磁性隧道結，英語縮寫MTJ。鐵磁金屬/絕緣體/鐵磁金屬的三明治結構非均勻磁系統。這種兩個鐵磁金屬膜之間（如鉻、鈷、鎳或鐵鎳）的金屬氧化物（通常為氧化鋁）勢壘的自旋極化隧穿過程也可產生巨磁阻效應。
基本介紹
- 中文名：磁性隧道結
- 定義：鐵磁金屬/絕緣體/鐵磁金屬的三明治結構非均勻磁系統
磁性隧道結，英語縮寫MTJ。鐵磁金屬/絕緣體/鐵磁金屬的三明治結構非均勻磁系統。這種兩個鐵磁金屬膜之間（如鉻、鈷、鎳或鐵鎳）的金屬氧化物（通常為氧化鋁）勢壘的自旋極化隧穿過程也可產生巨磁阻效應。
磁性隧道結 磁性隧道結，英語縮寫MTJ。鐵磁金屬/絕緣體/鐵磁金屬的三明治結構非均勻磁系統。這種兩個鐵磁金屬膜之間（如鉻、鈷、鎳或鐵鎳）的金屬氧化物（通常為氧化鋁）勢壘的自旋極化隧穿過程也可產生巨磁阻效應。
《磁性隧道結中自旋塞貝克效應的研究》是依託北京科技大學，由王守國擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目以磁性隧道結為對象，研究勢壘層兩邊鐵磁電極之間由於溫度梯度所產生的熱電勢，即自旋塞貝克效應（Spin Seebeck Effect）；主要...
磁隧道結製備工藝是指製備隧道結所涉及的工藝技術。利用金屬掩模法製備磁性隧道結，可用於快速最佳化實驗和工藝條件，採用光刻技術中的刻槽和打孔方法及去膠掀離方法製備的磁性隧道結，經過適當的退火處理後可以獲得較高的TMR。磁隧道結 磁...
《量子點磁性隧道結中自旋相關的熱電輸運理論研究》是依託華南師範大學，由王瑞強擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 在通常的熱電輸運中引入電子自旋自由度，最近新誕生了一門自旋熱電子學（spin caloritronics），它是自旋電子學在熱電...
《磁性隧道結中庫侖阻塞效應調控自旋積累的現象和機制》是依託首都師範大學，由王海擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 庫侖阻塞效應和自旋積累效應之間的相互影響是納米尺度下電子電荷和電子自旋動態過程相互關聯的物理問題。由此而...
電子從一個磁性層隧穿到另一個磁性層的隧穿幾率與兩磁性層的磁化方向有關。氧化鎂磁隧道結簡介 氧化鎂磁隧道結是指以氧化鎂為絕緣勢壘層的磁隧道結。1995年以非晶三氧化二鋁為絕緣勢壘層，分別以多晶Fe或CoFe作為鐵磁層，室溫下TMR...
近年來，上述難題有了突破性進展，形成了交換偏置磁隧道結（Exchange Bias MTJ: EB-MTJ）和全反鐵磁隧道結（All Antiferromagnetic Tunnel Junction: AATJ）兩條技術路徑。 磁隧道結 基於電子自旋的磁性隨機存取存儲器（Magnetic Random ...
非磁層為絕緣體或半導體的磁性多層膜，即磁性隧道結（magnetie tunnel junetions，MTJ）。 這種磁性隧道結在橫跨絕緣層的電壓作用下，其隧道電流和隧道電阻依賴於兩個鐵磁層磁化強度的相對取向。 當此相對取向在外磁場的作用下發生改變時...
《磁性隧道結中電場調控磁化翻轉的微磁學模擬研究》是依託復旦大學，由張宗芝擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 垂直磁化磁性隧道結是下一代磁性隨機存儲器（MRAM）的核心記錄單元結構，研究其電場（又稱電壓）調控的磁化翻轉機制對於研發...
《鐵電壘磁性隧道結中的非對稱界面效應》是依託蘇州科技大學，由吳銀忠擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 非對稱界面是鐵電壘磁性隧道結製備過程中不可避免的，並會對隧道結的輸運性質產生重要影響。本課題採用基於密度泛函理論的第一性...
《ZnO磁性半導體雙勢壘隧道結及其自旋過濾效應的研究》是依託山東大學，由劉國磊擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 磁性半導體隧道結集自旋注入、傳輸和檢測為一體，是半導體自旋電子學器件的熱點之一。在前期的研究工作基礎上，本項目擬利用...
《基於新型磁性隧道結器件的生物感測晶片基礎研究》是依託中國科學院理化技術研究所，由高雲華擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目集成磁電子學、微電子工程學、化學、分子生物學等諸學科和相關微加工技術，研究開發新型高靈敏度的...
本項目將在我們前期研究磁性隧道結的隧穿磁電阻的基礎上，(1)製備出室溫下同時具有大的隧穿磁電阻和大的電致電阻的Co/CoO-ZnO/Co自旋記憶電阻器件，實現既能用磁場控制，又能用電場控制的電阻多重態；（2）研究由絕緣的CoO反鐵磁...
因此，這種結可以在兩種電阻狀態中切換，即高阻態和低阻態。發展背景 早在1975年,Julliere就在Co/Ge/Fe磁性隧道結(MagneticTunnelJunctions，MTJs)（註：MTJs的一般結構為鐵磁層/非磁絕緣層/鐵磁層(FM/I/FM)的三明治結構）中觀察...
《納米電流通道結構垂直磁隧道結自旋轉移磁化反轉研究》是依託華中科技大學，由程曉敏擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 電流驅動自旋轉移（STT）磁化反轉效應能有效減小傳統MRAM存儲單元的寫入電流，是實現高密度新型STT-RAM存儲的...
因此，分子尺度隧道磁電阻器件逐步得到人們的廣泛關注。可是到目前為止很多相關研究工作還是非常初步的，其中還有很多關鍵的問題值得進一步的研究。.本申請項目通過密度泛函理論電子結構計算和非平衡態格林函式的方法，系統地研究分子與磁性電極...
因此，這種結可以在兩種電阻狀態中切換，即高阻態和低阻態。發展背景 早在1975年，Julliere就在Co/Ge/Fe磁性隧道結（MagneticTunnelJunctions，MTJs）（MTJs的一般結構為鐵磁層/非磁絕緣層/鐵磁層（FM/I/FM）的三明治結構）中觀察到...
《磁矩電調控抑制隧道結磁感測器1/f噪聲方法研究》是依託中國人民解放軍國防科技大學，由胡佳飛擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 高性能微型磁感測器在水下目標探測、地磁匹配導航、空間環境監測等國家安全技術領域具有重要套用，但...
超導隧道結的發現在理論和實驗上均有重要的價值。受此啟發Julliere對Fe/Ge/Co磁性隧道結輸運性質的研究作了開拓性的研究，發現隧道阻抗隨鐵磁層的磁化狀態而變化，低溫下電導的相對變化可達14%。1975年後人們對類似結構中的磁電阻效應...
繼GMR器件後，目前最有希望的新一代自旋電子學器件就是運用隧道磁致電阻（TMR）效應的自旋電子器件。由於納米技術的迅速發展，人們已經有希望生長出具有更薄、更平整絕緣層的相干型磁性隧道結。相干型隧道結具 ...
製備了高質量的Nb:TiO2基磁性隧道結，探測了該半導體室溫下的自旋極化輸運特性。項目實施基本上按照原計畫進行，獲得了如下研究成果： 1、Nb:TiO2薄膜室溫鐵磁性機理的研究：利用L-MBE方法製備了Nb:TiO2薄膜。XPS測量和第一性原理計算表明...
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性的磁性隨機存儲器，它利用磁電阻效應來存儲數據。與傳統的半導體隨機存取存儲器（RAM）不同，MRAM使用磁性隧道結（MTJ）作為存儲單元，通過改變磁化方向來記錄二進制數據。背景 ...
磁性隧道結的核心結構為即鐵磁金屬絕緣層鐵磁金屬。當電子穿過絕緣層壁時，其隧穿幾率和自旋方向有關，故該效應即稱之為磁性隧道結中的隧穿磁電阻效應，磁性隧道結比自旋閥結構有更高的磁電阻和信號輸出屯壓，因而在存儲讀操作中有...
這些元件由兩個鐵磁性板形成，每個鐵磁板可以保持由薄的絕緣層分開的磁化。兩個板之一是設定為特定極性的永磁體；另一個板的磁化可以改變以匹配外部磁場的磁化來存儲存儲器。 這種配置被稱為磁性隧道結，是MRAM位的最簡單的結構。存儲...
非磁層為絕緣體或半導體的磁性多層膜即磁性隧道結。通常，磁性隧道結是由兩層納米磁性金屬薄膜和它們所夾的一層氧化物絕緣層，厚度約為1~1. 5納米，如圖2所示。這種磁性隧道結在橫跨絕緣層的電壓作用下，其隧道電流和隧道電阻依賴於兩...
與GMR不同的另一種結構是磁性隧道結 (MTJ)，如圖1所示。MTJ與GMR元件的最大差異是隔開兩層磁性材料的是絕緣層而非金屬層。MTJ元件是由磁場調製上下兩層磁性層的磁化方向成為平行或反平行來建立兩個穩定狀態，在反平行狀態時通過此元件...
但在一些高解析度的套用領域，例如生物磁信號探測、太空磁場測量等，目前的TMR磁場感測器的解析度等指標還不能滿足要求，關鍵的問題是TMR感測器的組成單元- - -磁性隧道結的噪聲太高，尤其是在測量靜態或低頻磁場時出現的低頻噪聲。本項目...
因此本課題基於新型自旋電子器件--自旋轉移動量矩非易失磁性隨機存儲器（STT-MRAM）構建人工神經網路的突觸，創造性地利用其在短編程脈衝下固有的、可控的隨機特性，實現低功耗認知套用。我們將對磁性隧道結（MTJ）的隨機特性進行研究和建模...
（6）磁隧道結。早在1975年,Julliere就在Co/Ge/Fe磁性隧道結(MagneticTunnelJunctions，MTJs)（註：MTJs的一般結構為鐵磁層/非磁絕緣層/鐵磁層(FM/I/FM)的三明治結構）中觀察到了TMR效應。MTJs中兩鐵磁層間不存在或基本不存在層...