《分子尺度磁隧道結的模擬研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院，由戴振翔擔任項目負責人的專項基金項目。
基本介紹
- 中文名：分子尺度磁隧道結的模擬研究
- 項目類別：專項基金項目
- 項目負責人：戴振翔
- 依託單位：中國科學院合肥物質科學研究院
- 批准號：10747161
- 申請代碼：A25
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2008-12-01
- 支持經費：2（萬元）
項目摘要
用有機分子作為隧穿勢壘的分子尺度隧道磁電阻器件具有十分巨大的潛在套用價值，必然會極大地促進磁輸運電子器件的發展。因此，分子尺度隧道磁電阻器件逐步得到人們的廣泛關注。可是到目前為止很多相關研究工作還是非常初步的，其中還有很多關鍵的問題值得進一步的研究。.本申請項目通過密度泛函理論電子結構計算和非平衡態格林函式的方法，系統地研究分子與磁性電極之間的接觸結構、各種電極表面形貌以及分子終端橋接原子對分子尺度隧道磁電阻器件磁輸運性質的影響。通過分析磁輸運性質與微觀原子結構、電子結構的關係，能夠為分子尺度隧道磁電阻器件的設計和進一步套用提供理論指導，也為實驗研究提供理論依據。
