無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝。在單晶的生長過程中,位錯的來源一方面是來自籽晶中位錯的延伸,另一方面來自晶體內的熱應力。
基本介紹
- 中文名:無位錯單晶生長法
- 外文名:dislocation-free growth
- 學科:材料工程
- 領域:工程技術
無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝。在單晶的生長過程中,位錯的來源一方面是來自籽晶中位錯的延伸,另一方面來自晶體內的熱應力。
無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝。在單晶的生長過程中,位錯的來源一方面是來自籽晶中位錯的延伸,另一方面來自晶體內的熱應力。簡介無位錯單晶生長法是指生長無位錯單晶的工藝。原理在單晶的生長過程中,位錯的來源一方面是來...
無位錯單晶 無位錯單晶是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 位錯密度小於某一限度值的單晶。如矽單晶中的位錯密度小於500個/cm2的單晶。出處 《材料科學技術名詞》。
因此製作無位錯單晶時,需在引晶後先生長一段“細頸”單晶(直徑2~4毫米),並加快提拉速度。由於細頸處應力小,不足以產生新位錯,也不足以推動籽晶中原有的位錯迅速移動。這樣,晶體生長速度超過了位錯運動速度,與生長軸斜交的位錯...
由於其良好的熱導率及高溫力學性能、優異的半導體性質,能穩定地製備大直徑無位錯單晶(目前生產的最大直徑為250mm)。同時矽容易形成與其本體牢固結合的氧化膜,這種氧化膜可以在器件中起到隔離、掩蔽、絕緣作用,因此世界上幾乎所有的集成...
在AgCI 晶體中觀察到由於熱應力的作用,在體內小玻璃球附近產生的稜柱型位錯環和螺旋管形稜柱位錯。在矽單晶中觀察到由於雜質團的作用,產生的位錯環列。研究矽單晶中某些位錯源和位錯的增殖情況。在研究區熔法生長的矽單晶中的缺陷時,...
“晶體提拉法”是利用籽晶從熔體中提拉生長出晶體的方法。該方法能在短期內生長出大而無位錯的高質量單晶,是由捷克拉斯基 在1917年首先發明的,所以又稱捷克拉斯基法。大多數氧化物類晶體如紅寶石、藍寶石、人造釔鋁榴石(YAG)、人造...
這種方法是1918年波蘭的喬赫拉斯基(J.Czochraski)首先提出的,故稱為喬赫拉斯基法(或稱提拉法)。由於這種方法比較簡便,能生長質地優良的近完整單晶,特別是美國達什(W.C.Dash)提出縮頸-細頸工藝之後,能生長無位錯和少位錯大直徑單晶...
助熔劑法生長單晶就是從助熔劑熔體中生長單晶。這種方法的基本原理和從水溶液中生長單晶的原理類似,但是這種方法是在較高的溫度下、溶劑是熔融態的助熔劑。在長單晶時,先將製成單晶的原料溶解在低熔點的助溶劑中,使其形成過飽和溶液...