磁性隧道結，英語縮寫MTJ。鐵磁金屬/絕緣體/鐵磁金屬的三明治結構非均勻磁系統。這種兩個鐵磁金屬膜之間（如鉻、鈷、鎳或鐵鎳）的金屬氧化物（通常為氧化鋁）勢壘的自旋極化隧穿過程也可產生巨磁阻效應。
基本介紹
- 中文名：磁性隧道結
- 定義：鐵磁金屬/絕緣體/鐵磁金屬的三明治結構非均勻磁系統
磁性隧道結，英語縮寫MTJ。鐵磁金屬/絕緣體/鐵磁金屬的三明治結構非均勻磁系統。這種兩個鐵磁金屬膜之間（如鉻、鈷、鎳或鐵鎳）的金屬氧化物（通常為氧化鋁）勢壘的自旋極化隧穿過程也可產生巨磁阻效應。
磁性隧道結 磁性隧道結，英語縮寫MTJ。鐵磁金屬/絕緣體/鐵磁金屬的三明治結構非均勻磁系統。這種兩個鐵磁金屬膜之間（如鉻、鈷、鎳或鐵鎳）的金屬氧化物（通常為氧化鋁）勢壘的自旋極化隧穿過程也可產生巨磁阻效應。
磁隧道結製備工藝是指製備隧道結所涉及的工藝技術。利用金屬掩模法製備磁性隧道結，可用於快速最佳化實驗和工藝條件，採用光刻技術中的刻槽和打孔方法及去膠掀離方法製備的磁性隧道結，經過適當的退火處理後可以獲得較高的TMR。磁隧道結 磁...
《量子點磁性隧道結中自旋相關的熱電輸運理論研究》是依託華南師範大學，由王瑞強擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 在通常的熱電輸運中引入電子自旋自由度，最近新誕生了一門自旋熱電子學（spin caloritronics），它是自旋電子學在熱電...
《磁性隧道結中自旋塞貝克效應的研究》是依託北京科技大學，由王守國擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目以磁性隧道結為對象，研究勢壘層兩邊鐵磁電極之間由於溫度梯度所產生的熱電勢，即自旋塞貝克效應（Spin Seebeck Effect）；主要...
《磁性隧道結中庫侖阻塞效應調控自旋積累的現象和機制》是依託首都師範大學，由王海擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 庫侖阻塞效應和自旋積累效應之間的相互影響是納米尺度下電子電荷和電子自旋動態過程相互關聯的物理問題。由此而...
近年來，上述難題有了突破性進展，形成了交換偏置磁隧道結（Exchange Bias MTJ: EB-MTJ）和全反鐵磁隧道結（All Antiferromagnetic Tunnel Junction: AATJ）兩條技術路徑。 磁隧道結 基於電子自旋的磁性隨機存取存儲器（Magnetic Random ...
電子從一個磁性層隧穿到另一個磁性層的隧穿幾率與兩磁性層的磁化方向有關。氧化鎂磁隧道結簡介 氧化鎂磁隧道結是指以氧化鎂為絕緣勢壘層的磁隧道結。1995年以非晶三氧化二鋁為絕緣勢壘層，分別以多晶Fe或CoFe作為鐵磁層，室溫下TMR...
《磁性隧道結中電場調控磁化翻轉的微磁學模擬研究》是依託復旦大學，由張宗芝擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 垂直磁化磁性隧道結是下一代磁性隨機存儲器（MRAM）的核心記錄單元結構，研究其電場（又稱電壓）調控的磁化翻轉機制對於研發...
《基於新型磁性隧道結器件的生物感測晶片基礎研究》是依託中國科學院理化技術研究所，由高雲華擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 本項目集成磁電子學、微電子工程學、化學、分子生物學等諸學科和相關微加工技術，研究開發新型高靈敏度的...
《鐵電壘磁性隧道結中的非對稱界面效應》是依託蘇州科技大學，由吳銀忠擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 非對稱界面是鐵電壘磁性隧道結製備過程中不可避免的，並會對隧道結的輸運性質產生重要影響。本課題採用基於密度泛函理論的第一性...
本項目將在我們前期研究磁性隧道結的隧穿磁電阻的基礎上，(1)製備出室溫下同時具有大的隧穿磁電阻和大的電致電阻的Co/CoO-ZnO/Co自旋記憶電阻器件，實現既能用磁場控制，又能用電場控制的電阻多重態；（2）研究由絕緣的CoO反鐵磁...
非磁層為絕緣體或半導體的磁性多層膜，即磁性隧道結（magnetie tunnel junetions，MTJ）。 這種磁性隧道結在橫跨絕緣層的電壓作用下，其隧道電流和隧道電阻依賴於兩個鐵磁層磁化強度的相對取向。 當此相對取向在外磁場的作用下發生改變時...
《納米電流通道結構垂直磁隧道結自旋轉移磁化反轉研究》是依託華中科技大學，由程曉敏擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 電流驅動自旋轉移（STT）磁化反轉效應能有效減小傳統MRAM存儲單元的寫入電流，是實現高密度新型STT-RAM存儲的...
因此，這種結可以在兩種電阻狀態中切換，即高阻態和低阻態。發展背景 早在1975年,Julliere就在Co/Ge/Fe磁性隧道結(MagneticTunnelJunctions，MTJs)（註：MTJs的一般結構為鐵磁層/非磁絕緣層/鐵磁層(FM/I/FM)的三明治結構）中觀察...
《融合磁學技術的納米隧道結電致發光研究》是依託華東師範大學，由張曉磊擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 本項目將利用配備低溫磁場的高分辨掃描隧道顯微鏡，結合高效率的光學收集和檢測系統，實現巨觀磁場、磁性探針以及局域化的...
因此，這種結可以在兩種電阻狀態中切換，即高阻態和低阻態。發展背景 早在1975年，Julliere就在Co/Ge/Fe磁性隧道結（MagneticTunnelJunctions，MTJs）（MTJs的一般結構為鐵磁層/非磁絕緣層/鐵磁層（FM/I/FM）的三明治結構）中觀察到...
《磁矩電調控抑制隧道結磁感測器1/f噪聲方法研究》是依託中國人民解放軍國防科技大學，由胡佳飛擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 高性能微型磁感測器在水下目標探測、地磁匹配導航、空間環境監測等國家安全技術領域具有重要套用，但...
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性的磁性隨機存儲器，它利用磁電阻效應來存儲數據。與傳統的半導體隨機存取存儲器（RAM）不同，MRAM使用磁性隧道結（MTJ）作為存儲單元，通過改變磁化方向來記錄二進制數據。背景 ...
非磁層為絕緣體或半導體的磁性多層膜即磁性隧道結。通常，磁性隧道結是由兩層納米磁性金屬薄膜和它們所夾的一層氧化物絕緣層，厚度約為1~1. 5納米，如圖2所示。這種磁性隧道結在橫跨絕緣層的電壓作用下，其隧道電流和隧道電阻依賴於兩...
將自旋閥中的中間層材料換成絕緣體，就構成了磁性隧道結的結構。磁性隧道結的核心結構為即鐵磁金屬絕緣層鐵磁金屬。當電子穿過絕緣層壁時，其隧穿幾率和自旋方向有關，故該效應即稱之為磁性隧道結中的隧穿磁電阻效應，磁性隧道結比...
這些元件由兩個鐵磁性板形成，每個鐵磁板可以保持由薄的絕緣層分開的磁化。兩個板之一是設定為特定極性的永磁體；另一個板的磁化可以改變以匹配外部磁場的磁化來存儲存儲器。 這種配置被稱為磁性隧道結，是MRAM位的最簡單的結構。存儲...
但在一些高解析度的套用領域，例如生物磁信號探測、太空磁場測量等，目前的TMR磁場感測器的解析度等指標還不能滿足要求，關鍵的問題是TMR感測器的組成單元- - -磁性隧道結的噪聲太高，尤其是在測量靜態或低頻磁場時出現的低頻噪聲。本項目...
本項目研究對象為適用於未來納米邏輯或存儲器件中、具有垂直磁各向異性的金屬薄膜，例如(Co/Pt)n或(Co/Ni)n等等，以及用這種薄膜作為自由層所構築出的垂直自旋閥和垂直鐵磁性隧道結。首先通過材料設計手段，選擇出合適的薄膜成分和結構；...
一、基於納米磁性隧道結的新型磁隨機存儲器（MRAM）的設計與製備。參與了課題組設計、製備傳統的 MRAM 的全部過程。課題組設計製備的 MRAM 原理型器件全程基於國內力量，實現了 CMOS 的設計與製備、 CMOS 表面金屬層的精細拋光 (CMP) ...
2.讀出過程讀出過程採用巨磁電阻GMR(GianMagneto Resistance)磁頭，包括磁性自旋閥(MagneticSpin Valve)與磁性隧道結(Magnetic Tunnel Junction)結構。磁性自旋閥結構為三明治式，即在兩個低矯頑力磁性層中間夾一個非磁性材料層。其中一個...
磁性隧道結 指由鐵磁膜/絕緣體薄膜/鐵磁薄膜構成的三明治結構。對應於隧道結中出現的磁電阻現象稱為隧道磁電阻。隧道磁電阻來源於鐵磁層中自旋向上電子和自旋向下電子態密度的不對稱性。假設沒有自旋反轉散射 （遂穿過程中電子的自旋...
磁性隧道結 指由鐵磁膜/絕緣體薄膜/鐵磁薄膜構成的三明治結構。對應於隧道結中出現的磁電阻現象稱為隧道磁電阻。隧道磁電阻來源於鐵磁層中自旋向上電子和自旋向下電子態密度的不對稱性。假設沒有自旋反轉散射 (遂穿過程中電子的自旋守恆...
《鐵磁-超導-半導體混雜系統中自旋輸運及磁學特性的研究》是依託南京大學，由沈瑞擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 本項目研究包括磁性隧道結，鐵磁-超導體-半導體三端子器件等在內的各種鐵磁-超導-半導體混雜體系的自旋輸運和...
主要從事“自旋電子學材料、物理和器件”研究，包括：磁性隧道結及隧穿磁電阻（TMR）效應、多種鐵磁複合隧道結（MTJ）材料、新型磁隨機存取存儲器（MRAM）、磁邏輯，自旋納米振盪器、自旋電晶體、磁電阻磁敏感測器等原理型器件的研究。已...