矽片的機械化學拋光原理如圖所示。拋光液用弱鹼性的膠態SiO2(粒徑10nm)水溶液。拋光布採用微細表層結構的軟質發泡聚氨基甲酸人造革。在高速高壓拋光條件下，拋光布和矽片之間形成封閉的拋光劑層。同時，在矽片表面形成軟質水合膜，拋光碟通過不斷去除水合膜進行矽片的拋光。但是，一旦拋光過程中水合膜發生破裂，會在矽片表面產生加工缺陷。
拋光是矽片的最終加工工序，要求拋光表面具有晶格完整性、高的平面度及潔淨性。使用械化學拋光法可以獲得無加工變質層的表面。為了提高拋光效率，要進行兩次拋光。在第一次拋光中，藉助於磨粒與拋光布的機械作用，破壞矽片表面的水合膜進行高效拋光。因此，必須採用大粒度的磨粒和透氣性能好的拋光布以形成較薄的水合膜，其目的是為獲得矽片的厚度、平面度等。一次拋光的去除量是1.5μm左右，一次拋光使用的拋光液是在SiO2懸浮液中添加NaOH,KOH 等鹼性添加劑，使拋光液的pH=11。一次拋光用的拋光布是用漫透聚氨基甲酸乙酯的無紡布。
二次拋光用的拋光布是用發泡聚氨基甲酸乙酯人造革。二次拋光是精拋光，是通過不斷去除水合膜來進行無損傷拋光。二次拋光用的是添加鹼或氨的拋光液，pH=9。二次拋光的加工量一般在1μm以下。
矽片拋光裝置有單面拋光和雙面拋光兩種。雙面拋光可提高拋光效率和加工精度。
