源極(source electrode)是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名:源極
- 外文名:source electrode
- 所屬學科:電氣工程
- 公布時間:1998年
源極(source electrode)是1998年公布的電氣工程名詞。
源極(source electrode)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電氣工程名詞》第一版。1...
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聶源極,男,漢族,重慶江津人,1982年6月生,本科學歷,2004年8月參加工作,2006年2月加入中國共產黨。現任湖北省宜昌高新區管委會副主任。人物履歷 2000.09--2004.07 重慶工商大學漢語言文學系新聞秘書專業學習,大學畢業 2004.07...
Vss 源極電源電壓, 在 CMOS 電路中指負電源, 在單電源時指零伏或接地。產品簡介 Vdd,Vss在MOS電路中出現,和漏極(Drain),源極(Source)有關,也是一正一負。VSS:S=series 表示公共連線的意思,通常指電路公共接地端電壓。當...
MOS管的source(源極)和drain(漏極)是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。分類 場效應管分為PMOS管(P溝道型)...
在一般分散式金氧半場效電晶體組件中,通常把基極和源極接在一起,故分散式金氧半場效電晶體通常為三端組件。而在積體電路中的金氧半場效電晶體通常因為使用同一個基極(common bulk),所以不標示出基極的極性,而在PMOS的柵極端多...
結型場效應電晶體是一種具有放大功能的三端有源器件,是單極場效應管中最簡單的一種,它可以分N溝道或者P溝道兩種。基本概念 結型場效應電晶體(Junction Field-Effect Transistor,JFET):JFET是由p-n結柵極(G)與源極(S)和漏極(D...
金屬氧化物半導體場效應(MOS)電晶體可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道矽MOS場效應電晶體在N型矽襯底上有兩個P+區,分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型矽表面呈現P型反型層...
場效應管根據三極體的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐,屬於電壓控制型器件。場效應電晶體(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由...
MOS管開關電路是利用一種電路,是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道,所以開關電路也主要分為兩種。P溝道MOS管開關電路 PMOS的特性,Vgs小於一定的值就會導通,適合用於...
在電子學中,共源放大器, 又稱共源極(common-source)放大器,是場效應管(field-effect transistor (FET))放大器電路的三種基本組成方式之一(另外兩種為共柵極和共漏極),通常被用在電壓或跨導放大器中。辨識一個場效應管放大器...
無結場效應電晶體(Junctionless Field Effect Transistor, JLT)是場效應電晶體的一種,由源極、漏極及中間的金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor, MOS)電容結構構成。與傳統的金屬-氧化物-半導體場效應電晶體(Metal-Oxide-...
如圖1中所示的液晶顯示器,其主要包含:液晶顯示面板(LCD面板)和液晶顯示面板驅動裝置,該驅動裝置包括源極驅動器(Source Driver)、柵極驅動器(Gate Driver)、時序控制器(T-con)等組件;傳送到液晶顯示器的信號主要包括:R、G、B是圖象顯示...
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肖特基勢壘源和漏的MOSFET(Schottky barrier source and drain MOSFET),簡稱為肖特基勢壘MOSFET或者SB-SDMOSFET或者SB-MOSFET 。這種結構MOSFET的源極和漏極都採用肖特基勢壘,即採用肖特基金屬代替了傳統MOSFET中源極、漏極的摻雜區的p-n...
場效應管根據三極體的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐,屬於電壓控制型器件。場效應電晶體(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由...
共源共柵極 共源共柵極,由共源極和共柵極的級聯形成的結構。可以增大增益,起放大器的作用;也可以構成恆定電流源。
溝道長度調製效應是指MOS電晶體中,柵下溝道預夾斷後、若繼續增大Vds,夾斷點會略向源極方向移動。導致夾斷點到源極之間的溝道長度略有減小,有效溝道電阻也就略有減小,從而使更多電子自源極漂移到夾斷點,導致在耗盡區漂移電子增多,...
N溝道耗盡型MOS管組成的共源極放大電路場效應管的柵極通過電阻Rg接地,源極通過電阻Rs接地。這種偏置方法靠漏極電流Id在源極電阻Rs上產生的電壓為柵源極提供一個偏置電壓Ugs,故稱為自偏壓電路。場效應管 場效應管也是非線性器件,在...
然後在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化矽(SiO2)絕緣層,在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極(通常是多晶矽),作為柵極G。在襯底上也引出一個電極B,這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(...