《半導體氧化物納米材料形態控制生長及機理研究》是依託武漢理工大學，由戴英擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：半導體氧化物納米材料形態控制生長及機理研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：戴英
- 依託單位：武漢理工大學
- 批准號：50372048
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：22（萬元）
項目摘要
納米材料的獨特性能不僅取決於材料的組成、結構和尺度，而且與納米粒子的維度和形態有重要的關係。本項目擬對半導體氧化物納米材料形態的控制生長及其規律進行系統研究。採用氣相沉積法，通過對反應過程和條件的精確控制以及工藝參數的最佳化，控制晶核的形成和生長過程，建立ZnO、SnO2納米材料形態與工藝參數間的關係，實現納米材料形態的可控生長。通過對不同工藝條件和生長階段的納米晶體組成、形貌、結構、生長取向的研究，分析其成核及擇優生長規律以及相應的熱力學、動力學過程，探討各自的生長機理。對不同形貌ZnO、SnO2納米材料的光致發光特性、受激輻射特性以及場發射特性進行研究，建立不同形態納米結構與性能間的關係，並實現納米材料形態、結構的可控生長及性能的可調，為納米半導體的元器件化奠定基礎。
