LOCOS

矽局部氧化隔離（Local Oxidation of Silicon）技術，是由Appels和Kooi於1970年提出的一種CMOS矽工藝中常用的器件隔離技術。

基本介紹

• 中文名：矽局部氧化
• 外文名：LOCal Oxidation of Silicon
• 別稱：LOCOS
• 相關：STL,鳥喙效應

即“矽的局部氧化”技術（Local Oxidation of Silicon）

- CMOS工藝最常用的隔離技術就是LOCOS（矽的選擇氧化）工藝，它以氮化矽為掩膜實現了矽的選擇氧化，在這種工藝中，除了形成有源電晶體的區域以外，在其它所有重摻雜矽區上均生長一層厚的氧化層，稱為隔離或場氧化層。

-常規的LOCOS工藝由於有源區方向的場氧侵蝕（SiN邊緣形成類似鳥嘴的結構，稱為“鳥喙效應”bird beak)和場注入的橫向擴散，使LOCOS工藝受到很大的限制。