《積體電路製造技術教程》內容講授現代積體電路製造基礎工藝，重點闡述核心及關鍵製造工藝的基本原理。教學內容共分為15章。前9章以常規平面工藝為主要教學內容，包括：集成製造技術基礎；矽材料及襯底製備；外延生長工藝原理；氧化介質薄膜生長；半導體的高溫摻雜；離子注入低溫摻雜；薄膜氣相澱積工藝；圖形光刻工藝原理；掩膜製備工藝原理等章節。後6章包括：超大規模集成工藝；集成結構測試圖形；電路管芯鍵合封裝；工藝過程理化分析；管芯失效及可靠性；晶片產業質量管理等教學內容。
基本介紹
- 書名：積體電路製造技術教程
- 作者：李惠軍
- 出版日期：2014年9月1日
- 語種：簡體中文
- ISBN：730237032X
- 外文名：Manufacture Technology Course of Integrated Circuit
- 出版社：清華大學出版社
- 頁數：315頁
- 開本：16
基本介紹,內容簡介,作者簡介,圖書目錄,
基本介紹
內容簡介
《積體電路製造技術教程》本著深入淺出、通俗易懂、內容全面、操作性強等編寫原則，簡化了不少理論性的推導及內容，使得《積體電路製造技術教程》接近於一本較為實用的工具書特徵，既符合本科院校的系統化教學需要，又適用於高等高職高專類院校的可操作性要求，也可用於半導體器件及積體電路晶片晶圓製造企業的技術培訓。
作者簡介
李惠軍，山東日照人。1952年生於濟南。1975年畢業於南京郵電學院一系半導體器件專業。現為山東大學信息科學與工程學院教授、碩士研究生導師，兼任山東大學孟完微電子研發中心主任。中國電子學會《CIE）高級會員，信息產業部《微納電子技術》特邀編委。主要教學與科研方向超大規模積體電路製造工藝技術的研究；超大規模專用積體電路（ASIC）的一體化設計研究：超大規模積體電路SOC（片上系統）晶片的下CAD一體化設計、仿真與最佳化研究深亞微米，超深亞微米及納米集成化器件ICCAD工藝級與器件物理級可製造性設計領域的碩究。近年來，承擔並完成了三項省、部級科研與教學立項。曾獲山東省科學技術進步二等獎一項，山東省省教委科技進步一等獎一項，山東省省級教學成果一等獎一項。山東省省級教學成果二等獎一項（均為首位）。
圖書目錄
緒論
本章小結
習題與解答
第1章 集成製造技術基礎
1.1 常規積體電路製造技術基礎
1.1.1 常規雙極電晶體的工藝結構
1.1.2 常規雙極性電晶體平面工藝流程
1.2 常規PN結隔離積體電路工藝
1.2.1 常規PN結隔離積體電路的工藝結構
1.2.2 常規PN結隔離積體電路的工藝流程
本章小結
習題與解答
參考文獻
第2章 矽材料及襯底製備
2.1 半導體材料的特徵與屬性
2.2 半導體材料矽的結構特徵
2.3 半導體單晶製備過程中的晶體缺陷
2.4 積體電路技術的發展和矽材料的關係
2.5 半導體矽材料及矽襯底晶片的製備
2.6 半導體矽材料的提純技術
2.6.1 精餾提純四氯化矽技術及其提純裝置
2.6.2 精餾提純四氯化矽的產業化流程
2.7 半導體單晶材料的製備流程
2.8 矽單晶的各向異性在管芯製造中的套用
本章小結
習題與解答
參考文獻
第3章 外延生長工藝原理
3.1 關於外延生長技術
3.2 外延生長工藝方法概論
3.2.1 典型的水平反應器矽氣相外延生長系統簡介
3.2.2 矽化學氣相澱積外延生長反應過程的一般描述
3.3 常規矽氣相外延生長過程的動力學原理
3.4 常規矽氣相外延生長過程的結晶學原理
3.5 關於氣相外延生長的工藝環境和工藝條件
3.5.1 外延生長過程中的摻雜
3.5.2 外延生長速率與反應溫度的關係
3.5.3 外延生長層內的雜質分布
3.5.4 外延生長缺陷
3.5.5 外延生長之前的氯化氫氣相拋光
3.5.6 典型的外延生長工藝流程
3.5.7 工業化外延工序的質量控制
本章小結
習題與解答
參考文獻
第4章 氧化介質薄膜生長
4.1 氧化矽介質膜的基本結構
4.2 二氧化矽介質膜的主要性質
4.3 氧化矽介質膜影響雜質遷移行為的內在機理
4.4 氧化矽介質膜的熱生長動力學原理
4.5 典型熱生長氧化介質膜的常規生長模式
本章小結
習題與解答
參考文獻
第5章 半導體的高溫摻雜
5.1 固體中的熱擴散現象及擴散方程
5.2 常規高溫熱擴散的數學描述
5.2.1 恆定表面源擴散問題的數學分析
5.2.2 有限表面源擴散問題的數學分析
5.3 常規熱擴散工藝簡介
5.3.1 典型的常規液態源硼擴散
5.3.2 典型的常規液態源磷擴散
……
第6章 離子注入低溫摻雜
第7章 薄膜氣相澱積工藝
第8章 圖形光刻工藝原理
第9章 掩膜製備工藝原理
第10章 超大規模集成工藝
第11章 集成結構測試圖形
第12章 電路管芯鍵合封裝
第13章 工藝過程理化分析
第14章 管芯失效及可靠性
第15章 晶片產業質量管理
附錄A 集成製造術語詳解
附錄B 積體電路製造技術縮略語
附錄C 常用係數
附錄D 積體電路製造技術領域常用科學數據
本章小結
習題與解答
第1章 集成製造技術基礎
1.1 常規積體電路製造技術基礎
1.1.1 常規雙極電晶體的工藝結構
1.1.2 常規雙極性電晶體平面工藝流程
1.2 常規PN結隔離積體電路工藝
1.2.1 常規PN結隔離積體電路的工藝結構
1.2.2 常規PN結隔離積體電路的工藝流程
本章小結
習題與解答
參考文獻
第2章 矽材料及襯底製備
2.1 半導體材料的特徵與屬性
2.2 半導體材料矽的結構特徵
2.3 半導體單晶製備過程中的晶體缺陷
2.4 積體電路技術的發展和矽材料的關係
2.5 半導體矽材料及矽襯底晶片的製備
2.6 半導體矽材料的提純技術
2.6.1 精餾提純四氯化矽技術及其提純裝置
2.6.2 精餾提純四氯化矽的產業化流程
2.7 半導體單晶材料的製備流程
2.8 矽單晶的各向異性在管芯製造中的套用
本章小結
習題與解答
參考文獻
第3章 外延生長工藝原理
3.1 關於外延生長技術
3.2 外延生長工藝方法概論
3.2.1 典型的水平反應器矽氣相外延生長系統簡介
3.2.2 矽化學氣相澱積外延生長反應過程的一般描述
3.3 常規矽氣相外延生長過程的動力學原理
3.4 常規矽氣相外延生長過程的結晶學原理
3.5 關於氣相外延生長的工藝環境和工藝條件
3.5.1 外延生長過程中的摻雜
3.5.2 外延生長速率與反應溫度的關係
3.5.3 外延生長層內的雜質分布
3.5.4 外延生長缺陷
3.5.5 外延生長之前的氯化氫氣相拋光
3.5.6 典型的外延生長工藝流程
3.5.7 工業化外延工序的質量控制
本章小結
習題與解答
參考文獻
第4章 氧化介質薄膜生長
4.1 氧化矽介質膜的基本結構
4.2 二氧化矽介質膜的主要性質
4.3 氧化矽介質膜影響雜質遷移行為的內在機理
4.4 氧化矽介質膜的熱生長動力學原理
4.5 典型熱生長氧化介質膜的常規生長模式
本章小結
習題與解答
參考文獻
第5章 半導體的高溫摻雜
5.1 固體中的熱擴散現象及擴散方程
5.2 常規高溫熱擴散的數學描述
5.2.1 恆定表面源擴散問題的數學分析
5.2.2 有限表面源擴散問題的數學分析
5.3 常規熱擴散工藝簡介
5.3.1 典型的常規液態源硼擴散
5.3.2 典型的常規液態源磷擴散
……
第6章 離子注入低溫摻雜
第7章 薄膜氣相澱積工藝
第8章 圖形光刻工藝原理
第9章 掩膜製備工藝原理
第10章 超大規模集成工藝
第11章 集成結構測試圖形
第12章 電路管芯鍵合封裝
第13章 工藝過程理化分析
第14章 管芯失效及可靠性
第15章 晶片產業質量管理
附錄A 集成製造術語詳解
附錄B 積體電路製造技術縮略語
附錄C 常用係數
附錄D 積體電路製造技術領域常用科學數據
