砷化鎵晶體生長是砷化鎵晶體在其生長的介質-液體或氣體中由小變大的過程。先決條件是其介質須有一定的過冷度或過飽和度。實際上是一個熱量、質量和動量的輸運過程。可分為等向生長、單向生長和兩向生長三種基本類型。生長機制為連續生長、借台階側向擴展而生長、二維晶核式的生長和借晶體缺陷生長。
基本介紹
- 中文名：砷化鎵晶體生長
- 含義：砷化鎵晶體在其生長的介質-液體或氣體中由小變大的過程
砷化鎵晶體生長是砷化鎵晶體在其生長的介質-液體或氣體中由小變大的過程。先決條件是其介質須有一定的過冷度或過飽和度。實際上是一個熱量、質量和動量的輸運過程。可分為等向生長、單向生長和兩向生長三種基本類型。生長機制為連續生長、借台階側向擴展而生長、二維晶核式的生長和借晶體缺陷生長。
砷化鎵晶體生長是砷化鎵晶體在其生長的介質-液體或氣體中由小變大的過程。先決條件是其介質須有一定的過冷度或過飽和度。實際上是一個熱量、質量和動量的輸運過程。可分為等向生長、單向生長和兩向生長三種基本類型。生長機制為連續生長...
垂直布里其曼法（VB法、坩堝下降法）可以說是一種生長GaAs 單晶的新方法，它綜合水平布氏法和液封直拉法的優點，可直接生長出完整性好的圓形GaAs單晶；以及還有垂直梯度凝固法（VGF法）。此外通過計算機建立模型的方式實現砷化鎵的工藝模擬...
主流的工業化砷化鎵生長工藝包括：直拉法（Cz法）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB法）以及垂直梯度凝固法（VGF法）等。以上方法各有優劣，除了實際工藝製備的方法，另外一種就是通過計算機來實現砷化鎵的晶體生長數值模擬，...
控制結晶層的厚度得到新的單晶薄膜。這樣的工藝過程稱為液相外延。這方法的優點是操作簡單，生長溫度較低，速率也較快，但在生長過程中很難控制雜質濃度的梯度等。半導體材料砷化鎵的外延層，磁泡材料石榴石薄膜生長，多半用這種方法。
直拉法晶體生長，由丘克拉斯基在1916年首創，利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。電子學和光學等現代技術所用的單晶，如矽(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、紅寶石、白寶石、釔...
《液封凝固法生長低位錯半絕緣砷化鎵晶體及晶體缺陷研究》作者是吳巨,由鄒元爔,王渭源研究員指導。副題名 外文題名 論文作者 吳巨著 導師 鄒元爔,王渭源研究員指導 學科專業 冶金物理化學 學位級別...
體單晶可以用作外延的襯底材料，也可以採用離子注入摻雜工藝直接製造積體電路（採用高質量、大截面、半絕緣砷化鎵單晶）。重點是液封直拉法（即液封喬赫拉斯基法，簡稱LEC法）,但水平舟生長法（即水平布里其曼法）因制出的單晶質量和均勻...
測量了其Z向晶片的壓電係數如，並且觀察了Z向晶片的1800°疇，結果證明除少數區域外，所生長晶體為單疇。砷化鎵 (GaAs)為第二代半導體材料，GaAs襯底質量直接影響器件性能。利用JEM-2002透射電子顯微鏡(TEM)及其主要附屬檔案X射線能量散射譜儀...
④液相外延：將生長外延層的原料在溶劑中溶解成飽和溶液。當溶液與襯底溫度相同時，將溶液覆蓋在襯底上，緩慢降溫，溶質按基片晶向析出單晶。這種方法常用於外延生長砷化鎵等材料。⑤異質外延：襯底與外延層不是同一種物質，但晶格和熱膨脹...
無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝。在單晶的生長過程中，位錯的來源一方面是來自籽晶中位錯的延伸，另一方面來自晶體內的熱應力。簡介 無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝。原理 在單晶的生長過程中，位錯的來源一方面是...
如果引用有效電荷Z*e這個概念來描述這種電荷轉移的程度，則“共價鍵”模型可認為砷化鎵晶體以共價結合為主，但混雜有部分離子結合性質，每個離子帶有效電荷Z*e。在微波套用領域，砷化鎵與矽相比有幾個明顯的優點：高遷移率，高飽合漂移速度...
砷化鎵積體電路包括了砷化鎵超高速積體電路(VHsIC)、微波單片積體電路(MMIC)和光電積體電路(OEIC)。GaAsIC主要指以GaAs半導體材料為主所製作的積體電路，其有源器件主要是金屬肖特基場效應晶體管(MESFET)和結型場效應電晶體(JFET)；同時還...
建成擁有自主智慧財產權具有國際先進水平砷化鎵單晶產業化平台，產品80%出口國際市場。2007年—至今，擔任雲南中科鑫圓晶體材料有限公司總經理。開展高效率太陽能電池用鍺單晶及晶片研究，掌握了高效率太陽能電池用鍺單晶爐設計、製造及單晶生長...
布里支曼法(crystals growth by Bridgman metthod) 是半導體晶體生長的主要方法之一。1925年美國的布里支曼(Bridgman)發明了這種生長單晶的方法，稱為布里支曼法。經完善後用來生長Ⅱ一Ⅵ族化合物晶體和砷化鎵單晶，已成為生產砷化鎵單晶的...
溶劑移動法是一種溶液生長方法。是1963年孟拉夫斯基Mlavsky)等在蒲凡(Pfann )早年報導的溫度梯度區熔( TGZM)法基礎上試圖從溶液中土長GaAs等化合物半導體而提出的。原理 基本原理是(以砷化鎵為例):兩片砷化鎵晶體，其中一片在下部作為...
柴可拉斯基法（簡稱柴氏法 英語：Czochralski process），又稱直拉法，是一種用來獲取半導體（如矽、鍺和砷化鎵等）、金屬（如鈀、鉑、銀、金等）、鹽、合成寶石單晶材料的晶體生長方法。這個方法得名于波蘭科學家揚·柴可拉斯基（Jan...
Dupret教授，1990年發表在《J. of Heat and Mass Transfer》的一篇文章：Global modelling of heat transfer in crystal growth furnaces，詳細闡述了如何建立一個晶體生長爐中全局的熱傳控制模型，並以鍺和砷化鎵爐作為模擬實例，驗證了...
已研究的砷化鎵系列太陽電池有單晶砷化鎵，多晶砷化鎵，鎵鋁砷--砷化鎵異質結，金屬-半導體砷化鎵，金屬--絕緣體--半導體砷化鎵太陽電池等。砷化鎵材料的製備類似矽半導體材料的製備，有晶體生長法，直接拉製法，氣相生長法，液相外延法等。
中國利用自選研製、發射的返回式衛星，多次搭載空間晶體爐，進行空間材料加工實驗，研究了解砷化鎵單晶、碲鎘汞晶體的生長，超導材料的燒結，鋁基碳化矽複合材料的製備，鈀鎳磷、銻化銦、銻化鎵、鋁鈮合金的生長。中國利用返回式衛星進行微重力...
電注入式半導體雷射器，一般是由砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等材料製成的半導體面結型二極體，沿正向偏壓注入電流進行激勵，在結平面區域產生受激發射。光泵式半導體雷射器，一般用N型或P型半導體單晶（...
林蘭英先後負責研製成中國第一根矽、銻化銦、砷化鎵、磷化鎵等單晶，為中國微電子和光電子學的發展奠定了基礎，負責研製的高純度汽相和液相外延材料達到國際先水平。開創了中國微重力半導體材料科學研究新領域，並在砷化鎵晶體太空生長和性質...
第2章 晶體生長 2.1 從熔融矽中生長單晶矽 2.2 矽的區熔（float－zone）法單晶生長工藝 2.3 砷化鎵晶體的生長技術 2.4 材料特性 2.5 總結 習題 參考文獻 第3章 矽的氧化 3.1 熱氧化過程 3.2 氧化過程中的雜質再...
中國利用自選研製、發射的返回式衛星，多次搭載空間晶體爐，進行空間材料加工實驗，研究了解砷化鎵單晶、碲鎘汞晶體的生長，超導材料的燒結，鋁基碳化矽複合材料的製備，鈀鎳磷、銻化銦、銻化鎵、鋁鈮合金的生長。中國利用返回式衛星進行微重力...
第5章 矽外延生長 5-1 外延生長概述 5-2 矽的氣相外延生長 5-3 矽外延層電阻率的控制 5-4 矽外延層的缺陷 5-5 矽的異質外延 第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體 6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的特性 6-2 砷化鎵單晶的生長方法 6-3...
懸浮區熔法的熔體不與容器接觸，用此法生長高純矽單晶。水平區熔法用以生產鍺單晶。水平定向結晶法主要用於製備砷化鎵單晶，而垂直定向結晶法用於製備碲化鎘、砷化鎵。用各種方法生產的體單晶再經過晶體定向、滾磨、作參考面、切片、磨片...
第5章 矽外延生長 5-1 外延生長概述 5-2 矽的氣相外延生長 5-3 矽外延層電阻率的控制 5-4 矽外延層的缺陷 5-5 矽的異質外延 第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體 6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的特性 6-2 砷化鎵單晶的生長方法 6-3...
常用的基板為 砷化鎵 （GaAs）、 磷化鎵 （GaP）、 磷化銦（InP）、 矽 （Si）、 碳化矽 （SiC）及 藍寶石 （Sapphire，Al 2 O 3 ）等等。 而通常所成長的薄膜材料主要為 三五族化合物半導體 （例如：砷化鎵（GaAs）、 砷化鎵...
《半導體材料（第二版）》是2004年科學出版社出版的圖書，作者是楊樹人。內容簡介 本書主要介紹半導體材料矽、砷化鎵等製備的基本原理，工藝和特性的控制等，全書包括：矽和鍺的化學製備，區熔提純，晶體生長，矽、鍺晶體中的雜質和缺陷，...