電壓,選側適當脈衝寬度的脈衝光,通過透明電極激勵樣品產生薄層的電子一空穴對。空穴被拉到負電極方向,作薄層運動。設薄層狀況不變,則運動速度為μE。如假定樣品中只有有限的陷阱,且陷阱密度均勻,則電量損失與...
在光照下,若入射光子的能量大于禁頻寬度,半導體PN結附近被束縛的價電子吸收光子能量,受激發躍遷至導帶形成自由電子,而價帶則相應地形成自由空穴。這些電子一空穴對,在內電場的作用下,空穴移向P區,電子移向N區,使P區帶正電,N區...
在傾斜微晶的照射下,產生電子 - 空穴對並引起表面和微晶內電荷的補償。如果假設光學吸收深度遠小於微晶中的空間電荷區域,則由於它們的傾斜形狀,在一側吸收的光比在另一側吸收的光更多。因此,在兩側之間產生了電荷減少的差異。這樣,在...
當存在波長合適的光照時,光敏電阻內的價帶電子會吸收光子能量躍遷到導帶,成為可以導電的自由電子,並在價帶中留下一個空穴。光強越大,激發的電子-空穴對數量越多,光敏電阻的阻值也就越低。需要強調的是,這種光吸收過程發生的必要條件...
QCL 輸出功率較高的原因可以歸結於其本身的有源區結構設計,其電子利用效率較高。內量子效率是指每秒注入有源區的電子-空穴對數能夠產生的光子數多少。圖3給出典型的 QCL 有源區工作示意圖,電子流通過一系列的子帶和微帶,實現子帶...