熱生長氧化物是2011年公布的材料科學技術名詞。
| 中文名稱 | 熱生長氧化物 |
| 英文名稱 | thermally grown oxide |
| 定 義 | 對於矽片而言，利用乾氧、濕氧或水汽氧化工藝形成的二氧化矽薄膜。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），元素半導體材料（三級學科） |
熱生長氧化物是2011年公布的材料科學技術名詞。定義對於矽片而言，利用乾氧、濕氧或水汽氧化工藝形成的二氧化矽薄膜。出處《材料科學技術名詞》。...
《熱障塗層中熱生長氧化物的固體反應流理論》是依託西安交通大學，由張偉旭擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 固體反應流指包含化學反應的固體塑性流動理論。不同的化學反應機理對應的反應流理論也有區別。目前關於鋰電池與凝膠等化學反應變形方面已經有相應的固體反應流理論。然而金屬氧化與塑性變形的固體反應流理論並未...
熱生長 熱生長是指在充氣條件下，通過加熱基片的方式直接獲得氧化物，氮化物或碳化物薄膜的方法。英譯 Thermally grown 中文 灰口鑄鐵在反覆加熱到900ºC以上時，體積將逐漸長大，最後出現裂紋或發生斷裂的現象。
《熱生長氧化物誘發的熱障塗層界面裂紋擴展》是依託西安交通大學，由范學領擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 熱生長氧化物誘發的界面破壞是影響熱障塗層（TBC）熱力學性能和耐久性的關鍵因素。高溫工作時，陶瓷層與粘結層之間的熱生長氧化物增厚會在熱生長氧化層（TGO）內產生殘餘應力並積蓄相當高的應變能密度...
在積體電路工藝中，以加熱高純水作為水蒸汽源，而濕氧氧化則用乾燥氧氣通過加熱的水（常用水溫為95）所形成的氧和水汽混合物形成氧化氣氛。用高純氫氣和氧氣在石英反應管進口處直接合成水蒸汽的方法進行水汽氧化時，通過改變氫氣和氧氣的比例，可以調節水蒸汽壓，減少沾污，有助於提高熱生長二氧化矽的質量。 對矽熱...
薄膜材料是指厚度介於單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。電子半導體功能器件和光學鍍膜是薄膜技術的主要套用。薄膜的生長是半導體製造中一項重要的工藝。薄膜生長技術總的來說可以分為物理方法和化學方法。常見的薄膜生長技術包括：熱氧化法、物理氣相沉積和化學氣相沉積。簡介 積體電路在製造過程中需要在晶圓片的表面...
在高溫高壓下，通過各種鹼性或酸性的水溶液使材料溶解而達到過飽和進而析晶的生長晶體方法叫水熱生長法。這個方法主要用來合成水晶，其他晶體如剛玉、方解石、藍石棉以及很多氧化物單晶都可以用這個方法生成。水熱法生長的關鍵設備是高壓釜，它是由耐高溫、高壓的鋼材製成。它通過自緊式或非自緊式的密封結構使水熱生長...
大多數鈍化膜是由金屬氧化物組成，故稱氧化膜。如鐵鈍化膜為γ-Fe2O3，Fe3O4，鋁鈍化膜為無孔的γ-Al2O3等。氧化膜厚度一般為10-9～10-10m。一些還原性陰離子，如Cl-對氧化膜破壞作用較大。氧化膜中存在兩種類型的應力:氧化膜恆溫生長時產生的生長應力和溫度變化時由於金屬與氧化物的熱膨脹係數不同而產生...
金屬構件在實際使用過程中有時會經受冷—熱循環。由於表面氧化膜與金屬的線膨脹係數相差較大，溫度變化時，氧化膜受熱應力和熱疲勞作用，會發生開裂和剝落，新的氧化物就會在貫穿裂紋處或剝落區快速形成。因此，為了評定氧化膜的抗剝落性能以及氧化膜破裂後新的氧化物生長速度，需進行循環氧化動力學測定。循環氧化實驗...
《溫和溶劑熱合成條件下生長非氧化物單晶的探索》是依託中國科學技術大學，由謝毅擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 將溶劑熱合成技術推廣到非氧化物單晶的生長，用以生長那些在水溶液中根本無法生成的、易氧化或易水解的非氧化物單晶，如氮化物、磷化物、硫化物、硒化物、碲化物，爭取生長出六種以上有實際套用價值...
二氧化硫(sulfur dioxide)是最常見、最簡單的硫氧化物,化學式SO2,其為無色透明氣體,有刺激性臭味。 溶於水、乙醇和乙醚。二氧化硫是大氣主要污染物之一。火山爆發時會噴出該氣體,在許多工業過程中也會產生二氧化硫。由於煤和石油通常都含有硫元素,因此燃燒時會生成二氧化硫。當二氧化硫溶於水中,會形成亞硫酸。若把亞...
通過對H2、O2等引入氣體與載氣協同作用下的稀土氯化物分解過程熱力學與動力學的研究，探明RECl3轉化為RE2O3的新途徑；通過對形核劑作用下溶質析出、氧化物成核生長及晶體形成規律的研究，建立稀土氯化物分解為尺寸和形貌均一氧化物的新模式。其目的是解決氯化稀土熱分解過程中存在的氯氧化稀土中間產物難分解為氧化...
《半導體氧化物納米材料形態控制生長及機理研究》是依託武漢理工大學，由戴英擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 納米材料的獨特性能不僅取決於材料的組成、結構和尺度，而且與納米粒子的維度和形態有重要的關係。本項目擬對半導體氧化物納米材料形態的控制生長及其規律進行系統研究。採用氣相沉積法，通過對反應過程和條件的...
鐵元素的三種氧化物:氧化亞鐵(FeO)、氧化鐵(Fe2O3)、四氧化三鐵(Fe3O4)。 四氧化三鐵是中學階段唯一可以被磁化的鐵化合物。四氧化三鐵中含有Fe2+和Fe3+,X射線衍射實驗表明,四氧化三鐵具有反式尖晶石結構,晶體中從來不存在偏鐵酸根離子FeO22-。四氧化三鐵,天然礦物類型為磁鐵礦。鐵在四氧化三鐵中有兩種...
5.4.1 900℃熱障塗層的氧化 128 5.4.2 1000℃熱障塗層的氧化 130 5.4.3 1100℃熱障塗層的氧化 132 5.4.4 低活度鉑鋁粘結層的氧化 133 5.4.5 高活度鉑鋁粘結層的氧化 136 5.4.6 1150℃熱障塗層的氧化 141 5.4.7 鉑鋁粘結層的熱生長層微觀結構比較 142 5.4.8 溫度對鉑改性鋁化物粘結層氧化...
氧化鎂在反芻動物日糧中的添加量為0.5%～1.0%。家禽 新生雛雞在飼餵完全缺乏鎂的日糧時只能存活幾天時間。飼餵低鎂日糧時，雛雞生長緩慢、嗜睡、氣喘、呼吸急促，受驚嚇後會表現短時間痙攣，最後導致暫時昏迷或死亡。據試驗飼餵含鎂200ppm的日糧與含鎂600ppm的日糧相比，肉雞的生長率降低80%。對於蛋雞，缺鎂時...
金氧半電容是由金屬作為閘極(雖然在工藝界常用多晶矽，近年來才改為金屬)，在金屬和半導體間以氧化物作為介電層以絕緣，氧化物通常是二氧化矽(SiO₂)，因為二氧化矽可以直接由常見的矽基板通過加熱生長，所得的界面陷阱()interface states特性也會比較好。半導體的部分通常是矽，也就是常說的矽晶圓，目前一些三五...
在溫度升高的情況下，化學反應以及金屬和氧通過膜的擴散均將加速，氧化也就會加速。鈀、銀、汞等金屬的氧化物由於熱力學上的不穩定，在高溫下會分解。環境氣氛中含有水蒸氣或硫化物時，導致加速氧化，尤以硫化物為嚴重，常稱這種情況為硫化腐蝕。金屬的氧化和熱腐蝕完整的氧化膜才能保護金屬，因此,膜的體積( )必須...
《氧化物熱電薄膜材料的脈衝雷射沉積與熱電性能最佳化》是依託北京科技大學，由陳吉堃擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 熱電薄膜材料的生長是進一步製備微型熱電器件從而實現熱能與電能在微尺度內相互轉換的重要基礎步驟。同時，通過維度的降低可以有效調節熱電材料能帶結構與能態密度分布，為實現電導率與賽貝克係數的...
通過研究PAD方法的薄膜生長動力學和界面擴散理論，提出了利用界面材料的自由能差異設計界面緩衝層來控制界面氧擴散從而調控界面的方法，由此突破了非貴金屬基直接生長氧化物薄膜的“晶化”和“界面”相容性難題，解決了在非貴金屬上直接製備功能氧化物薄膜器件的難題；通過對多晶Ni基片上生長的具有不同厚度的NiOx預氧化...
其特點是除了熱膨脹係數和軟化溫度一致外,芯皮之間的折射率差大,適於製造大數值孔徑光纖。這就是氧化物光纖。光釺損耗 光纖通訊的最大特點是中繼間距離長和傳輸容量大。為實現此目的,要求光纖具有低損耗、低色散。如圖1所示為光纖中損耗主要原因的示意。所有這些損耗均取決於光纖製造技術,儘量消除上述損耗在製造低損耗...
本項目就這一問題開展專門研究，擬利用復相界面的強聲子散射作用，探索對鈣鈦礦型氧化物熱導率進行控制的有效途徑。本項目將從復相材料的可控合成著手，利用非水溶膠-凝膠過程-溶劑熱控制生長和真空快速熱壓控制燒結的兩步控制法，控制合成以鈣鈦礦型氧化物為基相的分散相粒子可控、相界面清晰、緻密度高的復相材料；...
典型的航空發動機渦輪葉片熱障塗層系統包括陶瓷塗層（TBC）、熱致生長氧化物層（TGO）、粘結層（BC）和高溫合金基體（SUB）。TGO層在高溫環境下不斷發生幾何形貌和化學成分的演變，對熱障塗層的界面剝離和服役壽命有重大影響。本項目面向航空發動機渦輪葉片所受的熱機械疲勞載荷（TMF）耦合作用下的套用環境，研究熱力同...
不同晶體常需要在各種不同的氣氛里進行生長。如釔鋁榴石和剛玉晶體需要在氬氣氣氛中進行生長。該系統由真空裝置和充氣裝置組成。（5）後加熱器 後熱器可用高熔點氧化物如氧化鋁、 陶瓷或多層金屬反射器如鉬片、鉑片等製成。通常放在坩堝的上部，生長的晶體逐漸進入後熱器，生長完畢後就在後熱器中冷卻至室溫。後...
