積體電路設計導論

《積體電路設計導論》是2010年5月1日清華大學出版社出版的圖書，作者是羅萍、張為。本書可作為高等院校積體電路、微電子、電子、通信與信息等專業本科高年級和碩士研究生的教材或相關領域從業人員的參考書籍。

基本介紹

• 書名：積體電路設計導論
• 又名：An introduction to the integrated circuit design
• 作者：羅萍，張為
• ISBN：9787302218982
• 頁數：325
• 定價：35.00
• 出版社：清華大學出版社
• 出版時間：2010年5月1日
• 裝幀：平裝
• 開本：16開
• 紙張：膠版紙

內容簡介

本書是積體電路領域相關專業的一本入門性教材，主要介紹與積體電路設計相關的一些基礎知識。全書共分10章，以積體電路設計為核心，全面介紹現代積體電路技術。內容主要包括半導體材料與器件物理、積體電路製造技術、典型數字模擬積體電路、現代積體電路設計技術與方法學、晶片的封裝與測試等多方面的知識。本書主要涉及採用矽襯底、CMOS工藝製造的積體電路晶片技術，也簡單介紹了積體電路發展的趨勢。

目錄

第1章緒論

1.1積體電路的基本概念

1.1.1積體電路的定義

1.1.2積體電路的發展史

1.1.3積體電路的分類

1.2積體電路的設計與製造流程

1.2.1積體電路的設計流程

1.2.2積體電路製造的基本步驟

1.2.3積體電路工藝技術水平衡量指標

1.3積體電路的發展

1.3.1國際積體電路的發展

1.3.2我國積體電路的發展

複習題

參考文獻

第2章積體電路製造

2.1積體電路製造的基本要素

2.1.1積體電路製造的基本要求

2.1.2標準生產線的幾大要素

2.2主要製造工藝

2.2.1積體電路製造的基本流程

2.2.2製造積體電路的材料

2.2.3矽片製備

2.2.4氧化

2.2.5澱積

2.2.6光刻

2.2.7刻蝕

2.2.8離子注入

2.3CMOS工藝流程

2.3.1基本工藝流程

2.3.2閂鎖效應及其預防措施

2.4工藝評估

2.4.1晶圓的電性測量

2.4.2層厚的測量

2.4.3污染物和缺陷檢查

複習題

參考文獻

第3章MOSFET

3.1MOSFET的結構與特性

3.1.1MOSFET結構

3.1.2MOSFET電流電壓特性

3.1.3MOSFET開關特性

3.2短溝道效應

3.2.1載流子速率飽和及其影響

3.2.2閾值電壓的短溝道效應

3.2.3遷移率退化效應

3.2.4倍增和氧化物充電

3.3按比例縮小理論

3.4MOSFET電容

3.5MOS器件SPICE模型

3.5.1LEVEL1模型

3.5.2LEVEL2模型

3.5.3LEVEL3模型

複習題

參考文獻

第4章基本數字積體電路

4.1CMOS反相器

4.1.1CMOS反相器結構與工作原理

4.1.2靜態特性

4.1.3動態特性

4.1.4功耗

4.2典型組合邏輯電路

4.2.1帶耗盡型NMOS負載的MOS邏輯電路

4.2.2CMOS邏輯電路

4.2.3CMOS傳輸門

4.3典型CMOS時序邏輯電路

4.3.1RS鎖存器

4.3.2D鎖存器和邊沿觸發器

4.3.3施密特觸發器

4.4扇入扇出

4.5互聯線電容與延遲

4.6存儲器

4.6.1存儲器的結構與ROM陣列

4.6.2靜態存儲器SRAM

4.6.3動態存儲器DRAM

複習題

參考文獻

第5章模擬積體電路基礎

5.1模擬積體電路種類及套用

5.1.1運算放大器

5.1.2A/D、D/A變換器

5.1.3RF積體電路

5.1.4功率積體電路

5.2單管放大電路

5.2.1共源極放大器

5.2.2共射極放大器

5.2.3共漏極放大器(源隨器)

5.2.4共集電極放大器(射隨器)

5.2.5共柵極放大器

5.2.6共基極放大器

5.3多管放大電路

5.3.1BJT組合放大器

5.3.2MOS場效應電晶體串級放大電路

5.3.3差分放大器

5.4電流源和電壓基準源

5.4.1電流源

5.4.2電壓基準源

5.5典型運算放大器

5.6模擬積體電路設計基本步驟

複習題

參考文獻

第6章 積體電路設計簡介

第7章 VLSI的EDA設計方法

第8章 積體電路版圖設計

第9章 測試技術

第10章 積體電路封裝

參考文獻