局部氧化技術

對於特徵尺寸為0.35um以及更大的器件，採用圖形化的Si3N4島來定義氧生長的區域。

基本介紹

• 中文名：局部氧化技術
• 外文名：LOCOS
• 概念：圖形化定義氧生長
• 劣勢：這種隔離會出現所謂“鳥嘴”
• 優點：可用同一塊掩模來進行自對準

局部氧化技術：

局部氧化（local oxidation of silicon，LOCOS）技術：這是Si積體電路中、通過選擇氧化的工藝來形成隔離區的一種方法。

具體步驟

矽的局部氧化的具體步驟是：首先通過熱氧化形成一層薄（0.05μm~0.1μm）的SiO2膜（稱為緩衝氧化膜），然後用熱CVD方法生長一層Si3N4薄膜（0.05μm~0.1μm），接著在這雙層膜上光刻出有源區圖形（除去有源區以外的SiO2膜和Si3N4膜），最後，以留下的Si3N4膜作掩模、利用氧化速度很快的濕法氧化技術在有源區以外形成一層較厚（0.5μm~1μm）的SiO2膜，這層較厚的氧化膜就起著隔離牆的作用。這種方法所形成的SiO2膜是以半埋入方式存在的，則出現的台階高度比較小；而且SiO2膜和溝道阻止層（Si3N4膜掩蔽進行硼離子注入）都可用同一塊掩模來進行自對準。但是這種隔離會出現所謂“鳥嘴”（在Si3N4掩模邊緣內附近區域的Si也受濕法氧化的影響，產生出鳥嘴的形狀），這限制了隔離區寬度的進一步縮小。