柵漏

柵漏是提出了一種基於左手介質的新型介質柵漏波天線,並採用多模網路與嚴格模匹配相結合的方法,對該左手介質柵天線的輻射特性進行了仔細嚴格的分析.文中給出了漏波係數隨天線結構參數變化的關係以顯示該左手介質天線特有的性質.數值結果表明這種新型漏波天線比傳統介質柵天線具有更強的輻射能力.討論了產生這種現象的原因.

柵漏

提出了一種基於左手介質的新型介質柵漏波天線,並採用多模網路與嚴格模匹配相結合的方法,對該左手介質柵天線的輻射特性進行了仔細嚴格的分析.文中給出了漏波係數隨天線結構參數變化的關係以顯示該左手介質天線特有的性質.數值結果表明這種新型漏波天線比傳統介質柵天線具有更強的輻射能力.討論了產生這種現象的原因.

基於TCAD的低壓溝槽MOSEFT柵漏電荷的研究 中文摘要：對於低壓功率溝槽MOSFET的開關性能，柵－漏電荷Qgd是一個重要的參數。本文利用數值模擬軟體TCAD（器件與工藝計算機輔助設計），研究了氧化層厚度、溝道雜質分布、外延層雜質濃度及溝槽深度等參數對功率溝槽MOSFET的柵－漏電容Cgd的影響以及柵－漏電荷Qgd在開關過程中的變化，指出了在工藝設計上減小柵－漏電容Cgd,降低器件優值，提高開關性能的途徑。關鍵字：低壓溝槽MOSFET；柵－漏電荷；模擬；器件與工藝計算機輔助設計中圖分類號：TN386文獻標識碼：A文章編號：1008-0570(2007)09-2-0297-03作者簡介：沈偉星（1957－），男，江蘇武進人，上海大學微電子中心講師，目前主要從事功率器件和ESD研究。

基於TCAD的低壓溝槽MOSEFT柵漏電荷的研究

中文摘要：對於低壓功率溝槽MOSFET的開關性能，柵－漏電荷Qgd是一個重要的參數。本文利用數值模擬軟體TCAD（器件與工藝計算機輔助設計），研究了氧化層厚度、溝道雜質分布、外延層雜質濃度及溝槽深度等參數對功率溝槽MOSFET的柵－漏電容Cgd的影響以及柵－漏電荷Qgd在開關過程中的變化，指出了在工藝設計上減小柵－漏電容Cgd,降低器件優值，提高開關性能的途徑。關鍵字：低壓溝槽MOSFET；柵－漏電荷；模擬；器件與工藝計算機輔助設計中圖分類號：TN386文獻標識碼：A文章編號：1008-0570(2007)09-2-0297-03作者簡介：沈偉星（1957－），男，江蘇武進人，上海大學微電子中心講師，目前主要從事功率器件和ESD研究。