里德二極體（Read diode）：
這種二極體具有p+-n-i-n+型式；在反向電壓下，其中p+-n結勢壘中的電場最強，很容易發生雪崩倍增現象。它是重要的微波、毫米波有源器件——IMPATT二極體（碰撞電離雪崩渡越時間二極體）的一種基本結構。
Read二極體
Read二極體二極體在工作時，外加有較大的直流反向電壓（要大於器件的雪崩擊穿電壓），並要使得n區和i區全部耗盡（其中存在有強的電場）；雪崩區在p+-n勢壘處（寬度很窄），n區和i區幾乎都是載流子的漂移區；利用雪崩倍增和漂移渡越這兩種過程所造成的延遲作用即可產生微波振盪。其基本結構是Read二極體的結構（見圖示），即內部具有p-n-i-n型式。
