溝道長度調製效應

溝道長度調製效應是指MOS電晶體中，柵下溝道預夾斷後、若繼續增大Vds，夾斷點會略向源極方向移動。導致夾斷點到源極之間的溝道長度略有減小，有效溝道電阻也就略有減小，從而使更多電子自源極漂移到夾斷點，導致在耗盡區漂移電子增多，使Id增大的效應。

基本介紹

• 中文名：溝道長度調製效應
• 外文名：Channel length modulation
• 性質：MOS結構的二級效應
• 領域：電子

以在加柵壓Vgs且形成導電溝道的情況下的NMOSFET為例。若漏源電壓Vds增大至不可忽略，溝道電壓降增大直至Vgd=VT時，由於柵漏之間電壓差降低，漏端附近反型層消失，稱為溝道夾斷。若繼續增大Vds，夾斷點將向源端移動，故"看起來"，有效溝道長度減小，稱為溝道調製效應。

對於長溝器件而言，溝道變化長度△L遠小於原溝道長度，即△L可忽略，但在積體電路特徵尺寸逐漸縮小的今天，溝道調製效應帶來的影響愈加不可忽視。