薄膜濺射沉積系統是一種用於統計學領域的分析儀器,於2016年12月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:薄膜濺射沉積系統
- 產地:中國
- 學科領域:統計學
- 啟用日期:2016年12月1日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
本底真空:10e-8 torr;成膜均勻性<3%;同時裝載5個靶位。
主要功能
可用於製作鐵磁材料薄膜、氧化物薄膜等。
薄膜濺射沉積系統是一種用於統計學領域的分析儀器,於2016年12月1日啟用。
磁控濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2010年6月1日啟用。技術指標 (1)真空鍍膜室,304 SS;(2)真空抽氣系統,TMH/U 521C;(3)真空測量系統,KJLC/MKS 979;(4)檢壓計,MKS 626A;(5)濺射源,...
氣體質量流量計均採用MKS品牌,工藝氣體流量控制精度優於#177;1%。主要功能 該磁控濺射氣相沉積系統主要用於製備半導體電子功能薄膜以及多層膜,金屬導電薄膜材料等。通過反應濺射以及共濺射技術實現對電子薄膜材料結構,組分的精確控制。
脈衝雷射濺射沉積系統 脈衝雷射濺射沉積系統是一種用於物理學領域的計量儀器,於2009年12月30日啟用。技術指標 真空室450mm、極限真空1*10-5Pa、襯底最大700℃。主要功能 氧化物薄膜製備。
對待處理工件或樣品進行表面清洗。2.離子束濺射沉積:用低能濺射氣體離子源實現濺射沉積薄膜。3.金屬、氣體離子注入,混合注入、單注入、反衝注入。4.離子束輔助/增強沉積:用中高能氣體/金屬離子束對濺射沉積薄膜實現離子束增強沉積。
濺射的電壓越大,氧負離子轟擊膜層表面的能量也越大,那么造成這種結構缺陷的幾率就越大,產生晶體結構缺陷也越嚴重,從而導致了ITO薄膜的電阻率上升,一般情況下,磁控濺射沉積ITO薄膜時的濺射電壓在-400V左右,如果使用一定的工藝方法將...