當金屬在高溫下與各種氣體接觸時,會發生反應,在表面會生成化合物固體膜。
基本介紹
- 中文名:氧化生長
- 分類:化學名詞
- 詞性:名詞
- 學科:化學
當金屬在高溫下與各種氣體接觸時,會發生反應,在表面會生成化合物固體膜。
氧化生長 分類 化學名詞 詞性 名詞 學科 化學當金屬在高溫下與各種氣體接觸時,會發生反應,在表面會生成化合物固體膜。氧化是金屬在高溫下受氧化性氣氛的侵蝕,在...
氧化(oxidation),狹義的意思為氧元素與其他的物質元素髮生的化學反應,也是一種重要的化工單元過程。廣義的氧化,指物質失電子(氧化數升高)的過程。...
氧化反應是指物質與氧發生的化學反應,氧氣在此過程中提供氧。狹義的氧化反應指物質與氧化合;還原反應指物質失去氧的作用。氧化時氧化值升高;還原時氧化值降低。氧化...
金屬鈍化理論認為,鈍化是由於表面生成覆蓋性良好的緻密的鈍化膜。大多數鈍化膜是由金屬氧化物組成,故稱氧化膜。如鐵鈍化膜為γ-Fe2O3,Fe3O4,鋁鈍化膜為無孔...
鋁氧化有天然氧化,電化學氧化,化學氧化,鹼性氧化,酸性氧化,陽極氧化六種,意思是鋁及鋁合金的氧化處理的方法。...
中文名稱 熱生長氧化物 英文名稱 thermally grown oxide 定義 對於矽片而言,利用乾氧、濕氧或水汽氧化工藝形成的二氧化矽薄膜。 套用學科 材料科學技術(一級學科...
氧化再生纖維素是一種化學藥品,英文名稱Oxidized Regenerated Cellulose。...... 2.氧化再生纖維素禁用於體表面,因可抑制表皮細胞生長。氧化再生纖維素注意事項 編輯 ...
氧化誘生層錯OSF(Oxidation-Induced Stacking Faults)存在於表面和體內。表面的OSF一般以機械損傷、金屬沾污、微缺陷(如氧沉澱)在表面的顯露處等作為成核中心;體內...
氧化性半導體具有半導體特性的一類氧化物。氧化性半導體的電學性質與環境氣氛有關。導電率隨氧化氣氛而增加稱為氧化型半導體,是p型半導體;電導率隨還原氣氛而增加稱為...
華格納氧化過程是指他在1933年建立的有關氧化膜拋物線生長動力學規律的理論。這個理論對厚膜(≥10nm)成立。由這一理論明確了正負離子通過已形成的氧化膜的擴散是金屬...
氧化應激(Oxidative Stress,OS)是指體內氧化與抗氧化作用失衡,傾向於氧化,導致中性粒細胞炎性浸潤,蛋白酶分泌增加,產生大量氧化中間產物。氧化應激是由自由基在體內...
對於特徵尺寸為0.35um以及更大的器件,採用圖形化的Si3N4島來定義氧生長的區域。...... (稱為緩衝氧化膜),然後用熱CVD方法生長一層Si3N4薄膜(0.05μm~0.1...
矽(Si)與含有氧化物質的氣體,例如水汽和氧氣在高溫下進行化學反應,而在矽片表面產生一層緻密的二氧化矽(SiO2)薄膜。這是矽平面技術中一項重要的工藝。...
多電子氧化是氧化還原反應的一種類型,與之對應的是單電子氧化。兩者最大的區別在於對一個氧化還原反應,整個體系的電子轉移數目是單個的還是大於1個。氧化與還原是...
薄膜材料是指厚度介於單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。電子半導體功能器件和光學鍍膜是薄膜技術的主要套用。薄膜的生長是半導體製造中一項重要的工藝。薄膜生長...
英譯Thermally grown中文灰口鑄鐵在反覆加熱到900ºC以上時,體積將逐漸長大,最後出現裂紋或發生斷裂的現象。是指在充氣條件下,通過加熱基片的方式直接獲得氧化...
氧化釩是一種化學物質,分子式是V2O5。氧化釩具有V2O5 、VO2 等13 種不同的相,其晶格結構和空間排列各不相同,各種晶體結構的電學性能差異很大。至少有8種氧化釩...
氧化型殺菌劑,一般是較強的氧化劑,利用它們所產生的次氯酸、原子態氧等,使微生物體內一些與代謝有密切關係的酶發生氧化作用而殺滅微生物。氧化型殺菌劑通過氧化...
活塞陽極氧化是為了解決大功率柴油機特別是燃燒室直接設定在活塞頂部的直噴式柴油機活塞的燃燒室口部容易產生裂紋,尤其對於收口盆式燃燒室的口部更易產生熱疲勞裂紋...
陽極氧化鋁板是將鋁板置於相應電解液(如硫酸、鉻酸、草酸等)中作為陽極,在特定條件和外加電流作用下,進行電解。...
氧化生物塘是一種利用天然淨化能力對污水進行處理的構築物的總稱。其淨化過程與自然水體的自淨過程相似。通常是將土地進行適當的人工修整,建成池塘,並設定圍堤和防滲...
酶氧化作用,果實成熟衰老與活性氧代謝和膜脂過氧化作用有關。...... 酶氧化作用,果實成熟衰老與活性氧代謝和膜脂過...條件下這兩種機制處於動態平衡狀態,生物生長正...
氧化動力學包括恆溫氧化動力學實驗與循環氧化試驗,前者確定氧化速度,後者確定檢驗氧化膜與基體之間的粘附性,即膜在溫度循環變化情況下抗開裂與剝落的性能。兩者均...
矽局部氧化隔離(Local Oxidation of Silicon)技術,是由Appels和Kooi於1970年提出的一種CMOS矽工藝中常用的器件隔離技術。...