| 中文名稱 | 熱化學氣相沉積 |
| 英文名稱 | thermal chemical vapor deposition |
| 定 義 | 在800~2000℃的高溫反應區，利用電阻加熱，高頻感應加熱和輻射加熱的化學氣相沉積。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），材料科學技術基礎（二級學科），材料合成、製備與加工（三級學科），薄膜製備技術（四級學科） |
| 中文名稱 | 熱化學氣相沉積 |
| 英文名稱 | thermal chemical vapor deposition |
| 定 義 | 在800~2000℃的高溫反應區，利用電阻加熱，高頻感應加熱和輻射加熱的化學氣相沉積。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），材料科學技術基礎（二級學科），材料合成、製備與加工（三級學科），薄膜製備技術（四級學科） |
化學氣相沉積是一種化工技術,該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相澱積是近幾十年發展...
熱化學氣相沉積(TCVD)是指利用高溫激活化學反應進行氣相生長的方法。廣泛套用的TCVD技術如金屬有機化學氣相沉積、氯化物化學氣相沉積、氫化物化學氣相沉積等均屬於熱...
中文名稱 熱化學氣相沉積 英文名稱 thermal chemical vapor deposition 定義 在800~2000℃的高溫反應區,利用電阻加熱,高頻感應加熱和輻射加熱的化學氣相沉積。 套用...
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition 簡稱CVD) 是利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固界面上發生反應生成固態沉積物的過程。...
按狀態變化過程的不同,反應熱可分為等壓反應熱、等容反應熱;按化學變化的類別不同,反應熱可分為生成熱、燃燒熱、中和熱等等。熱化學氣相沉積 編輯 ...
有機金屬化學氣相沉積法 (MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition) ,是在基板上成長 半導體 薄膜的一種方法。...
低溫化學氣相沉積技術(簡稱PCVD),是作為CVD和PVD技術補充而發展起來的。具有設備簡單、工件變形小、繞PCVD技術沉積溫度<600℃拓寬了基體材料適用範圍,鍍性能好、塗層...
金屬有機物化學氣相沉積(metal organic chemical vapour deposition)是一種利用有機金屬熱分解反應進行氣相外延生長薄膜的化學氣相沉積技術。...
化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成塗層或納米材料的方法,是半導體工業中套用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術,包括大範圍的絕緣材料,大多數...
電漿化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用電漿激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。按產生電漿的方法,...
電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)...... 電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD) ...
氣相沉積技術是利用氣相中發生的物理、化學過程,在工件表面形成功能性或裝飾性的金屬、非金屬或化合物塗層。氣相沉積技術按照成膜機理,可分為化學氣相沉積、物理氣相...
氣相沉積技術是利用氣相中發生的物理、化學過程,改變工件表面成分,在表面形成具有特殊性能(例如超硬耐磨層或具有特殊的光學、電學性能)的金屬或化合物塗層的新技術。...
化學氣相沉積制粉法是利用揮發性金屬化合物蒸氣分解或與其他氣體間的化學反應獲得超細粉末的一種粉末製取方法。...
氣相沉積套用技術作者王福貞,馬文存,本書在第1篇中全面闡述了化學氣相沉積、物理氣相沉積、電漿增強化學氣相沉積的技術基礎、技術原理、新的沉積技術、工藝過程、...
《化學氣相沉積:從烴類氣體到固體碳》是一本於2008年4月14日科學出版社出版的圖書。本書主要講述了從烴類氣體到固體碳化學反應工程原理,不同沉積實驗條件下生成...
金屬有機化合物化學氣相沉積metal or}amr c}}n:rpouruirhrmic}l }}po】一dcFx}sition ; MDCVh用金屬有機化合物熱分解進行氣相外延生長的方法。...
化學氣相沉積——從烴類氣體到固體碳 當代傑出青年科學文庫 張偉剛 著 科學出版社 2007年8月出版 定價:48.00 語種:中文 標準書號:978-7-03-019697-2 裝幀:...
中文名稱 雷射熱化學氣相沉積 英文名稱 laser thermal chemical vapor deposition 定義 雷射的能量只用於局部加熱基底,沉積只發生在基底被加熱的部分的化學氣相沉積...
中文名稱 直流熱陰極電漿化學氣相沉積 英文名稱 direct current hot cathode plasma chemical vapor deposition 定義 採用高溫熱陰極以及在大的放電電流和高的氣體...
化學沉積是利用一種合適的還原劑使鍍液中的金屬離子還原並沉積在基體表面上的化學還原過程。與電化學沉積不同, 化學沉積不需要整流電源和陽極。...
化學氣相沉積碳化矽纖維增強金屬間化合物複合材料CVD製備方法 編輯 此類複合材料的製備工藝主要有真空熱壓、熱等靜壓、超塑成型/擴散結合和電子束氣相沉積等。...
化學氣相沉積是通過氣相物質在工件表面上進行化學反應,反應生成物在工件表面形成固態膜層的工藝方法。它採用含有成膜元素的物質達到沉積單晶、多晶或非晶的薄膜,套用...
廣義上講,化學氣相沉積反應器的設計可分成常壓式和低壓式,熱壁式和冷壁式。常壓式反應器運行的缺點是需要大流量攜載氣體、大尺寸設備,膜被污染的程度高;而低壓...
氣相外延是一種單晶薄層生長方法。氣相外延廣義上是化學氣相沉積的一種特殊方式,其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續,而且與襯底的晶向保持對應的關係。...
這種塗層結構具有極高的耐磨性、抗熱震性及韌性,並可通過高溫化學氣相沉積(HT-CVD)工藝在刀片表面沉積Al2O3、TiN等抗高溫氧化性能好、與被加工材料親和力小、自...