基本介紹
- 中文名：耗盡區
- 外文名：The depletion region
- 類型：耗盡區
- 屬於：電路
物理專業名詞耗盡區：
耗盡區是指在半導體pn結、肖特基結、異質結中,由於界面兩側半導體原有化學勢的差異導致界面附近能帶彎曲,從而形成能帶彎曲區域電子或空穴濃度的下降的界面區域。...
耗盡層,是指PN結中在漂移運動和擴散作用的雙重影響下載流子數量非常少的一個高電阻區域。耗盡層的寬度與材料本身性質、溫度以及偏置電壓的大小有關。...
pn結耗盡層是半導體器件中採用最廣泛的一個概念,即認為pn結的空間電荷區是一個完全不存在載流子的區域,稱為pn結耗盡層;這實際上對於一般的pn結都是一種很好的近似...
深耗盡狀態(Deep depletion condition)是半導體表面或者界面的一種特殊的載流子被耗盡的狀態。...
由於SOI的介質隔離,製作在厚膜SOI結構上的器件正、背界面的耗盡層之間互相不影響,在它們中間存在一層中性體區,這一中性體區的存在使得矽體處於電學浮空狀態,產生了...
專利權用盡原則(patent exhaustion),是指專利權人自己或者許可他人製造的專利產品(包括依據專利方法直接獲得的產品)被合法地投放市場後,任何人對該產品進行銷售或使用...
形成了所謂耗盡區,當漏極電源電壓ED一定時,如果柵極電壓越負,PN結交界面所形成的耗盡區就越厚,則漏、源極之間導電的溝道越窄,漏極電流ID就愈小;反之,如果...
在一個n溝道"耗盡模式"器件,一個負的柵源電壓將造成一個耗盡區去拓展寬度,自邊界侵占溝道,使溝道變窄。如果耗盡區擴展至完全關閉溝道,源極和漏極之間溝道的...
厄利效應(英語:Early effect),又譯厄爾利效應或譯歐萊效應,也稱基區寬度調製效應,是指當雙極性電晶體(BJT)的集電極-發射極電壓VCE改變,基極-集電極耗盡寬度WB-C(...
加反向電壓升高時,一方面會使耗盡區變寬,也相當於對電容的充電。加反向電壓減少時,就是P區的空穴、N區的電子向耗盡區流,使耗盡區變窄,相當於放電。...
厄利效應(英語:Early effect),又譯厄爾利效應,也稱基區寬度調製效應,是指當雙極性電晶體(BJT)的集電極-射極電壓VCE改變,基極-集電極耗盡寬度WB-C(耗盡區大小)也...
同時襯底內耗盡區沿溝道寬度側向展寬部分的電荷使閾值電壓增加。當溝道寬度減小到與耗盡層寬度同一量級時,閾值電壓減小變得十分顯著。短溝道器件閾值電壓對溝道長度...