渡越時間（transit time）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：渡越時間
- 外文名：transit time
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
公布時間,出處,
渡越時間
相關詞條
- 渡越時間
渡越時間（transit time）是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
- 渡越時間測試系統
渡越時間測試系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器，於2010年3月31日啟用。技術指標 遷移度 : 10-7～10-1 cm2/Vsec； 樣品厚度 : 0.1μm～幾個 μm； 遷移時間 : 大於 10 nsec； 樣品溫度範圍 : -100℃～200℃...
- 基區渡越時間
對於雙極型電晶體，少數載流子渡越中性基區的時間τB即稱為基區渡越時間；它與基區寬度W直接有關：因為 In = Aqnp(x)v(x)，dx = v(x) dt，則得到 τB = ∫o [1/v(x)] dx = ∫o [Aqnp(x)/In]dx ≈ QB / ...
- 時間壓縮復用
一用於生成多層壓縮視頻信號的傳輸或多路復用層的信號的中間層同步的裝置，在系統的編碼端包括含時間標誌基準的裝置，由各電路的渡越時間刷新差值時間標誌。在系統的接收端，一計數器回響受控接收機時鐘信號對計數器的計數值進行取樣。從...
- 微波管
一種是縮小管內電極間距以減小渡越時間影響，使靜電控制電子管延伸至微波波段。屬於這一類的即微波三、四極管。另一種是改變低頻電子管的傳統工作原理，把渡越時間的有害作用化為有利作用，做出了一系列工作於微波波段的電真空器件。屬...
- 微波二極體
如勢壘注入渡越時間二極體（BARITT），碰撞雪崩渡越時間二極體（IMPATT），限制空間電荷積累二極體（LSA），耿氏二極體（Gunn），俘獲電漿雪崩二極體（TRAPATT）以及變容二極體等。所有這些二極體都是利用負阻效應將直流電能直接轉換為輻射...
- 載流子遷移率
渡越時間(TOP)法適用於具有較好的光生載流子功能的材料的載流子遷移率的測量，可以測量有機材料的低遷移率。在樣品上加適當直流電壓，選側適當脈衝寬度的脈衝光，通過透明電極激勵樣品產生薄層的電子一空穴對。空穴被拉到負電極方向，作...
- 超快光譜測試系統
（5） 圖像最高解析度：最高可達8192×8192 （6） 功能：FLIM、FCS、FCCS、FLITS、PLIM、Z-stack FLIM、Mosaic FLIM 3. 探測器 （1） 回響範圍：300nm to 720nm （2） 量子效率：45% at 500nm （3） 脈衝渡越時間：120ps...
- 微波電子管
對於長波、中波、短波無線電波,信號周期較大,電子渡越時間比信號周期小得多，電子在飛越電極間的空間時，信號相位變化極小。因此，可以認為電子是無慣性地越過了電極之間的空間。例如，頻率為1兆赫時,周期為一百萬分之一秒，電子渡越時間...
- 特徵頻率(表征電晶體在高頻時放大能力的一個基本參量)
BJT的特徵頻率ft可用電子從發射極到集電極之間的有效渡越時間τec來表示為：ft = （2 π τec）-1 ，式中τec =τE +τB +τD +τC，τE = (kT/q Ic) CjE 是發射結的充電時間，τB ≈τF 是電子渡越中性基區的...
- Gunn二極體
根據“Gunn疇渡越時間（L / vs ）» 輸出交變信號的周期（1/ f）”，可以估算出Gunn振盪的頻率為 f » vs / L µ 1/ L , 或者 f L ≈ vs ≈10cm/s（對GaAs和InP）。按照Gunn二極體有源區長度L和工作...
- 無增益微通道板選通X射線皮秒分幅技術的研究
《無增益微通道板選通X射線皮秒分幅技術的研究》是依託深圳大學，由蔡厚智擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 傳統的X射線分幅相機的時間解析度已達35 ps，由於微通道板（microchannel plate, MCP）中電子的渡越時間彌散較大，...
- 包絡峰值檢測法
也就是說，回波前沿到達的時間t0與回波峰值時間tp的時間差基本固定。所以，只要通過包絡峰值檢測確定回波峰值時間tp，再減去固有時間差Δt = tp － t0，就能確定回波前沿到達的時間，也就可以精確得出渡越時間。
- 半導體光電二極體
③ 載流子漂移穿過耗盡層的有限渡越時間引起的延遲。足夠大的反向偏流下，載流子以散射限制速度υs漂移,則渡越時間延遲τd由耗盡層寬度ω決定:τd=ω/υs，渡越時間允許的最高調製頻率f f≈2.8/2πτd 因此，光電二極體的回響...
- 表面波聲光偏轉器
表面波聲光偏轉器的分辨力就是超聲渡越時間的倒數，超聲渡越時間是指超音波穿越雷射束需要的時間，它決定了在一定頻寬的情況下，能夠掃描的光點數或信息處理容量。要保證表面波聲光偏轉器的分辨力儘可能高，應該從兩個方面考慮，增大...
- 韋文生(溫州大學物理與電子信息工程學院副院長)
[1] 韋文生，太赫茲渡越時間器件開關瞬態電流波形及參數測量裝置，授權發明專利，申請號：ZL201910968079.X，2020.09.29。[2] 韋文生，一種太赫茲渡越時間器件半正弦電流脈衝可靠性試驗裝置，授權發明專利，專利號：ZL201911245889.9，2020...
- 雪崩二極體
雪崩二極體是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。器件特點 PN結有單嚮導電性，正向電阻小，反向電阻很大。當反向電壓增大到一定數值時，反向電流突然增加。就是反向電擊穿。它分雪崩擊穿和齊納...
- Transition(英語單詞)
transition time 瞬變時間，渡越時間；遷移時間 gradual transition 漸變；逐次躍遷；緩變結 phase transition temperature 相變溫度；相轉變濕度 雙語例句 1、The transition from school to work can be difficult. 從在學校念書到上班...
- 半導體器件物理(第2版)
5.4.2 渡越時間截止頻率f0 （292）5.4.3 最高振盪頻率fM （292）5.5 短溝道JFET和MESFET （293）5.5.1 短溝道JFET和MESFET中的遷移率調製效應 （293）5.5.2 短溝道JFET和MESFET的電流—電壓方程 （295）思考題與習題 （...
- 中國科學院研究生院教材:先進機器人控制
5.7.1渡越時間測量距離方法 5.7.2三角測量方法 5.7.3基於結構光的距離測量方法 5.8視覺感測器 5.8.1光導管攝像機 5.8.2數碼攝像機 5.9接觸和觸覺感測器 5.9.1接觸感測器 5.9.2壓阻式觸覺感測器 5.9.3電容式觸覺感測器...
- 耿氏效應
振盪周期一般與樣品的長度成反比，接近於兩個電極之間電子的渡越時間。 晶體的方向、電阻率以及溫度均未發現對振盪頻率有顯著的影響。電子在半導體導帶各個能谷之間的轉移是Gunn效應的基礎。通常，砷化鎵等Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的導帶有兩個...
- 里德二極體
里德二極體是重要的微波、毫米波有源器件——IMPATT二極體（碰撞電離雪崩渡越時間二極體）的一種基本結構。里德二極體（Read diode）： 這種二極體具有p+-n-i-n+型式；在反向電壓下，其中p+-n結勢壘中的電場最強，很容易發生雪崩倍增...
- 隧道效應(量子物理現象)
隧道二極體正向伏安特性中有一段負阻區，而且它還是一種多數載流子效應,沒有渡越時間的限制，所以隧道二極體可用作低噪聲的放大器、振盪器或高速開關器件，頻率可達毫米波段。它作為器件的缺點是功率容量太小。隧道過程中,常常有電子－聲子...
- 數字積體電路分析與設計(2013年國防工業出版社出版的圖書)
4．4．4 渡越時間 73 4．5 短溝道MOSFET 74 4．5．1 短溝道效應 75 4．5．2 窄溝道效應 75 4．5．3 漏導致的勢壘降低 75 4．5．4 溝道長度調製 75 4．5．5 依賴電場的遷移率和速度飽和 77 4．5．6 短溝道...
- 轉移電子效應
依據器件有源區的長度、摻雜濃度和工作頻率，可以有幾種不同的工作模式，即Gunn疇渡越模式、Gunn疇延遲模式、Gunn疇淬滅模式、積累層渡越模式和限制空間電荷積累的模式。TED的輸出微波功率略低於IMPATTD（雪崩渡越時間二極體），但是其噪聲...
- 微波振盪源
在半導體技術發展的基礎上，1957年發明了隧道二極體，此後陸續出現了電子轉移器件、雪崩渡越時間二極體等(見雪崩二極體)，並由它們構成了微波振盪源。與此同時，原用於低頻的電晶體在結構、材料和工藝方面經過不斷的改進，也能用來產生微波...
- 李安華(中山大學腫瘤防治中心超聲心電科主任醫師)
4．在國內首次報導利用超聲造影劑測定肝動靜脈渡越時間的臨床研究。學術任職 廣東省超聲醫學工程學會 會長中國超聲醫學工程學會 副會長中國生物醫學工程學會超聲分會 副主任委員中國醫藥教育協會超聲專業委員會 副主任委員中國抗癌協會...
