基本信息
中文名稱:氧化銦
中文別名:氧化銦(III);納米氧化銦;三氧化二銦;氧化銦/納米氧化銦;
英文名稱:Indium Oxide
英文別名:Diindium trioxide,Indium sesquioxide;Indium(III) oxide;Diindium trioxide Indium sesquioxide;
Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide;
CAS號:1312-43-2
分子式:In2O3
分子量:277.63400
精確質量:277.79200
PSA:43.37000
雜質要求
In2O3含量:99.99%,(其它雜質以%計)
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氯化物<=0.001
| 硫酸鹽<= 0.002
| 氮化合物<=0.003
| Cu <=0.0002
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Pb <=0.0004
| Cd <=0.00079
| Ti <=0.0003
| Sn <=0.00063
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Al<=0.0002
| Fe <=0.0015
| Ag<=0.00005
| 其它再議
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包裝
本產品可按用戶要求,裝入塑膠桶,熱塑套管封口。
包裝(Package): 20公斤/袋
用途
電阻式觸控螢幕中經常使用的原材料,主要用於螢光屏、玻璃、陶瓷、化學試劑等。另外,廣泛套用於
有色玻璃、陶瓷、
鹼錳電池代汞緩蝕劉、化學試劑等傳統領域。近年來大量套用於光電行業等高新技術領域和軍事領域,特別適用於加工為銦錫氧化物(ITO)
靶材,製造透明電極和透明熱反射體材料,用於生產平面
液晶顯示器和除霧冰器。
編號系統
CAS號:1312-43-2
MDL號:MFCD00011060
EINECS號:215-193-9
RTECS號:NL1770000
PubChem號:24852170
物性數據
1.性狀:白色或淡黃色無定型粉末,加熱轉變為紅褐色。
2.密度(g/mL,25℃):7.179
3.熔點(ºC):2000
4.蒸氣壓(mmHg,25ºC):<0.01
5.溶解性:不溶於水,溶於熱的無機酸
毒理學數據
急性毒性:大鼠口經LD:>10gm/kg;小鼠引入腹膜LDLo:5gm/kg;小鼠口經LDLo:10gm/kg
生態學數據
通常來說對水是無害的,若無政府許可,勿將材料排入周圍環境。
分子結構數據
1、單一同位素質量:277.7925 Da
2、標稱質量:278 Da
3、平均質量:277.6342 Da
計算化學數據
1.疏水參數計算參考值(XlogP):無
2.氫鍵供體數量:0
3.氫鍵受體數量:3
4.可旋轉化學鍵數量:0
5.互變異構體數量:無
6.拓撲分子極性表面積3
7.重原子數量:5
8.表面電荷:0
9.複雜度:0
10.同位素原子數量:0
11.確定原子立構中心數量:0
12.不確定原子立構中心數量:0
13.確定化學鍵立構中心數量:0
14.不確定化學鍵立構中心數量:0
15.共價鍵單元數量:5
性質與穩定性
在氫氣或其他還原劑存在下,加熱至400~500℃可還原成金屬銦或低價銦的氧化物。
在高溫下分解為低級氧化物。另外,在高溫下可與金屬銦發生反應,低溫灼燒生成的In2O3雖易溶於酸,但經過高溫處理得越完全就越難溶,吸濕性也消失了。三氧化二銦在赤熱狀態下用氫氣還原時,則生成金屬銦。
貯存方法
保持貯藏器密封、儲存在陰涼、乾燥的地方,確保工作間有良好的通風或排氣裝置。
合成方法
1.將高純金屬銦在空氣中燃燒或將碳酸銦煅燒生成In2O、InO、In2O3,精細控制還原條件可製得高純In2O3。也可用噴霧燃燒工藝製得平均粒徑為20nm的三氧化二銦陶瓷粉。
2.將氫氧化銦灼燒製備三氧化二銦時,溫度過高的話,In2O3有熱分解的可能性,若溫度過低則難以完全脫水,而且生成的氧化物具有吸濕性,因此,加熱溫度和時間是重要的因素。另外,因為In2O3容易被還原,所以必須經常保持在氧化氣氛中。
3.將氫氧化銦在空氣中,於850℃灼燒至恆重,生成In2O3,再在空氣中於1000℃加熱30min。其他硝酸銦、碳酸銦、硫酸銦在空氣中灼燒也可以製得三氧化二銦。
用途
1.用作光譜純試劑和電子元件的材料等
2.用於金屬反射鏡面的保護塗層、光電顯示半導體薄膜,也用於製造銦鹽、玻璃。
安全信息
危險運輸編碼:UN 1993 3/PG 2
危險品標誌:刺激
危險標識:R36/37/38