《磁性隧道結中自旋塞貝克效應的研究》是依託北京科技大學,由王守國擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:磁性隧道結中自旋塞貝克效應的研究
- 依託單位:北京科技大學
- 項目負責人:王守國
- 項目類別:面上項目
《磁性隧道結中自旋塞貝克效應的研究》是依託北京科技大學,由王守國擔任項目負責人的面上項目。
《磁性隧道結中自旋塞貝克效應的研究》是依託北京科技大學,由王守國擔任項目負責人的面上項目。項目摘要本項目以磁性隧道結為對象,研究勢壘層兩邊鐵磁電極之間由於溫度梯度所產生的熱電勢,即自旋塞貝克效應(Spin Seebeck...
《量子點磁性隧道結中自旋相關的熱電輸運理論研究》是依託華南師範大學,由王瑞強擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 在通常的熱電輸運中引入電子自旋自由度,最近新誕生了一門自旋熱電子學(spin caloritronics),它是自旋電子學在熱電...
《電場調控CoFeB垂直磁化膜各向異性及自旋轉移矩的研究》是依託華中科技大學,由楊曉非擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 採用高自旋極化率的CoFeB基垂直磁性隧道結(PMTJ)製備自旋轉移矩磁隨機存儲器(STT-MRAM),具有臨界翻轉電流密度小...
隧道磁阻TMR:式中 和 分別為兩金屬層的自旋極化率。展望 由於MTJs中兩鐵磁層間不存在或基本不存在層間耦合,只需要一個很小的外磁場即可將其中一個鐵磁層的磁化方向反向,從而實現隧穿電阻的巨大變化,故MTJs較金屬多層膜具有高得多...
《磁性隧道結中庫侖阻塞效應調控自旋積累的現象和機制》是依託首都師範大學,由王海擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 庫侖阻塞效應和自旋積累效應之間的相互影響是納米尺度下電子電荷和電子自旋動態過程相互關聯的物理問題。由此而...
《納米電流通道結構垂直磁隧道結自旋轉移磁化反轉研究》是依託華中科技大學,由程曉敏擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 電流驅動自旋轉移(STT)磁化反轉效應能有效減小傳統MRAM存儲單元的寫入電流,是實現高密度新型STT-RAM存儲的...
《基於自旋霍爾效應磁隧道結的新一代自旋電子電路研究》是依託北京航空航天大學,由康旺擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 隨著工藝尺寸的不斷微縮,功耗成為制約傳統積體電路發展的關鍵挑戰之一。為了解決這個問題,自旋電子電路近年...
2.研究了Zn0.85-xMgxCo0.15O和CoO1-v薄膜的磁性和輸運特性。3.研究了非磁肖特基異質結中的整流磁電阻效應。4.研究了具有非對稱勢壘磁性隧道結中的自旋整流磁電阻效應。一方面,我們不僅成功製備出室溫下同時具有大的隧穿磁電阻和大...
垂直磁化磁性隧道結是下一代磁性隨機存儲器(MRAM)的核心記錄單元結構,研究其電場(又稱電壓)調控的磁化翻轉機制對於研發高密度、低能耗的MRAM至關重要。與前幾年研究較多的自旋轉移力矩效應相比,新近發現的通過電場調控垂直磁各向異性...
《磁性雙隧道結的量子輸運理論》是依託南京大學,由邢定鈺擔任項目負責人的重大研究計畫。項目摘要 磁性隧道結是自旋電子學中的重要構件,以其隧穿磁電阻效應為原理的磁隨機存儲器巳有重要套用。以二個鐵磁(FM)電極組成的FM/A/FM 雙...
磁性隧道結 指由鐵磁膜/絕緣體薄膜/鐵磁薄膜構成的三明治結構。對應於隧道結中出現的磁電阻現象稱為隧道磁電阻。隧道磁電阻來源於鐵磁層中自旋向上電子和自旋向下電子態密度的不對稱性。假設沒有自旋反轉散射 (遂穿過程中電子的自旋守恆...
項目執行期間,針對四種單分子磁體材料開展了研究。一維磁性分子線[Fem(C5H5)n] 和鈷電極組成不同接觸界面對體系巨磁電阻(GMR)效應的影響,通過對分子隧道結的自旋極化輸運計算發現了電壓控制的GMR效應,其中最大的GMR比率達到 2.0 ×...
研究領域 新型磁性功能材料及套用;拓撲磁性材料(如斯格明子);高分辨磁成像(光發射電子顯微鏡-PEEM);磁性隧道結;霍爾天平;磁熱效應與磁製冷材料等。學術任職 1、中國電子學會套用磁學分會秘書長 2、中國材料研究學會納米材料與器件...