真空多靶位控濺射系統

真空多靶位控濺射系統是一種用於物理學領域的科學儀器，於2011年4月26日啟用。

基本介紹

• 中文名：真空多靶位控濺射系統
• 產地：中國
• 學科領域：物理學
• 啟用日期：2011年4月26日

技術指標

濺射室尺寸：Φ450×280；極限真空：6.6×10-5Pa 靶尺寸3×Φ60，樣品尺寸：Φ40， 三靶共濺或直濺 樣品台室溫~500℃；射頻電源：1套500W；（瀋陽，帶轉換） 直流電源：2套500W； 鍍膜過程採用計算機控制，具有：樣品轉盤復位功能；確認靶位功能；鍍膜時間控制功能；樣品轉盤迴轉控制功能；靶級遮擋功能。磁動力傳動桿可以從樣品庫傳送樣品到樣品架；預處理室：反濺射清洗，原位退火400℃。

主要功能

主要用於納米級的單層及多層功能膜-各種硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜、鐵磁膜和磁性薄膜等的研究開發。廣泛套用於半導體行業、微電子及新材料領域。